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トランジスタ（ 1315）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	得	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	vce（on max） @ vge	電圧 -破壊（ V	現在の - ドレイン（IDSS @ vds（vgs = 0）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	抵抗-RDS （オン）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
60180	-	RFQ	8885	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止									-		適用できない		廃止	0000.00.0000	1
64065	-	RFQ	7262	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止									-		適用できない		廃止	0000.00.0000	1
Jan2N5014	-	RFQ	1166	Microsemi Corporation	軍事、MIL-PRF-19500/727	バルク	廃止	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3			1 W		to-5	-	ROHS非準拠	適用できない		ear99	8541.29.0095	1															900 V	200 ma				10na （icbo）				npn		30 @ 20ma 、10V	-
Jan2N6796	-	RFQ	9131	Microsemi Corporation	軍事、MIL-PRF-19500/557	バルク	廃止	-55°C〜150°C	穴を通して	To-205af Metal Can		モスフェット（金属酸化物）			to-39	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		100 V	8a（tc）	10V	195mohm @ 8a 、10V	4V @ 250µA	28.51 NC @ 10 V	±20V		-	800MW
JANTXV2N5015S	-	RFQ	5252	Microsemi Corporation	軍事、MIL-PRF-19500/727	バルク	廃止	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶			1 W		to-39	-	ROHS非準拠	適用できない		ear99	8541.29.0095	1															1000 V	200 ma				10na （icbo）				npn		30 @ 20ma 、10V	-
Jan2N6802	-	RFQ	2975	Microsemi Corporation	軍事、MIL-PRF-19500/557	バルク	廃止	-55°C〜150°C	穴を通して	To-205af Metal Can		モスフェット（金属酸化物）			to-39	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		500 V	2.5a	10V	1.6OHM @ 2.5A 、10V	4V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±20V		-	800MW
MS2502W	-	RFQ	5090	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止									-		1 （無制限）		廃止	0000.00.0000	1
61070	-	RFQ	6431	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止									-		適用できない		廃止	0000.00.0000	1
Jan2N6802U	-	RFQ	7033	Microsemi Corporation	軍事、MIL-PRF-19500/557	バルク	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	18-clcc		モスフェット（金属酸化物）			18-ulcc （9.14x7.49）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		500 V	2.5a	10V	1.6OHM @ 2.5A 、10V	4V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±20V		-	800MW
jans2n6249t1	-	RFQ	1650	Microsemi Corporation	軍事、MIL-PRF-19500/510	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	TO-254-3	2N6249		6 W		TO-254AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1															200 v	10 a				1ma				npn	1.5V @ 1a 、10a	10 @ 10a、3V	-
APT9F100S	-	RFQ	1035	Microsemi Corporation	Power Mos 8™	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-268-3		モスフェット（金属酸化物）			d3pak	ダウンロード		1 （無制限）		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		1000 V	9a（tc）	10V	1.6OHM @ 5A 、10V	5V @ 1MA	80 NC @ 10 V	±30V	2606 PF @ 25 V	-	337W
aptgt50dsk60t3g	-	RFQ	3355	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止	-40°C〜175°C	シャーシマウント	SP3			176 W	標準	SP3	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1	デュアルバックチョッパー													トレンチフィールドストップ	600 V	80 a	1.9V @ 15V 、50a			250 µA	はい	3.15 nf @ 25 v
2N6796U	-	RFQ	7583	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	18-clcc		モスフェット（金属酸化物）			18-ulcc （9.14x7.49）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		100 V	8a（tc）	10V	180mohm @ 5a 、10V	4V @ 250ma	6.34 NC @ 10 V	±20V		-	800MW
TAN150	-	RFQ	9279	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止	200°C （TJ）	シャーシマウント	55AT			583W		55AT	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0075	1			7db												55V	15a								npn		10 @ 1a 、5V	960MHz〜1.215GHz	-
2N7334	-	RFQ	7989	Microsemi Corporation	-	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	14-dip （0.300 "、7.62mm）	2N733	モスフェット（金属酸化物）	1.4W		MO-036AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1	4 nチャネル			100V	1a		700mohm @ 600ma 、10V	4V @ 250µA	60NC @ 10V		-	-
MS1202	-	RFQ	4524	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止	200°C （TJ）	シャーシマウント	M135			15W		M135	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	廃止	0000.00.0000	1			8.4db												35V	1a								npn		5 @ 100MA 、5V	118MHz〜136MHz	-
10A015	-	RFQ	8272	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止	200°C （TJ）	スタッドマウント	55フィート			6W		55フィート	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0075	1			9db〜9.5db												24V	750ma								npn		20 @ 100MA 、5V	2.7GHz	-
APTM120DDA57T3G	-	RFQ	9838	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP3	APTM120	モスフェット（金属酸化物）	390W		SP3	ダウンロード		1 （無制限）		ear99	8541.29.0095	1	2 nチャンネル（デュアル）			1200V（1.2kv）	17a		684mohm @ 8.5a 、10V	5V @ 2.5MA	187nc @ 10V		5155pf @ 25V	-
Jan2N5014S	-	RFQ	3417	Microsemi Corporation	軍事、MIL-PRF-19500/727	バルク	廃止	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶			1 W		to-39	-	ROHS非準拠	適用できない		ear99	8541.29.0095	1															900 V	200 ma				10na （icbo）				npn		30 @ 20ma 、10V	-
APT30M70SVRG	-	RFQ	3901	Microsemi Corporation	PowerMosv®	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-268-3		モスフェット（金属酸化物）			d3 [s]	-		1 （無制限）		ear99	8541.29.0095	30		nチャネル		300 V	48a	10V	70mohm @ 500ma 、10V	4V @ 1MA	225 NC @ 10 V	±30V	5870 PF @ 25 V	-	370W （TC）
APT8024B2LLG	25.7000	RFQ	5	Microsemi Corporation	PowerMos7®	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3バリアント		モスフェット（金属酸化物）			T-Max™[B2]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	30		nチャネル		800 V	31a（tc）	10V	240mohm @ 15.5a 、10V	5V @ 2.5MA	160 NC @ 10 V	±30V	4670 PF @ 25 V	-	565W
2C5012	-	RFQ	3130	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止	-	-	-					-	-	ROHS非準拠	適用できない		廃止	0000.00.0000	1																				-				-	-	-	-
jantx2n4093ub	126.9800	RFQ	88	Microsemi Corporation	軍事、MIL-PRF-19500/431	バルク	アクティブ	-	表面マウント	3-SMD 、リードなし	2N4093		360 MW		ub	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.21.0095	1		nチャネル		40 v							16pf @ 20V							40 v	8 ma @ 20 v				80オーム
PP9063	-	RFQ	4566	Microsemi Corporation	*	バルク	廃止									-	ROHS非準拠	適用できない		廃止	0000.00.0000	1
jantxv2n6804	-	RFQ	2685	Microsemi Corporation	軍事、MIL-PRF-19500/562	バルク	廃止	-55°C〜150°C	穴を通して	to-204aa、to-3		モスフェット（金属酸化物）			to-204aa	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1		pチャネル		100 V	11a（tc）	10V	360mohm @ 11a 、10V	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V		-	4W （TA ）、75W（TC）
MRF8372GR1	-	RFQ	5172	Microsemi Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）			2.2W		8-SO	ダウンロード		1 （無制限）		ear99	8541.29.0075	2,500			8db〜9.5db												16V	200mA								npn		30 @ 50ma 、5v	870MHz	-
2C5013	-	RFQ	5644	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止	-	-	-					-	-	ROHS非準拠	適用できない		廃止	0000.00.0000	1																				-				-	-	-	-
APTM120SK56T1G	-	RFQ	5832	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP1		モスフェット（金属酸化物）			SP1	ダウンロード		1 （無制限）		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		1200 v	18a（tc）	10V	672mohm @ 14a 、10V	5V @ 2.5MA	300 NC @ 10 V	±30V	7736 PF @ 25 V	-	390W
2N3960UB	-	RFQ	4947	Microsemi Corporation	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし			400 MW		ub	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.21.0095	100															12 v					10µa（icbo）				npn	300MV @ 3MA 、30ma	60 @ 10ma、1V	-
23A005	-	RFQ	5516	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止	200°C （TJ）	シャーシマウント	55bt			3W		55bt	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0075	1			8.5db〜9.5db												22V	400mA								npn		20 @ 100MA 、5V	4.3GHz	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

トランジスタ（ 1315）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²