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トランジスタ（ 1315）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	テスト条件	得	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	逆回復時間（ trr）	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	電圧 -破壊（ V	現在の - ドレイン（IDSS @ vds（vgs = 0）	電圧-Cutoff（ VGSオフ） @ id	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	抵抗-RDS （オン）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
APTGF50DDA120T3G	-	RFQ	9593	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止	-	シャーシマウント	SP3				312 w	標準	SP3	ダウンロード		1 （無制限）		ear99	8541.29.0095	1	デュアルブーストチョッパー															npt	1200 v	70 a		3.7V @ 15V 、50a							250 µA	はい	3.45 NF @ 25 V
JANTX2N4859	13.8900	RFQ	1	Microsemi Corporation	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-206aa	2N4859			360 MW		TO-18	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.21.0095	1		nチャネル			30 V							18pf @ 10v												30 V	175 mA @ 15 v	10 V @ 500 PA				25オーム
aptgfq25h120t2g	-	RFQ	6232	Microsemi Corporation	-	バルク	アクティブ	-	穴を通して	SP2	aptgfq25			227 w	標準	SP2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1	フルブリッジ															nptとフィールドストップ	1200 v	40 a		2.1V @ 15V 、25a							250 µA	はい	2.02 NF @ 25 V
APTGF100A1202G	-	RFQ	9828	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止	-	シャーシマウント	SP2				568 w	標準	SP2	ダウンロード		1 （無制限）		ear99	8541.29.0095	1	ハーフブリッジ															npt	1200 v	135 a		3.7V @ 15V 、100A							250 µA	いいえ	6.5 nf @ 25 v
jantxv2n6249	-	RFQ	4883	Microsemi Corporation	軍事、MIL-PRF-19500/510	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-3	2N6249			6 W		to-3（to-204aa	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	100																	200 v	10 a									1ma				npn	1.5V @ 1a 、10a	10 @ 10a、3V	-
2N4957UB	-	RFQ	4013	Microsemi Corporation	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし	2N4957			200mw		ub	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.21.0095	1				25dB													30V	30ma													PNP		30 @ 5ma 、10V	-	3.5dB @ 450MHz
jan2n1016c	-	RFQ	1659	Microsemi Corporation	軍事、MIL-PRF-19500/102	バルク	アクティブ	-65°C〜150°C			2N1016			150 W		TO-82	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1																	150 v	7.5 a									1ma				npn	2.5V @ 1a 、5a	10 @ 5a 、4V	-
APT45GR65SSCD10	-	RFQ	6599	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-263-3	APT45GR65	標準		543 w		d3pak	-		1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1			433v												80 ns	npt	650 V	118 a	224 a	2.4V @ 15V 、45a		203 NC	15ns/100ns
APT70GR65B2SCD30	-	RFQ	8906	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3	APT70GR65			595 w		T-Max™[B2]	-		1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1			433V 、70a 、4.3ohm、 15V													npt	650 V	134 a	260 a	2.4V @ 15V、70a		305 NC	19ns/170ns
APT70SM70S	-	RFQ	2045	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3			sicfet （炭化シリコン）			d3pak	-		1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1		nチャネル			700 V	65a（tc）	20V	70mohm @ 32.5a 、20V	2.5V @ 1MA	125 NC @ 20 V	+25V、-10V		-	220W
APT80SM120B	-	RFQ	4768	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-247-3			sicfet （炭化シリコン）			TO-247	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1		nチャネル			1200 v	80a（tc）	20V	55mohm @ 40a、20V	2.5V @ 1MA	235 NC @ 20 V	+25V、-10V		-	555W （TC）
aptsm120am08ct6ag	-	RFQ	6482	Microsemi Corporation	-	バルク	アクティブ	-40°C〜175°C	シャーシマウント	SP6	aptsm120		炭化シリコン（原文）	2300W		SP6	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1	2 nチャンネル（デュアル）、ショットキー				1200V（1.2kv）	370a（tc）		10mohm @ 200a 、20V	3V @ 10MA	1360NC @ 20V			-
aptsm120am14cd3ag	-	RFQ	5294	Microsemi Corporation	-	バルク	アクティブ	-40°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール	aptsm120		炭化シリコン（原文）	2140w		モジュール	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1	2 nチャンネル（デュアル）、ショットキー				1200V（1.2kv）	337a（tc）		11mohm @ 180a 、20V	3V @ 9MA	1224NC @ 20V		23000pf @ 1000V	-
aptsm120am55ct1ag	-	RFQ	8315	Microsemi Corporation	-	バルク	アクティブ	-40°C〜175°C	シャーシマウント	SP1	aptsm120		炭化シリコン（原文）	470W		SP1	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1	2 nチャンネル（デュアル）、ショットキー				1200V（1.2kv）	74a（tc）		50mohm @ 40a 、20V	3V @ 2MA	272NC @ 20V		5120pf @ 1000V	-
aptsm120tam33ctpag	-	RFQ	9456	Microsemi Corporation	-	バルク	アクティブ	-40°C〜175°C	シャーシマウント	SP6	aptsm120		炭化シリコン（原文）	714W		SP6	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1	6 N-Channel（3 フェーズブリッジ）				1200V（1.2kv）	112a（tc）		33mohm @ 60a 、20V	3V @ 3MA	408NC @ 20V		7680pf @ 1000V	-
MRF5812	-	RFQ	7183	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止	-	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）				1.25W		8-SOIC	ダウンロード		1 （無制限）		ear99	8541.29.0075	2,500				13db〜15.5db													15V	200mA													npn		50 @ 50ma 、5V	5GHz	2DB〜3DB @ 500MHz
MS1019	-	RFQ	6146	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止										-		1 （無制限）		廃止	0000.00.0000	1
aptgt75dh60tg	-	RFQ	6433	Microsemi Corporation	-	バルク	sicで中止されました	-40°C〜175°C	シャーシマウント	SP4				250 W	標準	SP4	ダウンロード	ROHS準拠	1 （無制限）		ear99	8541.29.0095	1	非対称ブリッジ															トレンチフィールドストップ	600 V	100 a		1.9V @ 15V 、75a							250 µA	はい	4.62 NF @ 25 V
APT36N90BC3G	-	RFQ	8346	Microsemi Corporation	coolmos™	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3			モスフェット（金属酸化物）			to-247 [b]	-	ROHS準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1		nチャネル			900 V	36a（tc）	10V	120mohm @ 18a、10v	3.5V @ 2.9ma	252 NC @ 10 V	±20V	7463 PF @ 25 V	-	390W
MS2901	-	RFQ	4194	Microsemi Corporation	*	バルク	廃止										-		1 （無制限）		廃止	0000.00.0000	1
APT11GP60BDQBG	-	RFQ	2652	Microsemi Corporation	PowerMos7®	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3	apt11g	標準		187 w		TO-247-3	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	30			400V 、11a 、5ohm 、15V													pt	600 V	41 a	45 a	2.7V @ 15V 、11a	46µj（90µj （オフ）	40 NC	7ns/29ns
MSC1090M	-	RFQ	8102	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止	200°C	シャーシマウント	M220				220W		M220	-		1 （無制限）		ear99	8541.29.0075	1				8.4db													65V	5.52a													-		15 @ 500MA 、5V	1.025GHz1.15GHz	-
64020H	-	RFQ	4979	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止										-		適用できない		廃止	0000.00.0000	1
0910-60m	-	RFQ	7789	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止	200°C （TJ）	シャーシマウント	55aw				180W		55aw	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0075	1				8db〜8.5db													65V	8a													npn		-	890MHz〜1GHz	-
APTM120TDU57PG	-	RFQ	3362	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP6	APTM120		モスフェット（金属酸化物）	390W		SP6-P	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1	6 N-Channel（3 フェーズブリッジ）				1200V（1.2kv）	17a		684mohm @ 8.5a 、10V	5V @ 2.5MA	187nc @ 10V		5155pf @ 25V	-
Jan2N3960	-	RFQ	2969	Microsemi Corporation	軍事、MIL-PRF-19500/399	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-206aa	2N3960			400 MW		TO-18（to-206aa	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.21.0095	100																	12 v										10µa（icbo）				npn	300MV @ 3MA 、30ma	60 @ 10ma、1V	-
APT20M38SVFRG	-	RFQ	8457	Microsemi Corporation	PowerMosv®	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-268-3			モスフェット（金属酸化物）			d3 [s]	ダウンロード		1 （無制限）		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル			200 v	67a（tc）	10V	38mohm @ 500ma 、10V	4V @ 1MA	225 NC @ 10 V	±30V	6120 PF @ 25 V	-	370W （TC）
APTM20AM05FTG	-	RFQ	4184	Microsemi Corporation	-	バルク	sicで中止されました	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP4	aptm20		モスフェット（金属酸化物）	1250W		SP4	ダウンロード	ROHS準拠	1 （無制限）		ear99	8541.29.0095	1	2 nチャンネル（ハーフブリッジ）				200V	333a		5mohm @ 166.5a 、10V	4V @ 8MA	1184NC @ 10V		40800pf @ 25V	-
jansr2n7389	-	RFQ	9075	Microsemi Corporation	軍事、MIL-PRF-19500/630	トレイ	廃止	-55°C〜150°C	穴を通して	To-205af Metal Can			モスフェット（金属酸化物）			to-205af（to-39）	ダウンロード		適用できない		ear99	8541.29.0095	1		pチャネル			100 V	6.5a（tc）	12V	350mohm @ 6.5a、12v	4V @ 1MA	45 NC @ 12 v	±20V		-	25W （TC）
APTC90DAM60CT1G	-	RFQ	8584	Microsemi Corporation	coolmos™	バルク	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP1			モスフェット（金属酸化物）			SP1	-		1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	100		nチャネル			900 V	59a（tc）	10V	60mohm @ 52a 、10V	3.5V @ 6MA	540 NC @ 10 V	±20V	13600 PF @ 100 V	-	462W

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

トランジスタ（ 1315）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²