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トランジスタ（ 3821）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します ECCN htsus 標準パッケージ フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移
BD681STU Fairchild Semiconductor bd681stu -
RFQ
 ECAD 9620 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-225AA、to-126-3 BD681 40 W TO-126-3 - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 1 100 V 4 a 500µA npn-ダーリントン 2.5V @ 30MA 、1.5a 750 @ 1.5a、3V -
FDG314P Fairchild Semiconductor FDG314P 0.1000
RFQ
 ECAD 335 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 モスフェット（金属酸化物） SC-88 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 25 v 650ma（ta） 2.7V 、4.5V 1.1OHM @ 500MA 、4.5V 1.5V @ 250µA 1.5 NC @ 4.5 v ±8V 63 PF @ 10 V - 750MW
KSC1009YTA Fairchild Semiconductor ksc1009yta -
RFQ
 ECAD 1818年 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して to-226-3 KSC1009 800 MW to-92-3 - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 1 140 v 700 Ma 100na（icbo） npn 700MV @ 20MA 、200mA 120 @ 50MA 、2V 50MHz
FCPF380N60-F152 Fairchild Semiconductor FCPF380N60-F152 0.9600
RFQ
 ECAD 476 0.00000000 フェアチャイルド半導体 superfet®ii バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック FCPF380 モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 0000.00.0000 1 nチャネル 600 V 10.2a 10V 380mohm @ 5a、10V 3.5V @ 250µA 40 NC @ 10 V ±20V 1665 PF @ 25 V - 31W （TC）
KSA1156OSTSTU Fairchild Semiconductor ksa1156oststu 0.1800
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-225AA、to-126-3 KSA1156 1 W TO-126-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 1 400 V 500 Ma 100µa（icbo） PNP 1V @ 10MA 、100mA 60 @ 100MA 、5V -
FDD850N10LD Fairchild Semiconductor FDD850N10LD -
RFQ
 ECAD 7269 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-252-5 モスフェット（金属酸化物） TO-252-4 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 0000.00.0000 2,500 nチャネル 100 V 15.3a 75mohm @ 12a 、10V 2.5V @ 250µA 28.9 NC @ 10 V ±20V 1465 PF @ 25 V - 42W
HUF76423D3 Fairchild Semiconductor HUF76423D3 0.4100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して to-251-3 モスフェット（金属酸化物） i-pak ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,800 nチャネル 60 V 20a（tc） 4.5V 、10V 32mohm @ 20a 、10V 3V @ 250µA 34 NC @ 10 V ±16V 1060 PF @ 25 V - 85W
FDH50N50_F133 Fairchild Semiconductor FDH50N50_F133 -
RFQ
 ECAD 7819 0.00000000 フェアチャイルド半導体 unifet™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-247-3 モスフェット（金属酸化物） TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 500 V 48a 105mohm @ 24a 、10V 5V @ 250µA 137 NC @ 10 V ±20V 6460 PF @ 25 V - 625W （TC）
FOD817X_5700W Fairchild Semiconductor FOD817X_5700W -
RFQ
 ECAD 1319 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー 1
ZTX614 Fairchild Semiconductor ZTX614 -
RFQ
 ECAD 3011 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 1 W TO-226 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 378 100 V 800 Ma 100na（icbo） npn-ダーリントン 1.25V @ 8MA 、800MA 10000 @ 500MA 、5V -
FDMS8020 Fairchild Semiconductor FDMS8020 1.0000
RFQ
 ECAD 6840 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-powertdfn モスフェット（金属酸化物） 8-PQFN ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 30 V 26a（ta ）、42a（tc） 4.5V 、10V 2.5mohm @ 26a 、10V 3V @ 250µA 61 NC @ 10 V ±20V 3800 PF @ 15 V - 2.5W （TA ）、65W（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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