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トランジスタ（4003）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	電圧 -定格	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	頻度	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	現在の評価（ amp）	現在 -テスト	電力 -出力	得	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	ノイズ図	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	電圧 -テスト	現在 -コレクターカットオフ（最大）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	抵抗 -ベース（r1）	抵抗 -エミッターベース（r2）
PSMN5R0-100XS、127	-	RFQ	2745	NXP USA Inc.	-	チューブ	廃止		-	穴を通して	TO-220-3 フルパック、分離タブ	psmn5		モスフェット（金属酸化物）		TO-220F	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50		nチャネル					100 V	67.5a	10V	5mohm @ 15a 、10V	4V @ 1MA	153 NC @ 10 V	±20V	9900 PF @ 50 V	-	63.8W
MRFE6VP5600HSR5	132.0164	RFQ	4275	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	130 v		シャーシマウント	NI-1230-4S	Mrfe6	230MHz	ldmos		NI-1230-4S	-	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない	935319677178	ear99	8541.29.0075	50	デュアル		-	100 Ma	600W	25dB											-			50 v
MRF1535NT1	-	RFQ	3368	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	40 v		シャーシマウント	TO-272AA	MRF15	520MHz	ldmos		TO-272-6	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	500			6a	500 Ma	35W	13.5dB											-			12.5 v
BLC8G27LS-245AVJ	-	RFQ	2532	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	65 v		表面マウント	SOT-1251-2	BLC8	2.5GHz〜2.69GHz	ldmos		8-dfm	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	934068216118	ear99	8541.29.0075	100	デュアル、共通のソース		-	500 Ma	56W	14.5dB											-			28 v
BLA1011S-200R 112	353.1400	RFQ	20	NXP USA Inc.	-	バルク	廃止	75 v		シャーシマウント	SOT-502B		1.03GHz1.09GHz	ldmos		SOT502B	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0075	20			-	150 Ma	200W	13dB											-			36 v
BC337-25,112	-	RFQ	4821	NXP USA Inc.	-	バルク	廃止		150°C （TJ）	穴を通して	to-226-3	BC33			625 MW	to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	1,000																		45 v	500 Ma		100na（icbo）	npn	700mv @ 50ma 、500ma	160 @ 100MA、1V	100MHz
BF909AR 、215	-	RFQ	4799	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	7 v		表面マウント	SOT-143R	BF909	800MHz	メスフェット		SOT-143R	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	3,000	デュアルゲート		40ma		-	-											2db
BUK653R2-55C 、127	-	RFQ	9907	NXP USA Inc.	trenchmos™	チューブ	廃止		-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3	buk65		モスフェット（金属酸化物）		TO-220AB	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50		nチャネル					55 v	120a（tc）	4.5V 、10V	3.2mohm @ 25a 、10V	2.8V @ 1MA	258 NC @ 10 V	±16V	15300 PF @ 25 V	-	306W
PMWD26UN 、518	-	RFQ	3513	NXP USA Inc.	trenchmos™	テープ＆リール（ tr）	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm）	PMWD26		モスフェット（金属酸化物）	3.1W	8-tssop	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,500	2 nチャンネル（デュアル）						20V	7.8a		30mohm @ 3.5a 、4.5V	700MV @ 1MA	23.6NC @ 4.5V		1366pf @ 16V	ロジックレベルゲート
PDTC144WS、126	-	RFQ	1655	NXP USA Inc.	-	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			穴を通して	to-226-3	PDTC144			500 MW	to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	2,000																		50 v	100 Ma		1µA	npn-バイアス化	150mv @ 500µa 、10ma	60 @ 5MA 、5V		47 Kohms	22 Kohms
PDTA114YK 115	-	RFQ	1040	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	TO-236-3	PDTA114			250 MW	SMT3; mpak	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	3,000																		50 v	100 Ma		1µA	pnp-前バイアス	100MV @ 250µA、5MA	100 @ 5MA 、5V		10 Kohms	47 Kohms
BLF6G27LS-75,112	83.4300	RFQ	47	NXP USA Inc.	-	トレイ	廃止	65 v		シャーシマウント	SOT-502B		-	ldmos		SOT502B	ダウンロード	ROHS3準拠				5A991G	8541.29.0075	20			18a	600 Ma	9W	-											-			28 v
PMF400UN 、115	-	RFQ	3382	NXP USA Inc.	trenchmos™	テープ＆リール（ tr）	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	SC-70、SOT-323	PMF40		モスフェット（金属酸化物）		SC-70	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	3,000		nチャネル					30 V	830ma（ta）	1.8V 、4.5V	480mohm @ 200ma 、4.5V	1V @ 250µA	0.89 NC @ 4.5 v	±8V	43 PF @ 25 V	-	560MW
PDTC143EK 、115	-	RFQ	8433	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	TO-236-3	PDTC143			250 MW	SMT3; mpak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	3,000																		50 v	100 Ma		1µA	npn-バイアス化	150mv @ 500µa 、10ma	30 @ 10ma 、5v		4.7 Kohms	4.7 Kohms
MRF7S19100NBR1	-	RFQ	7882	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	65 v		シャーシマウント	TO-272bb	MRF7	1.93GHz1.99GHz	ldmos		TO-272 WB-4	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	935319238528	ear99	8541.29.0075	500			-	1 a	29W	17.5dB											-			28 v
PSMN013-100XS、127	-	RFQ	9994	NXP USA Inc.	-	チューブ	廃止		-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3 フルパック、分離タブ	psmn0		モスフェット（金属酸化物）		TO-220F	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50		nチャネル					100 V	35.2a	10V	13.9mohm @ 10a、10v	4V @ 1MA	57.5 NC @ 10 V	±20V	3195 PF @ 50 V	-	48.4W
BSP304A、126	-	RFQ	5129	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		-65°C〜150°C	穴を通して	to-226-3	BSP3		モスフェット（金属酸化物）		to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,000		pチャネル					300 V	170ma（ta）	10V	17OHM @ 170MA 、10V	2.55V @ 1MA		±20V	90 pf @ 25 V	-	1W
BUK6507-55C 、127	-	RFQ	6548	NXP USA Inc.	trenchmos™	チューブ	廃止		-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3	buk65		モスフェット（金属酸化物）		TO-220AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50		nチャネル					55 v	100a（tc）	4.5V 、10V	7mohm @ 25a 、10V	2.8V @ 1MA	82 NC @ 10 V	±16V	5160 PF @ 25 V	-	158W
buk7y29-40ex	-	RFQ	7819	NXP USA Inc.	trenchmos™	バルク	アクティブ		-55°C〜175°C	表面マウント	SC-100 、SOT-669			モスフェット（金属酸化物）		LFPAK56 、POWER-SO8	ダウンロード					ear99	8541.29.0095	1		nチャネル					40 v	26a（tc）	10V	29mohm @ 5a、10V	4V @ 1MA	7.9 NC @ 10 V	±20V	492 PF @ 25 V	-	37W （TC）
PSMN014-60LS 、115	-	RFQ	6377	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	8-vdfn露出パッド	psmn0		モスフェット（金属酸化物）		8-dfn3333 （3.3x3.3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,400		nチャネル					60 V	40a（tc）	10V	14mohm @ 10a 、10v	4V @ 1MA	19.6 NC @ 10 V	±20V	1264 PF @ 30 V	-	65W
SI9936DY 、518	-	RFQ	2904	NXP USA Inc.	trenchmos™	テープ＆リール（ tr）	廃止		150°C （TJ）	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	SI9936		モスフェット（金属酸化物）	900MW	8-SO	ダウンロード	ROHS3準拠	2（1 年）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	2,500	2 nチャンネル（デュアル）						30V	5a		50mohm @ 5a 、10V	1V @ 250µA	35NC @ 10V		-	ロジックレベルゲート
A3T18H455W23SR6	98.0184	RFQ	7499	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	65 v		シャーシマウント	ACP-1230S-4L2S	A3T18	1.805GHz1.88GHz	ldmos		ACP-1230S-4L2S	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない	935354975128	ear99	8541.29.0075	150	デュアル		10µA	600 Ma	192W	16.7db											-			30 V
AFM912NT1	2.9754	RFQ	9766	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	30 V		表面マウント	16-vdfn露出パッド		136MHz〜941MHz	ldmos		16-dfn （4x6）	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	568-AFM912NT1TR	ear99	8541.29.0095	1,000	-		10µA		-	13.3db											-
MRFE6S9125NR1	-	RFQ	1518	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	66 v		表面マウント	TO-270AB	Mrfe6	880MHz	ldmos		TO-270 WB-4	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0075	500			-	950 Ma	27W	20.2db											-			28 v
MRF5S4140HR3	-	RFQ	1459	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	65 v		シャーシマウント	SOT-957A	MRF5	465MHz	ldmos		NI-780H-2L	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0075	250			-	1.25 a	28W	21dB											-			28 v
MRF101bn	22.9600	RFQ	80	NXP USA Inc.	-	チューブ	アクティブ	133 v			TO-220-3	MRF101	1.8MHz〜250MHz	ldmos		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0075	50			10µA	100 Ma	115W	21.1db											-			50 v
A2T09VD300NR1	-	RFQ	3163	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	105 v		表面マウント	TO-270-6 バリアント、フラットリード	A2T09	920MHz	ldmos		TO-270WB-6A	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	935316219528	ear99	8541.29.0075	500	デュアル		-	1.2 a	79W	21.5dB											-			48 v
PMF63UNE115	-	RFQ	1327	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ										ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.21.0095	3,000
PMZB600UNE315	0.0300	RFQ	574	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ										ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.21.0095	10,000
PDTA113ZE 115	-	RFQ	4813	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	SC-75、SOT-416	PDTA113			150 MW	SC-75	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	3,000																		50 v	100 Ma		1µA	pnp-前バイアス	150mv @ 500µa 、10ma	35 @ 5MA 、5V		1 KOHMS	10 Kohms

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

トランジスタ（4003）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²