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トランジスタ（ 3821）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ テスト条件 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 逆回復時間（ trr） IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD （オン/オフ） @ 25°C 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
PZTA56 Fairchild Semiconductor PZTA56 -
RFQ
 ECAD 7268 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-261-4、TO-261AA 1 W SOT-223-4 - 2156-PZTA56 1 80 v 500 Ma 100NA PNP 250MV @ 10MA 、100mA 100 @ 100MA、1V 50MHz
HUF75332P3 Fairchild Semiconductor HUF75332p3 -
RFQ
 ECAD 4297 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-HUF75332P3-600039 1 nチャネル 55 v 60a（tc） 10V 19mohm @ 60a 、10v 4V @ 250µA 85 NC @ 20 V ±20V 1300 PF @ 25 V - 145W
KSC3265YMTF Fairchild Semiconductor ksc3265ymtf -
RFQ
 ECAD 4202 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 200 MW SOT-23-3 - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-ksc3265ymtf-600039 1 25 v 800 Ma 100NA npn 400mv @ 20ma 、500ma 100 @ 100MA、1V 120MHz
FJP5027RTU Fairchild Semiconductor FJP5027RTU -
RFQ
 ECAD 2330 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 TO-220-3 - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-FJP5027RTU-600039 1 10µa（icbo） npn 2V @ 300MA 、1.5a 10 @ 200ma 、5v 15MHz
NSVF6003SB6T1G Fairchild Semiconductor NSVF6003SB6T1G -
RFQ
 ECAD 2058 0.00000000 フェアチャイルド半導体 aec-q101 バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 800mw 6 cph - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-NSVF6003SB6T1G-600039 1 9db 12V 150ma npn 100 @ 50ma 、5v 7GHz 3DB @ 1GHz
IRLM120ATF Fairchild Semiconductor IRLM120ATF -
RFQ
 ECAD 3206 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント TO-261-4、TO-261AA モスフェット（金属酸化物） SOT-223-4 - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-IRLM120ATF-600039 1 nチャネル 100 V 2.3a 5V 220mohm @ 1.15a 、5v 2V @ 250µA 15 NC @ 5 V ±20V 440 PF @ 25 V - 2.7W
FDB8442-F085 Fairchild Semiconductor FDB8442-F085 -
RFQ
 ECAD 5463 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-FDB8442-F085-600039 1 nチャネル 40 v 28a（タタ）、 80a（tc） 10V 2.9mohm @ 80a 、10V 4V @ 250µA 235 NC @ 10 V ±20V 12200 PF @ 25 V - 254W
MJD350TF Fairchild Semiconductor MJD350TF -
RFQ
 ECAD 9699 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -65°C〜150°C 表面マウント to-252-3 1.56 w DPAK-3 - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-MJD350TF-600039 1 300 V 500 Ma 100µA PNP 1V @ 10MA 、100mA 30 @ 50ma 、10V 10MHz
NZT6715 Fairchild Semiconductor NZT6715 -
RFQ
 ECAD 3259 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント TO-261-4、TO-261AA 1 W SOT-223-4 - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-NZT6715-600039 1 40 v 1.5 a 100na（icbo） npn 500MV @ 100MA、1a 60 @ 100MA、1V -
MMBT3906T Fairchild Semiconductor MMBT3906T -
RFQ
 ECAD 2232 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 表面マウント SC-89 、SOT-490 250 MW SOT-523F - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-MMBT3906T-600039 1 40 v 200 ma 50NA PNP 400mv @ 5ma 、50ma 100 @ 10ma、1V 250MHz
FDPF9N50NZ Fairchild Semiconductor FDPF9N50NZ -
RFQ
 ECAD 2422 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220-3フルパック/TO-220F-3SG - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-FDPF9N50NZ-600039 1 nチャネル 500 V 9a（tc） 10V 800mohm @ 4.5a 、10V 4V @ 250µA 35 NC @ 10 V ±30V 1030 PF @ 25 V - 44W
30A02MH-TL-H Fairchild Semiconductor 30A02MH-TL-H -
RFQ
 ECAD 7539 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 3-SMD 、フラットリード 600 MW 3 MCPH - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-30A02MH-TL-H-600039 1 30 V 700 Ma 100NA PNP 220MV @ 10MA、200mA 200 @ 10MA 、2V 520MHz
RFP50N06 Fairchild Semiconductor RFP50N06 -
RFQ
 ECAD 6246 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-RFP50N06-600039 1 nチャネル 60 V 50a（tc） 10V 22mohm @ 50a 、10V 4V @ 250µA 150 NC @ 20 V ±20V 2020 PF @ 25 V - 131W
MMBT6515 Fairchild Semiconductor MMBT6515 -
RFQ
 ECAD 1506 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 350 MW SOT-23-3 - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-MMBT6515-600039 1 25 v 200 ma 50na（icbo） npn 500MV @ 5MA 、50ma 250 @ 2MA 、10V -
HGTG40N60C3 Fairchild Semiconductor HGTG40N60C3 -
RFQ
 ECAD 7264 0.00000000 フェアチャイルド半導体 UFS バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-247-3 標準 291 w TO-247 - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-HGTG40N60C3-600039 1 480V 、40A、3OHM、15V - 600 V 75 a 300 a 1.8V @ 15V 、40a 850MJ 395 NC 47ns/185ns
2SA1708T-AN Fairchild Semiconductor 2SA1708T-AN -
RFQ
 ECAD 8379 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して SC-71 1 W 3-NMP - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-2SA1708T-AN-600039 1 100 V 1 a 100NA PNP 600mv @ 40ma 、400ma 200 @ 100MA 、5V 120MHz
MMBT200 Fairchild Semiconductor MMBT200 -
RFQ
 ECAD 9440 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 350 MW SOT-23-3 - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-MMBT200-600039 1 45 v 500 Ma 50NA PNP 400MV @ 20MA 、200mA 100 @ 150ma 、5v 250MHz
HGTG7N60A4D Fairchild Semiconductor HGTG7N60A4D -
RFQ
 ECAD 3040 0.00000000 フェアチャイルド半導体 SMPS バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-247-3 標準 125 w TO-247-3 - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-HGTG7N60A4D-600039 1 390V 、7a、25OHM、15V 34 ns - 600 V 34 a 56 a 2.7V @ 15V 、7a 55µj（on 60µj （オフ） 37 NC 11ns/100ns
ISL9N306AP3 Fairchild Semiconductor ISL9N306AP3 0.7500
RFQ
 ECAD 55 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet® バルク 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 30 V 75a（tc） 4.5V 、10V 6mohm @ 75a 、10V 3V @ 250µA 90 NC @ 10 V ±20V 3400 PF @ 15 V - 125W （TA
ISL9N308AP3 Fairchild Semiconductor ISL9N308AP3 0.8100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet® バルク 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 30 V 75a（tc） 4.5V 、10V 8ohm @ 75a 、10V 3V @ 250µA 68 NC @ 10 V ±20V 2600 PF @ 15 V - 100W （TC）
ISL9N312AD3ST Fairchild Semiconductor ISL9N312AD3ST 0.2900
RFQ
 ECAD 138 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ バルク 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252AA ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 30 V 50a（tc） 4.5V 、10V 12mohm @ 50a 、10V 3V @ 250µA 38 NC @ 10 V ±20V 1450 PF @ 15 V - 75W
ISL9N307AS3ST Fairchild Semiconductor ISL9N307AS3ST -
RFQ
 ECAD 2686 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet® バルク 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 67 nチャネル 30 V 75a（tc） 4.5V 、10V 7mohm @ 75a 、10V 3V @ 250µA 75 NC @ 10 V ±20V 3000 pf @ 15 v - 100W
ISL9N310AD3ST Fairchild Semiconductor ISL9N310AD3ST -
RFQ
 ECAD 4782 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet® バルク 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 995 nチャネル 30 V 35a（tc） 4.5V 、10V 10ohm @ 35a 、10a 3V @ 250µA 48 NC @ 10 V ±20V 1800 pf @ 15 V - 70W
ISL9N322AP3 Fairchild Semiconductor ISL9N322AP3 0.2400
RFQ
 ECAD 156 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 30 V 35a（tc） 4.5V 、10V 22mohm @ 35a 、10V 3V @ 250µA 27 NC @ 10 V ±20V 970 PF @ 15 V - 50W
FDB7045L Fairchild Semiconductor FDB7045L 4.0500
RFQ
 ECAD 120 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 30 V 100A （TJ） 4.5V 、10V 4.5mohm @ 50a 、10V 3V @ 250µA 58 NC @ 5 V ±20V 4357 PF @ 15 V - 107w
FQB12N60TM Fairchild Semiconductor FQB12N60TM 1.3900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 217 nチャネル 600 V 10.5a 10V 700mohm @ 5.3a 、10V 5V @ 250µA 54 NC @ 10 V ±30V 1900 pf @ 25 v - 3.13W （TA ）、 180W （TC
FQB7N80TM Fairchild Semiconductor FQB7N80TM -
RFQ
 ECAD 6350 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 188 nチャネル 800 V 6.6a（tc） 10V 1.5OHM @ 3.3A 、10V 5V @ 250µA 52 NC @ 10 V ±30V 1850 pf @ 25 v - 3.13W （TA ）、167W （TC）
FDC6308P Fairchild Semiconductor FDC6308P 0.5300
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 FDC6308 - 700MW SuperSot™-6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.21.0095 3,000 2 P-Channel （デュアル） 20V 1.7a（ta） 180mohm @ 1.7a 、4.5V 1.5V @ 250µA 5NC @ 4.5V 265pf @ 10V -
FQD6N60CTF Fairchild Semiconductor fqd6n60ctf -
RFQ
 ECAD 5291 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 600 V 4a（tc） 10V 2OHM @ 2A 、10V 4V @ 250µA 20 NC @ 10 V ±30V 810 pf @ 25 V - 80W
FDB5680 Fairchild Semiconductor FDB5680 1.7400
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -65°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 60 V 40a（tc） 6V 、10V 20mohm @ 20a 、10V 4V @ 250µA 46 NC @ 10 V ±20V 1850 pf @ 25 v - 65W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

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    世界的なメーカー

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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