画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | 入力タイプ | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | フェットタイプ | テスト条件 | 得 | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | 逆回復時間( trr) | IGBTタイプ | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターパルス( icm) | vce(on max) @ vge | エネルギーの切り替え | ゲートチャージ | TD (オン/オフ) @ 25°C | 電圧 -破壊( V | 現在の - ドレイン(IDSS @ vds(vgs = 0) | 電圧-Cutoff( VGSオフ) @ id | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | 抵抗-RDS (オン) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | 抵抗 -ベース(r1) | 抵抗 -エミッターベース(r2) | ノイズフィギュア(DBタイプ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | HUF75631S3S | 0.7000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | ultrafet™ | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | HUF75 | モスフェット(金属酸化物) | d²pak( to-263ab) | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 100 V | 33a | 10V | 40mohm @ 33a 、10V | 4V @ 250µA | 79 NC @ 20 V | ±20V | 1220 PF @ 25 V | - | 120W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76419D3STR4921 | 0.5100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | ultrafet® | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | to-252-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | nチャネル | 60 V | 20a(tc) | 4.5V 、10V | 37mohm @ 20a 、10V | 3V @ 250µA | 27.5 NC @ 10 V | ±16V | 900 pf @ 25 V | - | 75W | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJV3110RMTF | - | ![]() | 9658 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | FJV311 | 200 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 0000.00.0000 | 3,000 | 40 v | 100 Ma | 100na(icbo) | npn-バイアス化 | 300MV @ 1MA 、10ma | 100 @ 1MA 、5V | 250 MHz | 10 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | tip41ctu | - | ![]() | 4398 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | 2 W | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 V | 6 a | 700µA | npn | 1.5V @ 600MA 、6a | 30 @ 300MA 、4V | 3MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC858CMTF | 0.0200 | ![]() | 34 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | 310 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 0000.00.0000 | 3,000 | 30 V | 100 Ma | 15NA | PNP | 650mv @ 5ma 、100ma | 420 @ 2MA 、5V | 150MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC81825MTF | 0.0300 | ![]() | 289 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | 310 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 0000.00.0000 | 3,000 | 25 v | 800 Ma | 100NA | npn | 700mv @ 50ma 、500ma | 160 @ 100MA、1V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FCB20N60-F085 | - | ![]() | 8057 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | Automotive 、AEC-Q101、SuperFet™ | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-263-3 | モスフェット(金属酸化物) | d2pak(to-263) | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 600 V | 20a(tc) | 198mohm @ 20a 、10v | 5V @ 250µA | 102 NC @ 10 V | ±30V | 3080 PF @ 25 V | - | 341W | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJAF4210RTU | - | ![]() | 9687 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-3pfm、SC-93-3 | 80 w | to-3pf-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 140 v | 10 a | 10µa(icbo) | PNP | 500MV @ 500MA 、5a | 50 @ 3a 、4V | 30MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | fjn4302rta | 0.0300 | ![]() | 7488 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | to-226-3 | FJN430 | 300 MW | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 0000.00.0000 | 472 | 50 v | 100 Ma | 100na(icbo) | pnp-前バイアス | 300MV @ 500µA 、10mA | 30 @ 5MA 、5V | 200 MHz | 10 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBF4092 | - | ![]() | 5834 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | MMBF40 | 350 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 0000.00.0000 | 3,000 | nチャネル | 16pf @ 20V | 40 v | 15 mA @ 20 v | 2 V @ 1 Na | 50オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS8926 | 0.9400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | * | バルク | アクティブ | FDS89 | - | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDWS9420-F085 | 0.8100 | ![]() | 6697 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | 8-powertdfn | FDWS9 | モスフェット(金属酸化物) | 75W | 8-PQFN | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.29.0095 | 312 | 2 nチャンネル(デュアル) | 40V | 20a(tc) | 5.8mohm @ 20a 、10V | 4V @ 250µA | 43NC @ 10V | 2100pf @ 20V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MJD112TF | - | ![]() | 5690 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | to-252-3 | MJD11 | 1.75 w | d-pak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 0000.00.0000 | 2,000 | 100 V | 2 a | 20µA | npn-ダーリントン | 3V @ 40MA 、4a | 1000 @ 2a 、3V | 25MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD1396STU | 0.2000 | ![]() | 23 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-225AA、to-126-3 | BD139 | 1.25 w | TO-126-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 80 v | 1.5 a | 100na(icbo) | npn | 500MV @ 50MA 、500MA | 40 @ 150ma 、2V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSA643YTA | 0.0500 | ![]() | 559 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-226-3 | 500 MW | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 20 v | 500 Ma | 200na(icbo) | PNP | 400MV @ 50MA 、500A | 120 @ 100MA、1V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ksp94bu-fs | - | ![]() | 7215 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | 625 MW | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 400 V | 300 Ma | 1µA | PNP | 750mv @ 5ma 、50ma | 50 @ 10ma 、10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HGTG40N60B3-FS | - | ![]() | 5349 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | * | バルク | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | ear99 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SS9014ABU-FS | 0.0200 | ![]() | 20 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | 450 MW | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 45 v | 100 Ma | 50na(icbo) | npn | 300MV @ 5MA 、100mA | 60 @ 1MA 、5V | 270MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SS9018HBU-FS | 0.0200 | ![]() | 384 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | 400MW | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 1 | - | 15V | 50ma | npn | 28 @ 1MA 、5V | 1.1GHz | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSC5402DTTU-FS | 1.0000 | ![]() | 4033 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | 50 W | TO-220-3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 450 v | 2 a | 100µA | npn | 750mv @ 200ma、1a | 6 @ 1a、1V | 11MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFR9230BTMAM002 | - | ![]() | 7165 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | * | バルク | アクティブ | SFR9230 | - | - | 適用できない | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KST14MTF | 0.0300 | ![]() | 287 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | - | 表面マウント | TO-236-3 | KST14 | 350 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 0000.00.0000 | 3,000 | 30 V | 300 Ma | 100na(icbo) | npn-ダーリントン | 1.5V @ 100µA 、100mA | 20000 @ 100MA 、5V | 125MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJMA790 | 1.0000 | ![]() | 2286 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 6-vdfn露出パッド | FJMA79 | 1.56 w | 6- マイクロフェット(2x2) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 0000.00.0000 | 3,000 | 35 v | 2 a | 100na(icbo) | PNP | 450mv @ 50ma 、2a | 100 @ 1.5a 、1.5V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFU024ATU | - | ![]() | 1398 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | * | バルク | アクティブ | IRFU024 | - | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5088TA | 1.0000 | ![]() | 7338 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-226-3 | 625 MW | to-92-3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 30 V | 100 Ma | 50na(icbo) | npn | 500MV @ 1MA 、10ma | 350 @ 1MA 、5V | 50MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TN6717A | 0.1200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-226-3 | TN6717 | 1 W | TO-226-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 80 v | 1.2 a | 100na(icbo) | npn | 350mv @ 10ma 、250ma | 50 @ 250ma、1V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFD20N03SM9AR4770 | 0.8500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | * | バルク | アクティブ | RFD20 | - | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGA90N33ATDTU | - | ![]() | 3895 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-3p-3、SC-65-3 | FGA90 | 標準 | 223 w | to-3p | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 0000.00.0000 | 1 | - | 23 ns | 溝 | 330 v | 90 a | 330 a | 1.4V @ 15V 、20a | - | 95 NC | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDB3652SB82059 | 2.6000 | ![]() | 500 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | * | バルク | アクティブ | FDB3652 | - | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGI3040G2-F085 | - | ![]() | 5990 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | Automotive、AEC-Q101 、ECOSPARK® | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | To-262-3 Long Leads | 論理 | 150 W | i2pak(to-262) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 300V 、6.5a、1kohm 、5V | 1.9 µs | - | 400 V | 41 a | 1.25V @ 4V、6a | - | 21 NC | -/4.8µs |
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