画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | 入力タイプ | テクノロジー | パワー -マックス | 入力 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | フェットタイプ | テスト条件 | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | 逆回復時間( trr) | IGBTタイプ | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターパルス( icm) | vce(on max) @ vge | エネルギーの切り替え | ゲートチャージ | TD (オン/オフ) @ 25°C | 電圧 -破壊( V | 現在の - ドレイン(IDSS @ vds(vgs = 0) | 電圧-Cutoff( VGSオフ) @ id | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | NTCサーミスタ | 入力容量( cies @ vce | 抵抗-RDS (オン) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | aptgl325sk120d3g | - | ![]() | 9835 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | バルク | 廃止 | -40°C〜175°C | シャーシマウント | D-3モジュール | 1500 w | 標準 | D3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | シングル | トレンチフィールドストップ | 1200 v | 420 a | 2.2V @ 15V 、300A | 5 Ma | いいえ | 18.6 nf @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | aptgt150a60tg | - | ![]() | 6702 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | バルク | sicで中止されました | -40°C〜175°C | シャーシマウント | SP4 | 480 w | 標準 | SP4 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ハーフブリッジ | トレンチフィールドストップ | 600 V | 225 a | 1.9V @ 15V 、150a | 250 µA | はい | 9.2 nf @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||||
JANTX2N4859 | 13.8900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | to-206aa | 2N4859 | 360 MW | TO-18 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | nチャネル | 30 V | 18pf @ 10v | 30 V | 175 mA @ 15 v | 10 V @ 500 PA | 25オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 80270 | - | ![]() | 2646 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | * | バルク | 廃止 | - | - | 1 (無制限) | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT15GT60KRG | - | ![]() | 6656 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Thunderboltigbt® | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | APT15GT60 | 標準 | 184 w | TO-220 [k] | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V、15a 、10ohm15V | npt | 600 V | 42 a | 45 a | 2.5V @ 15V 、15a | 150µj(on )、 215µj (オフ) | 75 NC | 6ns/105ns | ||||||||||||||||||||||||||||
APT200GN60JG | - | ![]() | 2546 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | チューブ | sicで中止されました | -55°C〜175°C | シャーシマウント | ISOTOP | 682 w | 標準 | ISOTOP® | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | シングル | トレンチフィールドストップ | 600 V | 283 a | 1.85V @ 15V 、200A | 25 µA | いいえ | 14.1 nf @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||||
APT30GP60JDQ1 | - | ![]() | 6073 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | PowerMos7® | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | シャーシマウント | SOT-227-4、ミニブロック | APT30GP60 | 245 W | 標準 | ISOTOP® | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | シングル | pt | 600 V | 67 a | 2.7V @ 15V 、30a | 500 µA | いいえ | 3.2 nf @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||
APTGF50DDA120T3G | - | ![]() | 9593 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | バルク | 廃止 | - | シャーシマウント | SP3 | 312 w | 標準 | SP3 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | デュアルブーストチョッパー | npt | 1200 v | 70 a | 3.7V @ 15V 、50a | 250 µA | はい | 3.45 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGF100SK120TG | - | ![]() | 7703 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | バルク | 廃止 | - | シャーシマウント | SP4 | 568 w | 標準 | SP4 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | シングル | npt | 1200 v | 135 a | 3.7V @ 15V 、100A | 350 µA | はい | 6.9 nf @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGV50H60BT3G | - | ![]() | 8191 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | バルク | アクティブ | - | シャーシマウント | SP3 | APTGV50 | 250 W | 標準 | SP3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ブーストチョッパー、フルブリッジ | npt 、トレンチフィールドストップ | 600 V | 65 a | 2.45V @ 15V 、50a | 250 µA | はい | 2.2 nf @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT12067Jll | - | ![]() | 1442 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | PowerMos7® | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | シャーシマウント | SOT-227-4、ミニブロック | APT12067 | モスフェット(金属酸化物) | SOT-227 | - | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 1200 v | 17a(tc) | 10V | 570mohm @ 10a 、10V | 5V @ 2.5MA | 290 NC @ 10 V | ±30V | 6200 PF @ 25 V | - | 460W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantxv2n6788u | - | ![]() | 4899 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 軍事、MIL-PRF-19500/555 | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 18-clcc | モスフェット(金属酸化物) | 18-ulcc (9.14x7.49) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | nチャネル | 100 V | 4.5a | 10V | 350mohm @ 6a 、10V | 4V @ 250µA | 18 NC @ 10 V | ±20V | - | 800MW | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT10M07JVR | - | ![]() | 3254 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | PowerMosv® | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | シャーシマウント | SOT-227-4、ミニブロック | モスフェット(金属酸化物) | ISOTOP® | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 100 V | 225a(tc) | 10V | 4V @ 5MA | 1050 NC @ 10 V | ±30V | 21600 PF @ 25 V | - | 700W | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantxv2n7228 | - | ![]() | 2126 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 軍事、MIL-PRF-19500/592 | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-254-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-254AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 500 V | 12a(tc) | 10V | 515mohm @ 12a 、10V | 4V @ 250µA | 120 NC @ 10 V | ±20V | - | 4W (TA )、 150W (TC | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | aptgt50h120tg | - | ![]() | 8496 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | バルク | 廃止 | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | SP4 | 277 W | 標準 | SP4 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | フルブリッジインバーター | トレンチフィールドストップ | 1200 v | 75 a | 2.1V @ 15V 、50a | 250 µA | はい | 3.6 nf @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||||
Apt10035b2llg | - | ![]() | 6679 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | PowerMos7® | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-247-3バリアント | APT10035 | モスフェット(金属酸化物) | T-Max™[B2] | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | nチャネル | 1000 V | 28a(tc) | 10V | 350mohm @ 14a 、10V | 5V @ 2.5MA | 186 NC @ 10 V | ±30V | 5185 PF @ 25 V | - | 690W | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2C5015 | - | ![]() | 8079 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | バルク | 廃止 | - | - | - | - | - | ROHS非準拠 | 適用できない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTX2N7224U | - | ![]() | 6410 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 軍事、MIL-PRF-19500/592 | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-267AB | モスフェット(金属酸化物) | TO-267AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 100 V | 34a(tc) | 10V | 81mohm @ 34a 、10V | 4V @ 250µA | 125 NC @ 10 V | ±20V | - | 4W (TA )、 150W (TC | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT45GR65SSCD10 | - | ![]() | 6599 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-263-3 | APT45GR65 | 標準 | 543 w | d3pak | - | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 433v | 80 ns | npt | 650 V | 118 a | 224 a | 2.4V @ 15V 、45a | 203 NC | 15ns/100ns | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSC140SMA120S | - | ![]() | 4555 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | * | チューブ | 廃止 | - | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6802U | - | ![]() | 4018 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 18-clcc | モスフェット(金属酸化物) | 18-ulcc (9.14x7.49) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 500 V | 2.5a | 10V | 1.5OHM @ 1.5A 、10V | 4V @ 250µA | 4.46 NC @ 10 V | ±20V | - | 800MW | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT80SM120B | - | ![]() | 4768 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | バルク | 廃止 | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-247-3 | sicfet (炭化シリコン) | TO-247 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 1200 v | 80a(tc) | 20V | 55mohm @ 40a、20V | 2.5V @ 1MA | 235 NC @ 20 V | +25V、-10V | - | 555W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
JANTX2N6798 | - | ![]() | 1054 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 軍事、MIL-PRF-19500/557 | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | To-205af Metal Can | モスフェット(金属酸化物) | to-205af(to-39) | - | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 200 v | 5.5a(tc) | 10V | 420mohm @ 5.5a 、10V | 4V @ 250µA | 42.07 NC @ 10 V | ±20V | - | 800MW | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | aptgt50a170d1g | - | ![]() | 4406 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | バルク | sicで中止されました | - | シャーシマウント | D1 | 310 w | 標準 | D1 | - | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ハーフブリッジ | トレンチフィールドストップ | 1700 v | 70 a | 2.4V @ 15V 、50a | 6 Ma | いいえ | 4.4 nf @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan2N7236U | - | ![]() | 1795 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 軍事、MIL-PRF-19500/595 | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-267AB | モスフェット(金属酸化物) | TO-267AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | pチャネル | 100 V | 18a(tc) | 10V | 220mohm @ 18a 、10V | 4V @ 250µA | 60 NC @ 10 V | ±20V | - | 4W (TA )、125W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTM100SK18TG | - | ![]() | 5067 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | バルク | 廃止 | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | SP4 | モスフェット(金属酸化物) | SP4 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 1000 V | 43a(tc) | 10V | 210mohm @ 21.5a 、10V | 5V @ 5MA | 372 NC @ 10 V | ±30V | 10400 PF @ 25 V | - | 780W | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGF150SK120TG | - | ![]() | 5229 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | バルク | 廃止 | - | シャーシマウント | SP4 | 961 w | 標準 | SP4 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | シングル | npt | 1200 v | 200 a | 3.7V @ 15V 、150a | 350 µA | はい | 10.2 nf @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT70GR65B2SCD30 | - | ![]() | 8906 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-247-3 | APT70GR65 | 595 w | T-Max™[B2] | - | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 433V 、70a 、4.3ohm、 15V | npt | 650 V | 134 a | 260 a | 2.4V @ 15V、70a | 305 NC | 19ns/170ns | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | aptgf90da60t1g | - | ![]() | 4419 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | バルク | 廃止 | - | シャーシマウント | SP1 | 416 w | 標準 | SP1 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | シングル | npt | 600 V | 110 a | 2.5V @ 15V、90a | 250 µA | はい | 4.3 nf @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT20M38SVFRG | - | ![]() | 8457 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | PowerMosv® | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-268-3 | モスフェット(金属酸化物) | d3 [s] | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 200 v | 67a(tc) | 10V | 38mohm @ 500ma 、10V | 4V @ 1MA | 225 NC @ 10 V | ±30V | 6120 PF @ 25 V | - | 370W (TC) |
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