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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ テスト条件 電源( VDSS )への排水 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C ドライブ電圧(最大rds onmin rds on rds on max) @ id vgs vgs ゲートチャージ( QG VGS (最大) ciss )( max @ vds フェット機能 電力散逸(最大) 逆回復時間( trr) IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) 現在 -コレクター(IC )(最大) 現在 -コレクターパルス( icm) vce(on max) @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD (オン/オフ) @ 25°C 電圧 -破壊( V 現在の - ドレイン(IDSS @ vds(vgs = 0) 電圧-Cutoff( VGSオフ) @ id 現在 -コレクターカットオフ(最大) 抵抗-RDS (オン) トランジスタタイプ vce 飽和(max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース(r1) 抵抗 -エミッターベース(r2) ノイズフィギュア(DBタイプ @ f)
HUF75631S3S Fairchild Semiconductor HUF75631S3S 0.7000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 HUF75 モスフェット(金属酸化物) d²pak( to-263ab) - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 100 V 33a 10V 40mohm @ 33a 、10V 4V @ 250µA 79 NC @ 20 V ±20V 1220 PF @ 25 V - 120W (TC)
HUF76419D3STR4921 Fairchild Semiconductor HUF76419D3STR4921 0.5100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット(金属酸化物) TO-252 ダウンロード 適用できない 1 (無制限) 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 60 V 20a(tc) 4.5V 、10V 37mohm @ 20a 、10V 3V @ 250µA 27.5 NC @ 10 V ±16V 900 pf @ 25 V - 75W
FJV3110RMTF Fairchild Semiconductor FJV3110RMTF -
RFQ
ECAD 9658 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント TO-236-3 FJV311 200 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 3,000 40 v 100 Ma 100na(icbo) npn-バイアス化 300MV @ 1MA 、10ma 100 @ 1MA 、5V 250 MHz 10 Kohms
TIP41CTU Fairchild Semiconductor tip41ctu -
RFQ
ECAD 4398 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C (TJ) 穴を通して TO-220-3 2 W TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 100 V 6 a 700µA npn 1.5V @ 600MA 、6a 30 @ 300MA 、4V 3MHz
BC858CMTF Fairchild Semiconductor BC858CMTF 0.0200
RFQ
ECAD 34 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント TO-236-3 310 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 3,000 30 V 100 Ma 15NA PNP 650mv @ 5ma 、100ma 420 @ 2MA 、5V 150MHz
BC81825MTF Fairchild Semiconductor BC81825MTF 0.0300
RFQ
ECAD 289 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント TO-236-3 310 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 3,000 25 v 800 Ma 100NA npn 700mv @ 50ma 、500ma 160 @ 100MA、1V 100MHz
FCB20N60-F085 Fairchild Semiconductor FCB20N60-F085 -
RFQ
ECAD 8057 0.00000000 フェアチャイルド半導体 Automotive 、AEC-Q101、SuperFet™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット(金属酸化物) d2pak(to-263) ダウンロード 適用できない 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 600 V 20a(tc) 198mohm @ 20a 、10v 5V @ 250µA 102 NC @ 10 V ±30V 3080 PF @ 25 V - 341W
FJAF4210RTU Fairchild Semiconductor FJAF4210RTU -
RFQ
ECAD 9687 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C (TJ) 穴を通して to-3pfm、SC-93-3 80 w to-3pf-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 1 140 v 10 a 10µa(icbo) PNP 500MV @ 500MA 、5a 50 @ 3a 、4V 30MHz
FJN4302RTA Fairchild Semiconductor fjn4302rta 0.0300
RFQ
ECAD 7488 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して to-226-3 FJN430 300 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 472 50 v 100 Ma 100na(icbo) pnp-前バイアス 300MV @ 500µA 、10mA 30 @ 5MA 、5V 200 MHz 10 Kohms 10 Kohms
MMBF4092 Fairchild Semiconductor MMBF4092 -
RFQ
ECAD 5834 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 MMBF40 350 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 3,000 nチャネル 16pf @ 20V 40 v 15 mA @ 20 v 2 V @ 1 Na 50オーム
FDS8926 Fairchild Semiconductor FDS8926 0.9400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ FDS89 - - 適用できない 1 (無制限) 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 1 -
FDWS9420-F085 Fairchild Semiconductor FDWS9420-F085 0.8100
RFQ
ECAD 6697 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント 8-powertdfn FDWS9 モスフェット(金属酸化物) 75W 8-PQFN ダウンロード 適用できない 1 (無制限) 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 312 2 nチャンネル(デュアル) 40V 20a(tc) 5.8mohm @ 20a 、10V 4V @ 250µA 43NC @ 10V 2100pf @ 20V -
MJD112TF Fairchild Semiconductor MJD112TF -
RFQ
ECAD 5690 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント to-252-3 MJD11 1.75 w d-pak ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けた ear99 0000.00.0000 2,000 100 V 2 a 20µA npn-ダーリントン 3V @ 40MA 、4a 1000 @ 2a 、3V 25MHz
BD1396STU Fairchild Semiconductor BD1396STU 0.2000
RFQ
ECAD 23 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C (TJ) 穴を通して TO-225AA、to-126-3 BD139 1.25 w TO-126-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 1 80 v 1.5 a 100na(icbo) npn 500MV @ 50MA 、500MA 40 @ 150ma 、2V -
KSA643YTA Fairchild Semiconductor KSA643YTA 0.0500
RFQ
ECAD 559 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C (TJ) 穴を通して to-226-3 500 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 1 20 v 500 Ma 200na(icbo) PNP 400MV @ 50MA 、500A 120 @ 100MA、1V -
KSP94BU-FS Fairchild Semiconductor ksp94bu-fs -
RFQ
ECAD 7215 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C (TJ) 穴を通して TO-226-3 625 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 1 400 V 300 Ma 1µA PNP 750mv @ 5ma 、50ma 50 @ 10ma 、10V -
HGTG40N60B3-FS Fairchild Semiconductor HGTG40N60B3-FS -
RFQ
ECAD 5349 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けた ear99 0000.00.0000 1
SS9014ABU-FS Fairchild Semiconductor SS9014ABU-FS 0.0200
RFQ
ECAD 20 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C (TJ) 穴を通して TO-226-3 450 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 1 45 v 100 Ma 50na(icbo) npn 300MV @ 5MA 、100mA 60 @ 1MA 、5V 270MHz
SS9018HBU-FS Fairchild Semiconductor SS9018HBU-FS 0.0200
RFQ
ECAD 384 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C (TJ) 穴を通して TO-226-3 400MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 1 - 15V 50ma npn 28 @ 1MA 、5V 1.1GHz -
KSC5402DTTU-FS Fairchild Semiconductor KSC5402DTTU-FS 1.0000
RFQ
ECAD 4033 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C (TJ) 穴を通して TO-220-3 50 W TO-220-3 - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 1 450 v 2 a 100µA npn 750mv @ 200ma、1a 6 @ 1a、1V 11MHz
SFR9230BTMAM002 Fairchild Semiconductor SFR9230BTMAM002 -
RFQ
ECAD 7165 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ SFR9230 - - 適用できない 1 (無制限) 影響を受けた ear99 8542.39.0001 2,500 -
KST14MTF Fairchild Semiconductor KST14MTF 0.0300
RFQ
ECAD 287 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ - 表面マウント TO-236-3 KST14 350 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 3,000 30 V 300 Ma 100na(icbo) npn-ダーリントン 1.5V @ 100µA 、100mA 20000 @ 100MA 、5V 125MHz
FJMA790 Fairchild Semiconductor FJMA790 1.0000
RFQ
ECAD 2286 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント 6-vdfn露出パッド FJMA79 1.56 w 6- マイクロフェット(2x2) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 3,000 35 v 2 a 100na(icbo) PNP 450mv @ 50ma 、2a 100 @ 1.5a 、1.5V -
IRFU024ATU Fairchild Semiconductor IRFU024ATU -
RFQ
ECAD 1398 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ IRFU024 - - 適用できない 1 (無制限) 未定義のベンダー 1 -
2N5088TA Fairchild Semiconductor 2N5088TA 1.0000
RFQ
ECAD 7338 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 625 MW to-92-3 - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 1 30 V 100 Ma 50na(icbo) npn 500MV @ 1MA 、10ma 350 @ 1MA 、5V 50MHz
TN6717A Fairchild Semiconductor TN6717A 0.1200
RFQ
ECAD 4 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 TN6717 1 W TO-226-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 1 80 v 1.2 a 100na(icbo) npn 350mv @ 10ma 、250ma 50 @ 250ma、1V -
RFD20N03SM9AR4770 Fairchild Semiconductor RFD20N03SM9AR4770 0.8500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ RFD20 - - 適用できない 1 (無制限) 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 1 -
FGA90N33ATDTU Fairchild Semiconductor FGA90N33ATDTU -
RFQ
ECAD 3895 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 FGA90 標準 223 w to-3p - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 1 - 23 ns 330 v 90 a 330 a 1.4V @ 15V 、20a - 95 NC -
FDB3652SB82059 Fairchild Semiconductor FDB3652SB82059 2.6000
RFQ
ECAD 500 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ FDB3652 - - 適用できない 1 (無制限) 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 1 -
FGI3040G2-F085 Fairchild Semiconductor FGI3040G2-F085 -
RFQ
ECAD 5990 0.00000000 フェアチャイルド半導体 Automotive、AEC-Q101 、ECOSPARK® バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して To-262-3 Long Leads 論理 150 W i2pak(to-262) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 300V 、6.5a、1kohm 、5V 1.9 µs - 400 V 41 a 1.25V @ 4V、6a - 21 NC -/4.8µs
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫