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トランジスタ（ 1315）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	得	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	vce（on max） @ vge	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
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SD1853-02H	-	RFQ	3821	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止									-		1 （無制限）		廃止	0000.00.0000	1
MRF5812MR2	-	RFQ	8822	Microsemi Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	廃止									-		1 （無制限）		廃止	0000.00.0000	1
2224-6p	-	RFQ	2340	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止									-		1 （無制限）		廃止	0000.00.0000	1
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1214-32L	-	RFQ	6455	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止	200°C （TJ）	シャーシマウント	55AW-1			125W		55AW-1	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0075	1			7.8db〜8.9db												50V	5a					npn		20 @ 1a 、5V	1.2GHz1.4GHz	-
jantxv2n4957	-	RFQ	1848年年	Microsemi Corporation	-	バルク	sicで中止されました	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-72-3金属缶			200mw		to-72	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.21.0095	1			25dB												30V	30ma					PNP		30 @ 5ma 、10V	-	3.5dB @ 450MHz
MS2321	-	RFQ	9490	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止	200°C （TJ）	シャーシマウント	M105			87.5W		M105	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	廃止	0000.00.0000	1			10db												65V	1.5a					npn		-	1.025GHz1.15GHz	-
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APT25SM120S	-	RFQ	4017	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止	-55°C〜175°C	シャーシマウント	D-3モジュール		sicfet （炭化シリコン）			D3	-		1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		1200 v	25a（tc）		175mohm @ 10a 、20V	2.5V @ 1MA	72 NC @ 20 V			-	175W
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2N6798U	-	RFQ	5073	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	18-clcc		モスフェット（金属酸化物）			18-ulcc （9.14x7.49）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		200 v	5.5a（tc）	10V	400mohm @ 3.5a 、10V	4V @ 250µA	5.29 NC @ 10 V	±20V		-	800MW
2N7224U	-	RFQ	6882	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-267AB		モスフェット（金属酸化物）			TO-267AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		100 V	34a（tc）	10V	81mohm @ 34a 、10V	4V @ 250µA	125 NC @ 10 V	±20V		-	4W （TA ）、 150W （TC
aptjc120am25vct1ag	-	RFQ	4810	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止	-	-	-	aptjc120	-	-		-	-		1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	7	-			-	-		-	-	-		-	-
APTM120SK15G	-	RFQ	2674	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP6		モスフェット（金属酸化物）			SP6	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		1200 v	60a（tc）	10V	175mohm @ 30a 、10V	5V @ 10MA	748 NC @ 10 V	±30V	20600 PF @ 25 V	-	1250W
JANTX2N6249	-	RFQ	4926	Microsemi Corporation	軍事、MIL-PRF-19500/510	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-3	2N6249		6 W		to-3（to-204aa	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	100															200 v	10 a		1ma			npn	1.5V @ 1a 、10a	10 @ 10a、3V	-
jantxv2n6849	-	RFQ	7231	Microsemi Corporation	軍事、MIL-PRF-19500/564	バルク	廃止	-55°C〜150°C	穴を通して	To-205af Metal Can		モスフェット（金属酸化物）			to-205af（to-39）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1		pチャネル		100 V	6.5a（tc）	10V	320mohm @ 6.5a 、10V	4V @ 250µA	34.8 NC @ 10 V	±20V		-	800MW
APT23F60S	-	RFQ	2307	Microsemi Corporation	Power Mos 8™	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-268-3	APT23F60	モスフェット（金属酸化物）			d3pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		600 V	24a（tc）	10V	290mohm @ 11a 、10V	5V @ 1MA	110 NC @ 10 V	±30V	4415 PF @ 25 V	-	415W
2N6849	-	RFQ	7125	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止	-55°C〜150°C	穴を通して	To-205af Metal Can		モスフェット（金属酸化物）			to-39	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1		pチャネル		100 V	6.5a（tc）	10V	320mohm @ 6.5a 、10V	4V @ 250µA	34.8 NC @ 10 V	±20V		-	800MW
APTGF90SK60D1G	-	RFQ	2461	Microsemi Corporation	-	バルク	sicで中止されました	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	D1			445 w	標準	D1	ダウンロード	ROHS準拠	1 （無制限）		ear99	8541.29.0095	1	シングル													npt	600 V	130 a	2.45V @ 15V 、100A	500 µA	いいえ	4.3 nf @ 25 v

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

トランジスタ（ 1315）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²