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トランジスタ（ 3821）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ テスト条件 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 逆回復時間（ trr） IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD （オン/オフ） @ 25°C 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
HGT1S3N60A4DS9A Fairchild Semiconductor HGT1S3N60A4DS9A 1.6600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント TO-263-3 標準 70 W d2pak（to-263） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 50 390V、3A 29 ns - 600 V 17 a 40 a 2.7V @ 15V、3a 37µj（on25µj （オフ） 21 NC 6ns/73ns
2SA1381CSTU Fairchild Semiconductor 2SA1381CSTU 0.1000
RFQ
 ECAD 7907 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-225AA、to-126-3 7 W TO-126-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0075 400 300 V 100 Ma 100na（icbo） PNP 600mv @ 2ma 、20ma 40 @ 10ma 、10V 150MHz
FDZ294N Fairchild Semiconductor FDZ294N 0.9600
RFQ
 ECAD 53 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 9-VFBGA モスフェット（金属酸化物） 9-BGA （1.5x1.6） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 20 v 6a（ta） 2.5V 、4.5V 23mohm @ 6a 、4.5v 1.5V @ 250µA 10 NC @ 4.5 v ±12V 670 PF @ 10 V - 1.7W
KSD362RTU Fairchild Semiconductor KSD362RTU -
RFQ
 ECAD 2921 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 40 W TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 50 70 v 5 a 20µa（icbo） npn 1V @ 500MA 、5a 40 @ 5a 、5V 10MHz
FQPF7P06 Fairchild Semiconductor FQPF7P06 0.4100
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 50 pチャネル 60 V 5.3a（tc） 10V 410mohm @ 2.65a 、10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 V ±25V 295 PF @ 25 V - 24W （TC）
FGP20N6S2 Fairchild Semiconductor FGP20N6S2 0.4800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 標準 125 w TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 400 390V 、7a、25OHM、15V - 600 V 28 a 40 a 2.7V @ 15V 、7a 25µj（on ）、 58µj（オフ） 30 NC 7.7ns/87ns
FQD5N40TM Fairchild Semiconductor FQD5N40TM 0.4400
RFQ
 ECAD 157 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 400 V 3.4a（tc） 10V 1.6OHM @ 1.7A 、10V 5V @ 250µA 13 NC @ 10 V ±30V 460 PF @ 25 V - 2.5W （TA ）、45W（TC）
FQU2N60TU Fairchild Semiconductor fqu2n60tu 0.6700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して to-251-3 モスフェット（金属酸化物） i-pak ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 5,040 nチャネル 600 V 2a（tc） 10V 4.7OHM @ 1A 、10V 5V @ 250µA 11 NC @ 10 V ±30V 350 PF @ 25 V - 2.5W （TA ）、45W（TC）
HUF76419D3ST Fairchild Semiconductor huf76419d3st 0.2500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ バルク 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 60 V 20a（tc） 4.5V 、10V 37mohm @ 20a 、10V 3V @ 250µA 27.5 NC @ 10 V ±16V 900 pf @ 25 V - 75W
FQD6P25TF Fairchild Semiconductor FQD6P25TF 0.6000
RFQ
 ECAD 72 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,000 pチャネル 250 v 4.7a（tc） 10V 1.1OHM @ 2.35A 、10V 5V @ 250µA 27 NC @ 10 V ±30V 780 PF @ 25 V - 2.5W
FDP8443 Fairchild Semiconductor FDP8443 1.2300
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 400 nチャネル 40 v 20a（タタ）、 80a（tc） 10V 3.5mohm @ 80a 、10V 4V @ 250µA 185 NC @ 10 V ±20V 9310 PF @ 25 V - 188W
FQAF90N08 Fairchild Semiconductor FQAF90N08 2.3700
RFQ
 ECAD 340 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して to-3p-3フルパック モスフェット（金属酸化物） to-3pf ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 360 nチャネル 80 v 56a（tc） 10V 16mohm @ 28a 、10v 4V @ 250µA 110 NC @ 10 V ±25V 3250 PF @ 25 V - 100W （TC）
FQAF10N80 Fairchild Semiconductor FQAF10N80 1.6700
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して to-3p-3フルパック モスフェット（金属酸化物） to-3pf ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 360 nチャネル 800 V 6.7a（tc） 10V 1.05OHM @ 3.35A 、10V 5V @ 250µA 71 NC @ 10 V ±30V 2700 PF @ 25 V - 113W
HUFA75344P3 Fairchild Semiconductor Hufa75344p3 0.9700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 400 nチャネル 55 v 75a（tc） 10V 8mohm @ 75a 、10V 4V @ 250µA 210 NC @ 20 V ±20V 3200 PF @ 25 V - 285W
FQD630TM Fairchild Semiconductor FQD630TM 0.6100
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 200 v 7a（tc） 10V 400mohm @ 3.5a 、10V 4V @ 250µA 25 NC @ 10 V ±25V 550 PF @ 25 V - 2.5W
RFD14N05 Fairchild Semiconductor RFD14N05 -
RFQ
 ECAD 1030 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して to-251-3 モスフェット（金属酸化物） i-pak ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 75 nチャネル 50 v 14a（tc） 10V 100mohm @ 14a 、10V 4V @ 250µA 40 NC @ 20 V ±20V 570 PF @ 25 V - 48W （TC）
RFP15N05L Fairchild Semiconductor RFP15N05L 0.8500
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS非準拠 ear99 8541.29.0095 400 nチャネル 50 v 15a（tc） 140mohm @ 15a 、5v 2V @ 250µA ±10V 900 pf @ 25 V - 60W （TC）
PN3646 Fairchild Semiconductor PN3646 0.0400
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 350 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 2,000 15 V 300 Ma 500na npn 500MV @ 3MA、300MA 30 @ 30ma 、400mv -
FDB4020P Fairchild Semiconductor FDB4020P 0.7500
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -65°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 800 pチャネル 20 v 16a（ta） 2.5V 、4.5V 80mohm @ 8a 、4.5v 1V @ 250µA 13 NC @ 4.5 v ±8V 665 PF @ 10 V - 37.5W
FQB70N08TM Fairchild Semiconductor FQB70N08TM 1.2000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 80 v 70a 10V 17mohm @ 35a 、10V 4V @ 250µA 98 NC @ 10 V ±25V 2700 PF @ 25 V - 3.75W （TA ）、 155W （TC）
FQI7N10LTU Fairchild Semiconductor fqi7n10ltu 0.3200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して To-262-3 Long Leads モスフェット（金属酸化物） i2pak（to-262） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 100 V 7.3a（tc） 5V、10V 350mohm @ 3.65a 、10V 2V @ 250µA 6 NC @ 5 V ±20V 290 PF @ 25 V - 3.75W （TA）、40W（TC）
KSC5024RTU Fairchild Semiconductor KSC5024RTU 0.6700
RFQ
 ECAD 496 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 90 w to-3pn ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 496 500 V 10 a 10µa（icbo） npn 1V @ 800MA 、4a 15 @ 800MA 、5V 18MHz
FDP15N50 Fairchild Semiconductor FDP15N50 2.0600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 400 nチャネル 500 V 15a（tc） 10V 380mohm @ 7.5a 、10V 4V @ 250µA 41 NC @ 10 V ±30V 1850 pf @ 25 v - 300W （TC）
FDP15N65 Fairchild Semiconductor FDP15N65 1.4400
RFQ
 ECAD 9042 0.00000000 フェアチャイルド半導体 unifet™ チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 163 nチャネル 650 V 15a（tc） 10V 440mohm @ 7.5a 、10V 5V @ 250µA 63 NC @ 10 V ±30V 3095 PF @ 25 V - 250W
FDW2507N Fairchild Semiconductor FDW2507N 0.5100
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） FDW25 モスフェット（金属酸化物） 1.1W 8-tssop ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 2 nチャンネル（デュアル） 20V 7.5a 19mohm @ 7.5a 、4.5V 1.5V @ 250µA 28NC @ 4.5V 2152pf @ 10V ロジックレベルゲート
KSA812GMTF Fairchild Semiconductor KSA812GMTF 0.0600
RFQ
 ECAD 56 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 150 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） PNP 300MV @ 10MA 、100mA 200 @ 1MA 、6V 180MHz
FQU1N50TU Fairchild Semiconductor fqu1n50tu 0.1700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して to-251-3 モスフェット（金属酸化物） i-pak ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 5,040 nチャネル 500 V 1.1a（tc） 10V 9OHM @ 550MA 、10V 5V @ 250µA 5.5 NC @ 10 V ±30V 150 PF @ 25 V - 2.5W （TA ）、25W（TC）
FQAF7N90 Fairchild Semiconductor FQAF7N90 1.4700
RFQ
 ECAD 877 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して to-3p-3フルパック モスフェット（金属酸化物） to-3pf ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 360 nチャネル 900 V 5.2a（tc） 10V 1.55OHM @ 2.6A 、10V 5V @ 250µA 59 NC @ 10 V ±30V 2280 PF @ 25 V - 107W （TC）
FQD7N10TM Fairchild Semiconductor fqd7n10tm 0.5100
RFQ
 ECAD 176 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 100 V 5.8a（tc） 10V 350mohm @ 2.9a 、10V 4V @ 250µA 7.5 NC @ 10 V ±25V 250 PF @ 25 V - 2.5W （TA ）、25W（TC）
FJX4002RTF Fairchild Semiconductor fjx4002rtf 0.0200
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 表面マウント SC-70、SOT-323 FJX400 200 MW SC-70-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） pnp-前バイアス 300MV @ 500µA 、10mA 30 @ 5MA 、5V 200 MHz 10 Kohms 10 Kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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