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トランジスタ（ 3821）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ テスト条件 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 逆回復時間（ trr） IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD （オン/オフ） @ 25°C 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
FGH40T65SPD-F085 Fairchild Semiconductor FGH40T65SPD-F085 2.4800
RFQ
 ECAD 1587 0.00000000 フェアチャイルド半導体 aec-q101 バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-247-3 標準 267 W TO-247 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 400V 、40a 、6ohm15V npt 650 V 80 a 120 a 2.4V @ 15V 、40a 1.16MJ （オン）、270µJ 36 NC 18ns/35ns
FDC6302P Fairchild Semiconductor FDC6302P 0.2800
RFQ
 ECAD 151 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 FDC6302 モスフェット（金属酸化物） 700mw SuperSot™-6 ダウンロード ear99 8541.21.0095 1 2 P-Channel （デュアル） 25V 120ma 10OHM @ 200MA 、4.5V 1.5V @ 250µA 0.31NC @ 4.5V 11pf @ 10V ロジックレベルゲート
FDMS7694 Fairchild Semiconductor FDMS7694 0.3200
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-powertdfn モスフェット（金属酸化物） 8-PQFN ダウンロード ear99 8542.39.0001 943 nチャネル 30 V 13.2a 4.5V 、10V 9.5mohm @ 13.2a 、10V 3V @ 250µA 22 NC @ 10 V ±20V 1410 PF @ 15 V - 2.5W （TA ）、27W （TC）
BD434S Fairchild Semiconductor BD434S 0.3100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-225AA、to-126-3 36 W TO-126-3 ダウンロード ear99 8541.29.0095 972 22 v 4 a 100µA PNP 500MV @ 200MA 、2a 40 @ 10MA 、5V 3MHz
FDN327N Fairchild Semiconductor FDN327N -
RFQ
 ECAD 9268 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 モスフェット（金属酸化物） SOT-23-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 20 v 2a（ta） 1.8V 、4.5V 70mohm @ 2a 、4.5V 1.5V @ 250µA 6.3 NC @ 4.5 v ±8V 423 PF @ 10 V - 500MW
FGA5065ADF Fairchild Semiconductor FGA5065ADF 2.5200
RFQ
 ECAD 325 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 標準 268 W to-3pn ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 400V、50a、6ohm15V 31.8 ns トレンチフィールドストップ 650 V 100 a 150 a 2.2V @ 15V 、50a 1.35mj 72.2 NC 20.8ns/62.4ns
FQPF3N25 Fairchild Semiconductor FQPF3N25 0.4300
RFQ
 ECAD 204 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 250 v 2.3a 10V 2.2OHM @ 1.15A 、10V 5V @ 250µA 5.2 NC @ 10 V ±30V 170 PF @ 25 V - 27W （TC）
KSD526YTU Fairchild Semiconductor KSD526YTU 1.0000
RFQ
 ECAD 7595 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 30 W TO-220-3 ダウンロード 0000.00.0000 1 80 v 4 a 30µa（icbo） npn 1.5V @ 300MA、3a 120 @ 500MA 、5V 8MHz
KSP10TA Fairchild Semiconductor ksp10ta 0.0400
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して to-226-3 350MW to-92-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 7,036 - 25V - npn 60 @ 4MA 、10V 650MHz -
BD438S Fairchild Semiconductor BD438S 0.3100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-225AA、to-126-3 36 W TO-126-3 ダウンロード ear99 8541.29.0095 1,037 45 v 4 a 100µA PNP 600mv @ 200ma 、2a 30 @ 10ma 、5v 3MHz
FCH47N60N Fairchild Semiconductor FCH47N60N 8.7500
RFQ
 ECAD 810 0.00000000 フェアチャイルド半導体 Supremos™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-247-3 モスフェット（金属酸化物） TO-247 ダウンロード ear99 8541.29.0095 35 nチャネル 600 V 47a（tc） 10V 62mohm @ 23.5a 、10V 4V @ 250µA 151 NC @ 10 V ±30V 6700 PF @ 100 V - 368W
FCP130N60 Fairchild Semiconductor FCP130N60 2.8900
RFQ
 ECAD 127 0.00000000 フェアチャイルド半導体 superfet®ii バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 127 nチャネル 600 V 28a（tc） 10V 130mohm @ 14a 、10V 3.5V @ 250µA 70 NC @ 10 V ±20V 3590 PF @ 380 v - 278W （TC）
FDP8030L Fairchild Semiconductor FDP8030L 4.7200
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -65°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 30 V 80a（ta） 4.5V 、10V 3.5mohm @ 80a 、10V 2V @ 250µA 170 NC @ 5 V ±20V 10500 PF @ 15 V - 187W
FDD8451 Fairchild Semiconductor FDD8451 0.3600
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ear99 8542.39.0001 830 nチャネル 40 v 9a（タタ28a（tc） 4.5V 、10V 24mohm @ 9a 、10V 3V @ 250µA 20 NC @ 10 V ±20V 990 PF @ 20 V - 30W （TC）
FQA27N25 Fairchild Semiconductor FQA27N25 1.5900
RFQ
 ECAD 712 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 モスフェット（金属酸化物） to-3pn ダウンロード ear99 8542.39.0001 189 nチャネル 250 v 27a（tc） 10V 110mohm @ 13.5a 、10V 5V @ 250µA 65 NC @ 10 V ±30V 2450 PF @ 25 V - 210W
FDS4935BZ Fairchild Semiconductor FDS4935bz -
RFQ
 ECAD 9371 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） FDS49 モスフェット（金属酸化物） 900MW 8-SOIC ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 2 P-Channel （デュアル） 30V 6.9a（ta） 22mohm @ 6.9a 、10V 3V @ 250µA 40NC @ 10V 1360pf @ 15V -
FDMA530PZ Fairchild Semiconductor FDMA530PZ -
RFQ
 ECAD 5634 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 6-wdfn露出パッド モスフェット（金属酸化物） 6- マイクロフェット（2x2） ダウンロード ear99 8542.39.0001 418 pチャネル 30 V 6.8a（ta） 4.5V 、10V 35mohm @ 6.8a 、10V 3V @ 250µA 24 NC @ 10 V ±25V 1070 PF @ 15 V - 2.4W
FDU6N50TU Fairchild Semiconductor fdu6n50tu 0.4100
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 フェアチャイルド半導体 unifet™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して to-251-3 モスフェット（金属酸化物） i-pak ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 500 V 6a（tc） 10V 900mohm @ 3a、10V 5V @ 250µA 16.6 NC @ 10 V ±30V 940 PF @ 25 V - 89W
NZT753 Fairchild Semiconductor NZT753 0.3900
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-261-4、TO-261AA 1.2 w SOT-223-4 ダウンロード ear99 8542.39.0001 800 100 V 4 a 100na（icbo） PNP 300MV @ 50MA、1a 100 @ 500MA 、2V 75MHz
FDC8886 Fairchild Semiconductor FDC8886 0.2000
RFQ
 ECAD 184 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 モスフェット（金属酸化物） SuperSot™-6 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1,500 nチャネル 30 V 6.5a 4.5V 、10V 23mohm @ 6.5a 、10V 3V @ 250µA 7.4 NC @ 10 V ±20V 465 PF @ 15 V - 1.6W
FDMS3610S Fairchild Semiconductor FDMS3610S -
RFQ
 ECAD 3566 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-powertdfn FDMS3610 モスフェット（金属酸化物） 1W Power56 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 2 n チャネル（デュアル）非対称 25V 17.5a 、30a 5mohm @ 17.5a 、10V 2V @ 250µA 26NC @ 10V 1570pf @ 13V ロジックレベルゲート
FDB0250N807L Fairchild Semiconductor FDB0250N807L 1.0000
RFQ
 ECAD 9916 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-263-7 モスフェット（金属酸化物） TO-263-7 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 80 v 240a 8V 、10V 2.2mohm @ 30a 、10V 4V @ 250µA 200 NC @ 10 V ±20V 15400 PF @ 40 V - 3.8W
FDMS3615S Fairchild Semiconductor FDMS3615S -
RFQ
 ECAD 7214 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-powertdfn FDMS3615 モスフェット（金属酸化物） 1W 8-PQFN ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 2 n チャネル（デュアル）非対称 25V 16a、18a 5.8mohm @ 16a 、10V 2.5V @ 250µA 27NC @ 10V 1765pf @ 13V ロジックレベルゲート
FGH40N60UFTU Fairchild Semiconductor FGH40N60UFTU -
RFQ
 ECAD 1849 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-247-3 標準 290 w TO-247 ダウンロード ear99 8541.29.0095 1 400V 、40a 、10ohm15V フィールドストップ 600 V 80 a 120 a 2.4V @ 15V 、40a 1.19mj 120 NC 24ns/112ns
FGH30T65UPDT_F155 Fairchild Semiconductor FGH30T65UPDT_F155 -
RFQ
 ECAD 1617 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-247-3 標準 250 W TO-247-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 400V 、30A 、8OHM15V 33 ns トレンチフィールドストップ 650 V 60 a 90 a 2.3V @ 15V 、30a 760µJ （400µj （オフ） 155 NC 22ns/139ns
2N7002W Fairchild Semiconductor 2N7002W 1.0000
RFQ
 ECAD 6836 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント SC-70、SOT-323 2N7002 モスフェット（金属酸化物） SC-70-3 ダウンロード ear99 8541.21.0095 1 nチャネル 60 V 115ma（ta） 5V、10V 7.5OHM @ 50MA 、5V 2V @ 250µA ±20V 50 pf @ 25 V - 200MW
BC548CTA Fairchild Semiconductor BC548CTA 0.0400
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して to-226-3 500 MW to-92-3 ダウンロード ear99 8541.21.0075 8,266 30 V 100 Ma 15NA npn 600MV @ 5MA 、100mA 420 @ 2MA 、5V 300MHz
FCH130N60 Fairchild Semiconductor FCH130N60 2.3700
RFQ
 ECAD 144 0.00000000 フェアチャイルド半導体 superfet®ii バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-247-3 モスフェット（金属酸化物） TO-247 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 600 V 28a（tc） 10V 130mohm @ 14a 、10V 3.5V @ 250µA 70 NC @ 10 V ±20V 3590 PF @ 380 v - 278W （TC）
FCH190N65F-F155 Fairchild Semiconductor FCH190N65F-F155 3.3400
RFQ
 ECAD 4300 0.00000000 フェアチャイルド半導体 FRFET®、Superfet®ii バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-247-3 モスフェット（金属酸化物） TO-247-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 66 nチャネル 650 V 20.6a（tc） 10V 190mohm @ 10a 、10V 5V @ 2MA 78 NC @ 10 V ±20V 3225 PF @ 100 V - 208W
FCI25N60N-F102 Fairchild Semiconductor FCI25N60N-F102 -
RFQ
 ECAD 8999 0.00000000 フェアチャイルド半導体 Supremos™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して To-262-3 Long Leads モスフェット（金属酸化物） i2pak（to-262） ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 600 V 25a（tc） 10V 125mohm @ 12.5a 、10V 4V @ 250µA 74 NC @ 10 V ±30V 3352 PF @ 100 V - 216W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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