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トランジスタ（506）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 電圧 -定格 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 頻度 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 現在の評価（ amp） 現在 -テスト 電力 -出力 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ノイズ図 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 電圧 -テスト 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
BUK7219-55A,118 NXP Semiconductors BUK7219-55A 、118 0.5400
RFQ
 ECAD 1712 0.00000000 NXP半導体 Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-BUK7219-55A 、118-954 1 nチャネル 55 v 55a（tc） 10V 19mohm @ 25a 、10V 4V @ 1MA ±20V 2108 PF @ 25 V - 114W
AFT21H350W03SR6 NXP Semiconductors AFT21H350W03SR6 199.4800
RFQ
 ECAD 150 0.00000000 NXP半導体 - バルク 廃止 65 v 表面マウント NI-1230-4S 2.11GHz〜2.17GHz ldmos NI-1230-4S - 2156-FAFT21H350W03SR6 2 nチャネル 10µA 763 Ma 63W 16.4db @ 2.11GHz - 28 v
PMV50ENEA215 NXP Semiconductors PMV50EENEA215 -
RFQ
 ECAD 4345 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ PMV50 ダウンロード ear99 8541.29.0095 1
PBSS4032PD,115 NXP Semiconductors PBSS4032PD 、115 0.1500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SC-74、SOT-457 1 W 6-tsop ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PBSS4032PD 、115-954 2,031 30 V 2.7 a 100NA PNP 395MV @ 300MA、3a 200 @ 1a 、2V 104MHz
BUK662R5-30C,118 NXP Semiconductors buk662R5-30c、118 0.5200
RFQ
 ECAD 927 0.00000000 NXP半導体 Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-BUK662R5-30C、118-954 1 nチャネル 30 V 100a（tc） 10V 2.8mohm @ 25a 、10V 2.8V @ 1MA 114 NC @ 10 V ±16V 6960 PF @ 25 V - 204W
PHPT610030PKX NXP Semiconductors PHPT610030PKX -
RFQ
 ECAD 9811 0.00000000 NXP半導体 - バルク 廃止 175°C （TJ） 表面マウント SOT-205、8-LFPAK56 PHPT610030 1.25W LFPAK56D - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-PHPT610030PKX ear99 8541.29.0075 1 100V 3a 100NA 2 PNP （デュアル） 360MV @ 200MA 、2a 150 @ 500MA 、10V 125MHz
BF820,235 NXP Semiconductors BF820,235 -
RFQ
 ECAD 3735 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 250 MW TO-236AB ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BF820,235-954 ear99 8541.21.0095 1 300 V 50 Ma 10na （icbo） npn 600mv @ 5ma 、30ma 50 @ 25ma 、20V 60MHz
BCW61B,215 NXP Semiconductors BCW61B 、215 0.0200
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 250 MW TO-236AB ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BCW61B、215-954 1 32 v 100 Ma 20na（icbo） PNP 550MV @ 1.25MA 、50mA 180 @ 2MA 、5V 100MHz
PDTA115EU,115 NXP Semiconductors PDTA115EU 、115 0.0200
RFQ
 ECAD 284 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PDTA115EU 、115-954 1
BUK7M21-40E,115 NXP Semiconductors buk7m21-40e、115 1.0000
RFQ
 ECAD 6146 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ - 0000.00.0000 1
PMCM6501VPEZ NXP Semiconductors PMCM6501VPEZ 0.2000
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 6-XFBGA 、WLCSP モスフェット（金属酸化物） 6-wlcsp（1.48x0.98） ダウンロード ear99 8541.29.0095 1,528 pチャネル 12 v 6.2a（ta） 1.8V 、4.5V 25mohm @ 3a 、4.5V 900MV @ 250µA 29.4 NC @ 4.5 v ±8V 1400 pf @ 6 v - 556MW
MW7IC930NR1 NXP Semiconductors MW7IC930NR1 59.9800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 NXP半導体 - バルク 廃止 65 v 表面マウント TO-270-16 バリアント、フラットリード 920MHz〜960MHz ldmos （デュアル） TO-270WB-16 - 2156-MW7IC930NR1 ear99 8542.33.0001 6 2 nチャネル 10µA 285 Ma 3.2W 35.9db - 28 v
PQMH9Z NXP Semiconductors PQMH9Z 0.0300
RFQ
 ECAD 8934 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ 表面マウント 6-XFDFN露出パッド 230MW DFN1010B-6 - 2156-PQMH9Z 2,592 50V 100mA 1µA 2 npn-バイアス化 100MV @ 250µA、5MA 100 @ 5MA 、5V 230MHz 10kohms 47kohms
MW7IC930GNR1 NXP Semiconductors MW7IC930GNR1 -
RFQ
 ECAD 3875 0.00000000 NXP半導体 - バルク 廃止 65 v 表面マウント TO-270-16 バリアント、ガルウィング 920MHz〜960MHz ldmos （デュアル） TO-270 WBL-16カモメ - 2156-MW7IC930GNR1 1 2 nチャネル 10µA 285 Ma 3.2W 35.9db - 28 v
MRF6V2150NBR1 NXP Semiconductors MRF6V2150NBR1 59.8400
RFQ
 ECAD 164 0.00000000 NXP半導体 - バルク 廃止 110 v シャーシマウント TO-272bb 450MHz ldmos TO-272 WB-4 - 2156-MRF6V2150NBR1 ear99 8541.21.0075 6 nチャネル - 450 Ma 150W 25dB - 50 v
PHP23NQ11T,127 NXP Semiconductors php23nq11t 、127 0.6600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 NXP半導体 trenchmos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード 適用できない 影響を受けていない 2156-PHP23NQ11T、127-954 496 nチャネル 110 v 23a（tc） 10V 70mohm @ 13a 、10V 4V @ 1MA 22 NC @ 10 V ±20V 830 PF @ 25 V - 100W （TC）
BC51PASX NXP Semiconductors BC51PASX 0.0600
RFQ
 ECAD 54 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 3-udfn露出パッド 420 MW DFN2020D-3 ダウンロード ear99 8541.29.0075 1 45 v 1 a 100na（icbo） PNP 500MV @ 50MA 、500MA 63 @ 150MA 、2V 145MHz
PMBT4401/S911,215 NXP Semiconductors PMBT4401/S911,215 0.0200
RFQ
 ECAD 72 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード ear99 8541.21.0075 1
A2I20H060GNR1 NXP Semiconductors A2I20H060GNR1 30.9400
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 65 v 表面マウント TO-270WBG-15 1.8GHz〜2.2GHz ldmos （デュアル） TO-270WBG-15 - 2156-A2I20H060GNR1 10 2 nチャネル - 24 Ma 12W 32.4db - 28 v
PQMB11147 NXP Semiconductors PQMB11147 -
RFQ
 ECAD 4895 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ - 2156-PQMB11147 1
PSMN2R8-25MLC115 NXP Semiconductors PSMN2R8-25MLC115 -
RFQ
 ECAD 2760 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード ear99 8541.29.0095 1
BCV62C,215 NXP Semiconductors bcv62c、215 0.1400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ BCV62 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BCV62C、215-954 ear99 8541.21.0075 1
BUK6218-40C,118 NXP Semiconductors buk6218-40c、118 0.2200
RFQ
 ECAD 2350 0.00000000 NXP半導体 Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-BUK6218-40C 、118-954 1 nチャネル 40 v 42a 10V 16mohm @ 10a 、10v 2.8V @ 1MA 22 NC @ 10 V ±16V 1170 PF @ 25 V - 60W （TC）
A2I22D050NR1 NXP Semiconductors A2I22D050NR1 51.7500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 NXP半導体 - バルク 廃止 65 v 表面マウント TO-270WB-15 1.8GHz〜2.2GHz ldmos （デュアル） TO-270WB-15 - 2156-A2I22D050NR1 6 2 nチャネル 10µA 520 Ma 5.3W 31.1DB @ 1.88GHz - 28 v
BUK6610-75C,118 NXP Semiconductors buk6610-75c、118 0.4100
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 NXP半導体 Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-BUK6610-75C 、118-954 1 nチャネル 75 v 78a（tc） 10V 10mohm @ 25a 、10V 2.8V @ 1MA 81 NC @ 10 V ±16V 5251 PF @ 25 V - 158W
BLC8G27LS-180AVY NXP Semiconductors BLC8G27LS-180AVY -
RFQ
 ECAD 7434 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ - 2156-BLC8G27LS-180AVY 1
2PD601ASL,235 NXP Semiconductors 2PD601ASL 、235 -
RFQ
 ECAD 7114 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 2PD601 250 MW TO-236AB ダウンロード ear99 8541.21.0075 1 50 v 100 Ma 10na （icbo） npn 250MV @ 10MA 、100mA 290 @ 2MA 、10V 100MHz
BUK763R1-40B,118 NXP Semiconductors BUK763R1-40B 、118 1.1900
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 NXP半導体 Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BUK763R1-40B 、118-954 1 nチャネル 40 v 75a（tc） 10V 3.1mohm @ 25a 、10V 4V @ 1MA 94 NC @ 10 V ±20V 6808 PF @ 25 V - 300W （TC）
PBLS6005D,115 NXP Semiconductors PBLS6005D 、115 -
RFQ
 ECAD 8192 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 表面マウント SC-74、SOT-457 PBLS6005 600MW 6-tsop ダウンロード 0000.00.0000 1 50V 、60V 100MA 、700mA 1µA 、100NA 1 NPN 事前にバイアス、 1 PNP 150MV @ 500µA、 10MA / 340MV @ 100MA、1A 80 @ 5MA 、5V / 150 @ 500MA 、5V 185MHz 47kohms 47kohms
MRF300AN NXP Semiconductors MRF300AN -
RFQ
 ECAD 4595 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 133 v 穴を通して TO-247-3 1.8MHz〜250MHz ldmos TO-247-3 - 2156-MRF300AN 1 nチャネル 10µA 100 Ma 300W 28.2db - 50 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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