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トランジスタ（ 3821）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ テスト条件 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 逆回復時間（ trr） IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD （オン/オフ） @ 25°C 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移
FGA6540WDF Fairchild Semiconductor FGA6540WDF 1.0000
RFQ
 ECAD 9494 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 標準 238 w to-3pn ダウンロード ear99 8541.29.0095 1 400V 、40a 、6ohm15V 101 ns トレンチフィールドストップ 650 V 80 a 120 a 2.3V @ 15V 、40a 1.37MJ （オン）、250µJ 55.5 NC 16.8ns/54.4ns
FCP13N60N Fairchild Semiconductor FCP13N60N 2.5900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 フェアチャイルド半導体 Supremos™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 116 nチャネル 600 V 13a（tc） 10V 258mohm @ 6.5a 、10V 4V @ 250µA 39.5 NC @ 10 V ±30V 1765 PF @ 100 V - 116W
FDP6030BL Fairchild Semiconductor FDP6030BL 0.6300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -65°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 FDP60 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 30 V 40a（tc） 4.5V 、10V 18mohm @ 20a 、10v 3V @ 250µA 17 NC @ 5 V ±20V 1160 PF @ 15 V - 60W （TC）
FJE5304DTU Fairchild Semiconductor FJE5304DTU -
RFQ
 ECAD 1613 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ - 穴を通して TO-225AA、to-126-3 30 W TO-126-3 ダウンロード 0000.00.0000 1 400 V 4 a 100µA npn 1.5V @ 500MA 、2.5a 8 @ 2a 、5V -
FCH077N65F-F155 Fairchild Semiconductor FCH077N65F-F155 6.0400
RFQ
 ECAD 66 0.00000000 フェアチャイルド半導体 FRFET®、Superfet®ii バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-247-3 モスフェット（金属酸化物） TO-247-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 66 nチャネル 650 V 54a（tc） 10V 77mohm @ 27a 、10V 5V @ 5.4MA 164 NC @ 10 V ±20V 7109 PF @ 100 V - 481W
BSR18A Fairchild Semiconductor BSR18A -
RFQ
 ECAD 7229 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 350 MW SOT-23-3 ダウンロード ear99 8541.21.0075 1 40 v 200 ma 50na（icbo） PNP 400mv @ 5ma 、50ma 100 @ 10ma、1V 250MHz
FQU2N60CTU Fairchild Semiconductor fqu2n60ctu -
RFQ
 ECAD 5779 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して to-251-3 モスフェット（金属酸化物） i-pak ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 600 V 1.9a（tc） 10V 4.7OHM @ 950MA 、10V 4V @ 250µA 12 NC @ 10 V ±30V 235 pf @ 25 v - 2.5W （TA ）、44W（TC）
KSD5041RTA Fairchild Semiconductor KSD5041RTA 0.1300
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して to-226-3 750 MW to-92-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 2,274 20 v 5 a 100na（icbo） npn 1V @ 100MA、3a 340 @ 500MA 、2V 150MHz
FDPF8N50NZU Fairchild Semiconductor FDPF8N50NZU 1.0500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 フェアチャイルド半導体 unifet-ii™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 287 nチャネル 500 V 6.5a（tc） 10V 1.2OHM @ 4A 、10V 5V @ 250µA 18 NC @ 10 V ±25V 735 PF @ 25 V - 40W （TC）
IRF530A Fairchild Semiconductor IRF530A 0.6300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 100 V 14a（tc） 10V 110mohm @ 7a 、10V 4V @ 250µA 36 NC @ 10 V - 790 PF @ 25 V - 55W （TC）
FGB20N60SF Fairchild Semiconductor FGB20N60SF 1.8000
RFQ
 ECAD 726 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-263-3 標準 208 w d2pak（to-263） ダウンロード ear99 8541.29.0095 167 400V 、20a 、10ohm15V フィールドストップ 600 V 40 a 60 a 2.8V @ 15V 、20A 370µj（on 160µj （オフ） 65 NC 13ns/90ns
FDD3706 Fairchild Semiconductor FDD3706 0.6000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード 0000.00.0000 500 nチャネル 20 v 14.7a 2.5V 、10V 9mohm @ 16.2a 、10V 1.5V @ 250µA 23 NC @ 4.5 v ±12V 1882 pf @ 10 v - 3.8W （TA ）、44W（TC）
FQB6N40CTM Fairchild Semiconductor fqb6n40ctm 0.8100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） - 0000.00.0000 1 nチャネル 400 V 6a（tc） 10V 1OHM @ 3A 、10V 4V @ 250µA 20 NC @ 10 V ±30V 625 PF @ 25 V - 73W
FCP380N60E Fairchild Semiconductor FCP380N60E 1.3000
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 フェアチャイルド半導体 superfet®ii バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ear99 8541.29.0095 231 nチャネル 600 V 10.2a 10V 380mohm @ 5a、10V 3.5V @ 250µA 45 NC @ 10 V ±20V 1770 PF @ 25 V - 106W
FDD5670 Fairchild Semiconductor FDD5670 -
RFQ
 ECAD 5823 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 60 V 52a（ta） 6V 、10V 15mohm @ 10a 、10V 4V @ 250µA 73 NC @ 10 V ±20V 2739 PF @ 15 V - 3.8W（タタ）、 83W （TC
FDD8874 Fairchild Semiconductor FDD8874 0.6600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 30 V 18a（ta ）、116a（tc） 4.5V 、10V 5.1mohm @ 35a 、10V 2.5V @ 250µA 72 NC @ 10 V ±20V 2990 PF @ 15 V - 110W
FDMC7200S Fairchild Semiconductor FDMC7200S 1.0000
RFQ
 ECAD 3898 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-POWERWDFN FDMC72 モスフェット（金属酸化物） 700MW、1W 8-POWER33 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 2 nチャンネル（デュアル） 30V 7a、13a 22mohm @ 6a 、10V 3V @ 250µA 10NC @ 10V 660pf @ 15V ロジックレベルゲート
FQP44N10 Fairchild Semiconductor FQP44N10 -
RFQ
 ECAD 6890 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 100 V 43.5a 10V 39mohm @ 21.75a 、10V 4V @ 250µA 62 NC @ 10 V ±25V 1800 pf @ 25 v - 146W
HUF75639S3ST Fairchild Semiconductor HUF75639S3ST 1.2800
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ear99 8541.29.0095 235 nチャネル 100 V 56a（tc） 10V 25mohm @ 56a 、10V 4V @ 250µA 130 NC @ 20 V ±20V 2000 PF @ 25 V - 200W （TC）
HUF76407D3ST Fairchild Semiconductor huf76407d3st -
RFQ
 ECAD 2034 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 60 V 12a（tc） 4.5V 、10V 92mohm @ 13a 、10V 3V @ 250µA 11.3 NC @ 10 V ±16V 350 PF @ 25 V - 38W
FDH210N08 Fairchild Semiconductor FDH210N08 -
RFQ
 ECAD 5855 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-247-3 モスフェット（金属酸化物） TO-247 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 75 v - 10V - - ±20V - 462W
FDME820NZT Fairchild Semiconductor FDME820NZT 0.3900
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 6-powerufdfn モスフェット（金属酸化物） マイクロフェット1.6x1.6薄い ダウンロード ear99 8542.39.0001 760 nチャネル 20 v 9a（ta） 1.8V 、4.5V 18mohm @ 9a 、4.5v 1V @ 250µA 8.5 NC @ 4.5 v ±12V 865 PF @ 10 V - 2.1W
FDB024N04AL7 Fairchild Semiconductor FDB024N04AL7 2.8700
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-7 モスフェット（金属酸化物） TO-263-7 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 40 v 100a（tc） 10V 2.4mohm @ 80a 、10V 3V @ 250µA 109 NC @ 10 V ±20V 7300 PF @ 25 V - 214W
FDMS0312S Fairchild Semiconductor FDMS0312S 0.2300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 フェアチャイルド半導体 Powertrench®、Syncfet™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-powertdfn モスフェット（金属酸化物） 8-PQFN ダウンロード ear99 8542.39.0001 1,398 nチャネル 30 V 19a（タタ）、42a（tc） 4.5V 、10V 4.9mohm @ 18a 、10V 3V @ 1MA 46 NC @ 10 V ±20V 2820 PF @ 15 V - 2.5W
NSBC114YDXV6T1G Fairchild Semiconductor NSBC114YDXV6T1G 0.0800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ ダウンロード ear99 8542.39.0001 1
FDP12N50NZ Fairchild Semiconductor FDP12N50NZ -
RFQ
 ECAD 9483 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 500 V 11.5a 10V 520MOHM @ 5.75A 、10V 5V @ 250µA 30 NC @ 10 V ±25V 1235 PF @ 25 V - 170W
FGH40N65UFDTU-F085 Fairchild Semiconductor FGH40N65UFDTU-F085 -
RFQ
 ECAD 1254 0.00000000 フェアチャイルド半導体 aec-q101 バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-247-3 標準 290 w TO-247 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 400V 、40a 、10ohm15V 65 ns フィールドストップ 650 V 80 a 120 a 2.4V @ 15V 、40a 1.28MJ 119 NC 23ns/126ns
FDB13AN06A0 Fairchild Semiconductor FDB13AN06A0 -
RFQ
 ECAD 8081 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード 0000.00.0000 1 nチャネル 60 V 10.9a 6V 、10V 13.5mohm @ 62a 、10V 4V @ 250µA 29 NC @ 10 V ±20V 1350 PF @ 25 V - 115W
FDD5N50NZFTM Fairchild Semiconductor fdd5n50nzftm -
RFQ
 ECAD 3985 0.00000000 フェアチャイルド半導体 unifet-ii™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 500 V 3.7a（tc） 10V 1.75OHM @ 1.85A 、10V 5V @ 250µA 12 NC @ 10 V ±25V 485 PF @ 25 V - 62.5W
FDMS3600S Fairchild Semiconductor FDMS3600S -
RFQ
 ECAD 6104 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-powertdfn FDMS3600 モスフェット（金属酸化物） 2.2W 8-PQFN ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 2 n チャネル（デュアル）非対称 25V 15a（ta ）、 30a 5.6mohm @ 15a、10V 2.7V @ 250µA、3V @ 1MA 27NC @ 10V、82NC @ 10V 1680pf @ 13V 、5375pf @ 13V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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