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トランジスタ（ 3821）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ テスト条件 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD （オン/オフ） @ 25°C 電圧 -破壊（ V 現在の - ドレイン（IDSS @ vds（vgs = 0） 電圧-Cutoff（ VGSオフ） @ id 現在 -コレクターカットオフ（最大） 抵抗-RDS （オン） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移
FDS86540 Fairchild Semiconductor FDS86540 2.8400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SOIC ダウンロード ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 60 V 18a（ta） 8V 、10V 4.5mohm @ 18a 、10V 4V @ 250µA 90 NC @ 10 V ±20V 6410 PF @ 30 V - 2.5W
FQU5N60CTU Fairchild Semiconductor fqu5n60ctu 0.4300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して to-251-3 モスフェット（金属酸化物） i-pak ダウンロード ear99 8542.39.0001 695 nチャネル 600 V 2.8a（tc） 10V 2.5OHM @ 1.4A 、10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 V ±30V 670 PF @ 25 V - 2.5W
FDD6530A Fairchild Semiconductor FDD6530A 1.0000
RFQ
 ECAD 9011 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 20 v 21a（ta） 2.5V 、4.5V 32mohm @ 8a 、4.5V 1.2V @ 250µA 9 NC @ 4.5 v ±8V 710 pf @ 10 v - 3.3W （TA ）、 33W （TC）
FDMS3622S Fairchild Semiconductor FDMS3622S -
RFQ
 ECAD 2375 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-powertdfn FDMS3622 モスフェット（金属酸化物） 1W Power56 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 2 n チャネル（デュアル）非対称 25V 17.5a、34a 5mohm @ 17.5a 、10V 2V @ 250µA 26NC @ 10V 1570pf @ 13V ロジックレベルゲート
FDZ1827NZ Fairchild Semiconductor FDZ1827NZ 0.1200
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 6-XFBGA 、WLCSP FDZ1827 モスフェット（金属酸化物） 2W （TA） 6-wlcsp（1.3x2.3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 2 nチャネル（デュアル）共通ドレイン 20V 10a（ta） 13mohm @ 1a 、4.5V 1.2V @ 250µA 24NC @ 10V 2055pf @ 10V -
FDMS5362LF085 Fairchild Semiconductor FDMS5362LF085 -
RFQ
 ECAD 7713 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント 8-powertdfn モスフェット（金属酸化物） 8-PQFN ダウンロード ear99 8542.29.0095 526 nチャネル 60 V 17.6a 4.5V 、10V 33mohm @ 17.6a 、10V 3V @ 250µA 21 NC @ 10 V ±20V 878 PF @ 25 V - 41.7W （TJ）
FDMS3669S Fairchild Semiconductor FDMS3669S 0.8500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-powertdfn FDMS3669 モスフェット（金属酸化物） 1W （TA ）、2.2W 8-PQFN ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 352 2 n チャネル（デュアル）非対称 30V 13a（タタ24a（tc 10mohm @ 13a 2.7V @ 250µA、2.5V @ 1MA 24NC @ 10V 、34NC @ 10V 1605pf @ 15V 、2060pf @ 15V ロジックレベルゲート
HUF75321P3 Fairchild Semiconductor HUF75321p3 0.6400
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 468 nチャネル 55 v 35a（tc） 10V 34mohm @ 35a 、10V 4V @ 250µA 44 NC @ 20 V ±20V 680 PF @ 25 V - 93W
PZTA64 Fairchild Semiconductor PZTA64 0.1500
RFQ
 ECAD 76 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-261-4、TO-261AA 1 W SOT-223-4 ダウンロード ear99 8541.29.0075 1,994 30 V 1.2 a 100na（icbo） pnp-ダーリントン 1.5V @ 100µA 、100mA 20000 @ 100MA 、5V 125MHz
SS8050DBU Fairchild Semiconductor SS8050DBU 0.1000
RFQ
 ECAD 313 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 1 W to-92-3 ダウンロード ear99 8541.29.0075 2,929 25 v 1.5 a 100na（icbo） npn 500mv @ 80ma 、800ma 160 @ 100MA、1V 100MHz
FCH76N60NF Fairchild Semiconductor FCH76N60NF 12.8900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 Supremos™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-247-3 モスフェット（金属酸化物） TO-247 ダウンロード ear99 8541.29.0095 24 nチャネル 600 V 72.8a 10V 38mohm @ 38a 、10V 5V @ 250µA 300 NC @ 10 V ±30V 11045 PF @ 100 V - 543W （TC）
2N3904TAR Fairchild Semiconductor 2N3904TAR -
RFQ
 ECAD 2085 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して to-226-3 625 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 1 40 v 200 ma 50NA npn 300mv @ 5ma 、50ma 100 @ 10ma、1V 300MHz
FDP8860 Fairchild Semiconductor FDP8860 1.2600
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ear99 8541.29.0095 238 nチャネル 30 V 80a（tc） 4.5V 、10V 2.5mohm @ 80a 、10V 2.5V @ 250µA 222 NC @ 10 V ±20V 12240 PF @ 15 V - 254W
J112-D27Z Fairchild Semiconductor J112-D27Z -
RFQ
 ECAD 1960年 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して to-226-3 625 MW to-92-3 ダウンロード 0000.00.0000 1 nチャネル - 35 v 5 ma @ 15 v 1 V @ 1 µa 50オーム
FDPC1002S Fairchild Semiconductor FDPC1002S 0.3900
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-POWERWDFN FDPC1 モスフェット（金属酸化物） 1.6W PowerClip-33 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 2 nチャンネル（デュアル） 25V 13a（タタ20a（tc 6mohm @ 13a、10v 2.2V @ 250µA、2.2V @ 1MA 19NC @ 10V 、64NC @ 10V 1240pf @ 13v、4335pf @ 13V -
FGA30S120P Fairchild Semiconductor FGA30S120P -
RFQ
 ECAD 8010 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 FGA30S120 標準 348 W to-3pn ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 - トレンチフィールドストップ 1300 v 60 a 150 a 2.3V @ 15V 、30a - 78 NC -
FJP5304DTU Fairchild Semiconductor FJP5304DTU 1.0000
RFQ
 ECAD 9133 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ - 穴を通して TO-220-3 70 W TO-220-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 400 V 4 a 250ma npn 1.5V @ 500MA 、2.5a 8 @ 2a 、5V -
KSB1151YSTU Fairchild Semiconductor KSB1151YSTU 0.3900
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-225AA、to-126-3 1.3 w TO-126-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 831 60 V 5 a 10µa（icbo） PNP 300MV @ 200MA 、2a 160 @ 2a、1V -
FDD6688 Fairchild Semiconductor FDD6688 1.1100
RFQ
 ECAD 149 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 30 V 84a（ta） 4.5V 、10V 5mohm @ 18a 、10V 3V @ 250µA 56 NC @ 10 V ±20V 3845 PF @ 15 V - 83W
FDS6682 Fairchild Semiconductor FDS6682 -
RFQ
 ECAD 4662 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SOIC ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 30 V 14a（ta） 4.5V 、10V 7.5mohm @ 14a 、10V 3V @ 250µA 31 NC @ 5 V ±20V 2310 pf @ 15 v - 1W
FDN352AP Fairchild Semiconductor FDN352AP 1.0000
RFQ
 ECAD 6950 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 FDN352 モスフェット（金属酸化物） SOT-23-3 ダウンロード ear99 8541.21.0095 1 pチャネル 30 V 1.3a（ta） 4.5V 、10V 180mohm @ 1.3a 、10V 2.5V @ 250µA 1.9 NC @ 4.5 v ±25V 150 pf @ 15 V - 500MW
FDMS8023S Fairchild Semiconductor FDMS8023S 0.6200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 Powertrench®、Syncfet™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-powertdfn モスフェット（金属酸化物） 8-PQFN ダウンロード ear99 8542.39.0001 483 nチャネル 30 V 26a（タタ）、49a（tc） 4.5V 、10V 2.4mohm @ 26a 、10V 3V @ 1MA 57 NC @ 10 V ±20V 3550 PF @ 15 V - 2.5W （TA ）、59W（TC）
BF721T1G Fairchild Semiconductor BF721T1G -
RFQ
 ECAD 2316 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -65°C〜150°C 表面マウント TO-261-4、TO-261AA 1.5 w SOT-223 ダウンロード ear99 8541.29.0075 1 300 V 50 Ma 10na （icbo） PNP 800mv @ 5ma 、30ma 50 @ 25ma 、20V 60MHz
ISL9V2040D3ST Fairchild Semiconductor ISL9V2040D3ST 0.9700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ ダウンロード ear99 8542.39.0001 309
FQAF16N50 Fairchild Semiconductor FQAF16N50 2.7900
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して to-3p-3フルパック モスフェット（金属酸化物） to-3pf ダウンロード ear99 8542.39.0001 108 nチャネル 500 V 11.3a（tc） 10V 320mohm @ 5.65a 、10V 5V @ 250µA 75 NC @ 10 V ±30V 3000 pf @ 25 v - 110W
FDPF5N50NZU Fairchild Semiconductor FDPF5N50NZU 0.7800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 unifet-ii™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 500 V 3.9a（tc） 10V 2OHM @ 1.95A 、10V 5V @ 250µA 12 NC @ 10 V ±25V 485 PF @ 25 V - 30W （TC）
BSP50 Fairchild Semiconductor BSP50 -
RFQ
 ECAD 7702 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-261-4、TO-261AA 1 W SOT-223-4 ダウンロード ear99 8541.29.0095 1 45 v 800 Ma 50NA npn-ダーリントン 1.3V @ 500µA 、500mA 2000 @ 500MA 、10V -
FQPF11P06 Fairchild Semiconductor FQPF11P06 0.6200
RFQ
 ECAD 552 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 552 pチャネル 60 V 8.6a（tc） 10V 175mohm @ 4.3a 、10V 4V @ 250µA 17 NC @ 10 V ±25V 550 PF @ 25 V - 30W （TC）
SS8050CTA Fairchild Semiconductor SS8050CTA 0.1200
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して to-226-3 1 W to-92-3 ダウンロード ear99 8541.29.0075 2,567 25 v 1.5 a 100na（icbo） npn 500mv @ 80ma 、800ma 120 @ 100MA、1V 100MHz
FQD20N06TM Fairchild Semiconductor FQD20N06TM -
RFQ
 ECAD 4146 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード 0000.00.0000 1 nチャネル 60 V 16.8a 10V 63mohm @ 8.4a 、10V 4V @ 250µA 15 NC @ 10 V ±25V 590 PF @ 25 V - 2.5W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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