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トランジスタ（ 3821）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス 入力 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ テスト条件 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD （オン/オフ） @ 25°C 電圧 -破壊（ V 現在の - ドレイン（IDSS @ vds（vgs = 0） 電圧-Cutoff（ VGSオフ） @ id 現在 -コレクターカットオフ（最大） NTCサーミスタ 入力容量（ cies @ vce 抵抗-RDS （オン） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移
FDB3672 Fairchild Semiconductor FDB3672 1.9100
RFQ
 ECAD 160 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 100 V 7.2a 6V 、10V 28mohm @ 44a 、10V 4V @ 250µA 31 NC @ 10 V ±20V 1710 pf @ 25 v - 120W （TC）
HUF75329P3 Fairchild Semiconductor HUF75329p3 -
RFQ
 ECAD 9487 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS非準拠 ear99 8541.29.0095 400 nチャネル 55 v 42a 25mohm @ 42a 、10V 4V @ 250µA 75 NC @ 20 V ±20V 1060 PF @ 25 V - 94W
HUF75329D3S Fairchild Semiconductor HUF75329D3S 0.9600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,800 nチャネル 55 v 20a（tc） 10V 26mohm @ 20a 、10V 4V @ 250µA 65 NC @ 20 V ±20V 1060 PF @ 25 V - 128W （TC）
MPSA42RA Fairchild Semiconductor MPSA42RA 1.0000
RFQ
 ECAD 8905 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して to-226-3 625 MW to-92-3 - ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 2,000 300 V 500 Ma 100na（icbo） npn 500MV @ 2MA 、20MA 40 @ 30ma 、10V 50MHz
FQI9N25CTU Fairchild Semiconductor fqi9n25ctu 1.1200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して To-262-3 Long Leads モスフェット（金属酸化物） i2pak（to-262） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 250 v 8.8a 10V 430mohm @ 4.4a 、10V 4V @ 250µA 35 NC @ 10 V ±30V 710 pf @ 25 v - 3.13W （TA ）、74W（TC）
FQPF17N08 Fairchild Semiconductor FQPF17N08 0.3400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 80 v 11.2a（tc） 10V 115mohm @ 5.6a 、10V 4V @ 250µA 15 NC @ 10 V ±25V 450 pf @ 25 v - 30W （TC）
RFP8P05 Fairchild Semiconductor RFP8P05 1.0000
RFQ
 ECAD 1742 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS非準拠 ear99 8541.29.0095 50 pチャネル 50 v 8a（tc） 300mohm @ 8a、10V 4V @ 250µA 80 NC @ 20 V -
SGH30N60RUFTU Fairchild Semiconductor sgh30n60ruftu -
RFQ
 ECAD 2893 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 SGH30N60 標準 235 w to-3pn ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 450 300V、30A 、7OHM15V - 600 V 48 a 90 a 2.8V @ 15V 、30a 919µj（オン）、814µj（オフ） 85 NC 30ns/54ns
PF53012 Fairchild Semiconductor PF53012 0.0600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 to-92-3 ダウンロード ROHS非準拠 ear99 8541.21.0095 2,000 nチャネル - 30 V 30 µA @ 10 V 1.7 V @ 1 Na
KSD1616GTA Fairchild Semiconductor KSD1616GTA -
RFQ
 ECAD 7609 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して to-226-3 750 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 4,000 50 v 1 a 100na（icbo） npn 300MV @ 50MA、1a 200 @ 100MA 、2V 160MHz
FQU3N60TU Fairchild Semiconductor fqu3n60tu 0.5100
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して to-251-3 モスフェット（金属酸化物） i-pak ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 5,040 nチャネル 600 V 2.4a（tc） 10V 3.6OHM @ 1.2A 、10V 5V @ 250µA 13 NC @ 10 V ±30V 450 pf @ 25 v - 2.5W （TA ）、50W（TC）
PN5432 Fairchild Semiconductor PN5432 1.0000
RFQ
 ECAD 8043 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 350 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 2,000 nチャネル 30pf @ 10V 25 v 150 mA @ 15 v 4 V @ 3 Na 5オーム
FDD044AN03L Fairchild Semiconductor FDD044AN03L 0.9000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 30 V 21a（ta ）、 35a 4.5V 、10V 3.9mohm @ 35a 、10V 2.5V @ 250µA 118 NC @ 10 V ±20V 5160 PF @ 15 V - 160W
HUF75343S3S Fairchild Semiconductor HUF75343S3S 1.1200
RFQ
 ECAD 4055 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 200 nチャネル 55 v 75a（tc） 10V 9mohm @ 75a 、10V 4V @ 250µA 205 NC @ 20 V ±20V 3000 pf @ 25 v - 270W
FDMS8692 Fairchild Semiconductor FDMS8692 0.5000
RFQ
 ECAD 65 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-powertdfn モスフェット（金属酸化物） 8-PQFN ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 12a（ta ）、28a（tc） 4.5V 、10V 9mohm @ 12a 、10V 3V @ 250µA 21 NC @ 10 V ±20V 1265 PF @ 15 V - 2.5W
FQN1N50CBU Fairchild Semiconductor fqn1n50cbu -
RFQ
 ECAD 8745 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 モスフェット（金属酸化物） to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 1,447 nチャネル 500 V 380ma 10V 6OHM @ 190MA 、10V 4V @ 250µA 6.4 NC @ 10 V ±30V 195 pf @ 25 v - 890MW
FDS8670 Fairchild Semiconductor FDS8670 0.7800
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 30 V 21a（ta） 4.5V 、10V 3.7mohm @ 21a 、10V 3V @ 250µA 82 NC @ 10 V ±20V 4040 PF @ 15 V - 2.5W
FJPF13007TU Fairchild Semiconductor FJPF13007TU 0.2900
RFQ
 ECAD 8670 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 40 W TO-220F-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 50 400 V 8 a - npn 3V @ 2a 、8a 8 @ 2a 、5V 4MHz
HUFA75329S3ST Fairchild Semiconductor hufa75329S3st 0.4400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ バルク 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 55 v 49a（tc） 10V 24mohm @ 49a 、10V 4V @ 250µA 75 NC @ 20 V ±20V 1060 PF @ 25 V - 128W （TC）
SS9013GBU Fairchild Semiconductor SS9013GBU 0.0200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 625 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 1,000 20 v 500 Ma 100na（icbo） npn 600mv @ 50ma 、500ma 112 @ 50ma、1V -
FQU10N20LTU Fairchild Semiconductor fqu10n20ltu 0.4300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して to-251-3 モスフェット（金属酸化物） i-pak ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 70 nチャネル 200 v 7.6a 5V、10V 360mohm @ 3.8a 、10V 2V @ 250µA 17 NC @ 5 V ±20V 830 PF @ 25 V - 2.5W （TA ）、51W（TC）
FQPF1N50 Fairchild Semiconductor FQPF1N50 -
RFQ
 ECAD 1398 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 500 V 900ma 10V 9OHM @ 450MA 、10V 5V @ 250µA 5.5 NC @ 10 V ±30V 150 PF @ 25 V - 16W （TC）
BC32716BU Fairchild Semiconductor BC32716BU 0.0400
RFQ
 ECAD 44 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 625 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 10,000 45 v 800 Ma 100NA PNP 700mv @ 50ma 、500ma 100 @ 100MA、1V 100MHz
FDS9412 Fairchild Semiconductor FDS9412 0.2700
RFQ
 ECAD 116 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 30 V 7.9a（ta） 4.5V 、10V 22mohm @ 7.9a 、10V 2V @ 250µA 22 NC @ 10 V ±20V 830 PF @ 15 V - 2.5W
NDS336P Fairchild Semiconductor NDS336P -
RFQ
 ECAD 8885 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 モスフェット（金属酸化物） SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 20 v 1.2a（ta） 2.7V 、4.5V 200mohm @ 1.3a 、4.5V 1V @ 250µA 8.5 NC @ 4.5 v ±8V 360 PF @ 10 V - 500MW
HUF75337P3 Fairchild Semiconductor HUF75337p3 -
RFQ
 ECAD 2357 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS非準拠 ear99 8541.29.0095 400 nチャネル 55 v 75a（tc） 10V 14mohm @ 75a 、10V 4V @ 250µA 109 NC @ 20 V ±20V 1775 PF @ 25 V - 175W
RFP45N06 Fairchild Semiconductor RFP45N06 0.7300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 400 nチャネル 60 V 45a（tc） 10V 28mohm @ 45a 、10V 4V @ 250µA 150 NC @ 20 V ±20V 2050 PF @ 25 V - 131W
FMS7G20US60S Fairchild Semiconductor FMS7G20US60S 17.3100
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - 箱 廃止 -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント 25 pm-aa 89 W 単相ブリッジ整流器 25 pm-aa ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 30 ブレーキ付きの3相インバーター - 600 V 20 a 2.7V @ 15V 、20a 250 µA はい 1.277 NF @ 30 V
NDP603AL Fairchild Semiconductor NDP603AL 0.3200
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 -65°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS非準拠 ear99 8541.29.0095 45 nチャネル 30 V 25a（tc） 4.5V 、10V 22mohm @ 25a 、10V 3V @ 250µA 40 NC @ 10 V ±20V 1100 PF @ 15 V - 50W （TC）
BDX53BTU Fairchild Semiconductor bdx53btu -
RFQ
 ECAD 1115 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 60 W TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 844 80 v 8 a 500µA npn-ダーリントン 2V @ 12ma、3a 750 @ 3a、3V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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