画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | フェットタイプ | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FDMS3616S | 0.8300 | ![]() | 65 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | PowerTrench® | バルク | 廃止 | 表面マウント | 8-powertdfn | FDMS3616 | モスフェット(金属酸化物) | 1W | 8-PQFN | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n チャネル(デュアル)非対称 | 25V | 16a、18a | 6.6mohm @ 16a 、10V | 2.5V @ 250µA | 27NC @ 10V | 1765pf @ 13V | ロジックレベルゲート | ||||||||||||||
![]() | FQAF19N20L | 1.0900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | QFET® | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-3p-3フルパック | モスフェット(金属酸化物) | to-3pf | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 360 | nチャネル | 200 v | 16a(tc) | 5V、10V | 140mohm @ 8a、10V | 2V @ 250µA | 35 NC @ 5 V | ±20V | 2200 PF @ 25 V | - | 85W | ||||||||||||
![]() | BD14010S | 1.0000 | ![]() | 6439 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-225AA、to-126-3 | 1.25 w | TO-126-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 250 | 80 v | 1.5 a | 100na(icbo) | PNP | 500MV @ 50MA 、500MA | 63 @ 150MA 、2V | - | ||||||||||||||||
![]() | BC546 | 0.0400 | ![]() | 114 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | 500 MW | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 65 v | 100 Ma | 15NA | npn | 600MV @ 5MA 、100mA | 110 @ 2MA 、5V | 300MHz | ||||||||||||||||
![]() | BC338 | 0.0400 | ![]() | 8136 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | 625 MW | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0075 | 258 | 25 v | 800 Ma | 100NA | npn | 700mv @ 50ma 、500ma | 100 @ 100MA、1V | 100MHz | ||||||||||||||||
![]() | HUF76633S3S | 0.5900 | ![]() | 5665 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | ultrafet™ | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | モスフェット(金属酸化物) | d2pak(to-263) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 358 | nチャネル | 100 V | 39a | 4.5V 、10V | 35mohm @ 39a、10V | 3V @ 250µA | 67 NC @ 10 V | ±16V | 1820 pf @ 25 v | - | 145W | ||||||||||||
![]() | KSA940H2TU | - | ![]() | 1692 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | 1.5 w | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 150 v | 1.5 a | 10µa(icbo) | PNP | 1.5V @ 50ma 、500ma | 40 @ 500MA 、10V | 4MHz | ||||||||||||||||
![]() | BC556CBU | - | ![]() | 6600 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | 500 MW | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0075 | 11,478 | 65 v | 100 Ma | 15NA | PNP | 650mv @ 5ma 、100ma | 420 @ 2MA 、5V | 150MHz | ||||||||||||||||
![]() | FDFMJ2P023Z | 0.3300 | ![]() | 29 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | PowerTrench® | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 6-wfdfn露出パッド | モスフェット(金属酸化物) | SC-75 、マイクロフェット | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | pチャネル | 20 v | 2.9a(ta) | 1.5V 、4.5V | 112mohm @ 2.9a 、4.5V | 1V @ 250µA | 6.5 NC @ 4.5 v | ±8V | 400 pf @ 10 V | ショットキーダイオード(分離) | 1.4W | ||||||||||||
![]() | bc856amtf | 0.0500 | ![]() | 7 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | BC856 | 310 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 65 v | 100 Ma | 15NA | PNP | 650mv @ 5ma 、100ma | 110 @ 2MA 、5V | 150MHz | |||||||||||||||
![]() | FJC1386PTF | 0.1100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-243AA | 500 MW | SOT-89-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 20 v | 5 a | 500na(icbo) | PNP | 1V @ 100MA 、4a | 80 @ 500MA 、2V | - | ||||||||||||||||
![]() | But12a | 0.9400 | ![]() | 820 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | 100 W | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 200 | 450 v | 8 a | 1ma | npn | 1.5V @ 1.2a 、6a | - | - | ||||||||||||||||
![]() | FDC6432SH | 0.4400 | ![]() | 45 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | Powertrench®、Syncfet™ | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 | FDC6432 | モスフェット(金属酸化物) | 700mw | SuperSot™-6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | nおよびpチャネル | 30V、12V | 2.4a 、2.5a | 90mohm @ 2.4a 、10V | 3V @ 1MA | 3.5NC @ 5V | 270pf @ 15V | ロジックレベルゲート | |||||||||||||
![]() | FQP7P20 | 0.5900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | QFET® | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | pチャネル | 200 v | 7.3a(tc) | 10V | 690mohm @ 3.65a 、10V | 5V @ 250µA | 25 NC @ 10 V | ±30V | 770 PF @ 25 V | - | 90W | ||||||||||||
![]() | BC556BBU | 0.0200 | ![]() | 6062 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | 500 MW | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0075 | 12,695 | 65 v | 100 Ma | 15NA | PNP | 650mv @ 5ma 、100ma | 200 @ 2MA 、5V | 150MHz | ||||||||||||||||
![]() | BC32825 | 0.0500 | ![]() | 10 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | 625 MW | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0075 | 6,662 | 25 v | 800 Ma | 100NA | PNP | 700mv @ 50ma 、500ma | 160 @ 100MA、1V | 100MHz | ||||||||||||||||
![]() | BC560CBU | - | ![]() | 5993 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | 500 MW | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 45 v | 100 Ma | 15NA | PNP | 650mv @ 5ma 、100ma | 420 @ 2MA 、5V | 150MHz | ||||||||||||||||
![]() | BC559B | - | ![]() | 3228 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | 500 MW | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 30 V | 100 Ma | 15NA | PNP | 650mv @ 5ma 、100ma | 200 @ 2MA 、5V | 150MHz | ||||||||||||||||
![]() | BC636 | - | ![]() | 8586 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | 1 W | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 45 v | 1 a | 100na(icbo) | PNP | 500MV @ 50MA 、500MA | 40 @ 150ma 、2V | 100MHz | ||||||||||||||||
![]() | BC32840TA | 0.0200 | ![]() | 6097 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-226-3 | 625 MW | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0075 | 14,000 | 25 v | 800 Ma | 100NA | PNP | 700mv @ 50ma 、500ma | 250 @ 100MA、1V | 100MHz | ||||||||||||||||
![]() | BC238A | 0.0500 | ![]() | 16 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | 500 MW | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 25 v | 100 Ma | 15na | npn | 600MV @ 5MA 、100mA | 120 @ 2MA 、5V | 250MHz | ||||||||||||||||
![]() | BC560C | 0.0700 | ![]() | 6745 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-226-3 | 625 MW | to-92(to-226) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2156-BC560C-FS | ear99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 45 v | 100 Ma | 15NA | PNP | 250MV @ 5MA 、100mA | 380 @ 2MA 、5V | 250MHz | |||||||||||||||
![]() | BC307B | 0.0400 | ![]() | 11 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | 500 MW | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 45 v | 100 Ma | 15na | PNP | 300MV @ 500µA 、10mA | 180 @ 2MA 、5V | 130MHz | ||||||||||||||||
![]() | BC546B | - | ![]() | 8350 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | 500 MW | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 65 v | 100 Ma | 15NA | npn | 600MV @ 5MA 、100mA | 200 @ 2MA 、5V | 300MHz | ||||||||||||||||
![]() | BC33725 | 0.0600 | ![]() | 22 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | 625 MW | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 45 v | 800 Ma | 100NA | npn | 700mv @ 50ma 、500ma | 160 @ 100MA、1V | 100MHz | ||||||||||||||||
![]() | BC80816MTF | 0.0600 | ![]() | 14 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | 310 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 25 v | 800 Ma | 100NA | PNP | 700mv @ 50ma 、500ma | 100 @ 100MA、1V | 100MHz | ||||||||||||||||
![]() | BC548 | 0.0400 | ![]() | 25 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | 500 MW | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 30 V | 100 Ma | 15NA | npn | 600MV @ 5MA 、100mA | 110 @ 2MA 、5V | 300MHz | ||||||||||||||||
![]() | FQPF2N90 | 1.2000 | ![]() | 52 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | QFET® | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3フルパック | モスフェット(金属酸化物) | TO-220F-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 900 V | 1.4a(tc) | 10V | 7.2OHM @ 700MA 、10V | 5V @ 250µA | 15 NC @ 10 V | ±30V | 500 PF @ 25 V | - | 35W (TC) | ||||||||||||
![]() | SFM9110TF | 0.4800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-261-4、TO-261AA | モスフェット(金属酸化物) | SOT-223-4 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | pチャネル | 100 V | 1a(ta) | 10V | 1.2OHM @ 500MA 、10V | 4V @ 250µA | 10 NC @ 10 V | ±30V | 335 PF @ 25 V | - | 2.52W | ||||||||||||
![]() | FQPF6N80 | - | ![]() | 8071 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | QFET® | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3フルパック | モスフェット(金属酸化物) | TO-220F-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 800 V | 3.3a(tc) | 10V | 1.95OHM @ 1.65A 、10V | 5V @ 250µA | 31 NC @ 10 V | ±30V | 1500 PF @ 25 V | - | 51W (TC) |
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