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トランジスタ（ 1315）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	電圧 -定格	動作温度	アプリケーション	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	現在の評価（ amp）	テスト条件	得	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	電圧 -破壊（ V	現在の - ドレイン（IDSS @ vds（vgs = 0）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	抵抗-RDS （オン）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
jantxv2n2221a	9.7489	RFQ	3854	Microsemi Corporation	軍事、MIL-PRF-19500/255	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）		穴を通して	to-206aa	2N2221			500 MW		TO-18（to-206aa	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.21.0095	1																	50 v	800 Ma								50NA				npn	1V @ 50ma 、500ma	40 @ 150ma 、10V	-
APTC90H12T1G	-	RFQ	7795	Microsemi Corporation	coolmos™	トレイ	廃止		-40°C〜150°C （TJ		シャーシマウント	SP1	APTC90		モスフェット（金属酸化物）	250W		SP1	-		1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	100	4 nチャネル（ハーフブリッジ）					900V	30a		120mohm @ 26a 、10V	3.5V @ 3MA	270NC @ 10V		6800pf @ 100V	スーパージャンクション
APT20N60SC3G	-	RFQ	3080	Microsemi Corporation	coolmos™	チューブ	廃止		-55°C〜150°C		表面マウント	TO-268-3			モスフェット（金属酸化物）			d3pak	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	30		nチャネル				600 V	20.7a（tc）	10V	190mohm @ 13.1a 、10V	3.9V @ 1MA	114 NC @ 10 V	±20V	2440 PF @ 25 V	-	208W
APTC80A15T1G	-	RFQ	9850	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止		-40°C〜150°C （TJ		シャーシマウント	SP1	APTC80		モスフェット（金属酸化物）	277W		SP1	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1	2 nチャンネル（ハーフブリッジ）					800V	28a		150mohm @ 14a 、10V	3.9V @ 2MA	180NC @ 10V		4507pf @ 25V	-
aptgt50a1202g	-	RFQ	7263	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止		-40°C〜150°C （TJ		シャーシマウント	SP2				277 W	標準	SP2	-		1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1	ハーフブリッジ															トレンチフィールドストップ	1200 v	75 a		2.1V @ 15V 、50a						50 µA	いいえ	3.6 nf @ 25 v
jantx2n4092ub	123.8600	RFQ	101	Microsemi Corporation	軍事、MIL-PRF-19500/431	バルク	アクティブ		-		表面マウント	4-SMD 、リードなし	2N4092			360 MW		4-SMD	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.21.0095	1		nチャネル				40 v							16pf @ 20V											40 v	15 mA @ 20 v				50オーム
2N7236	-	RFQ	8269	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止		-55°C〜150°C		穴を通して	TO-254-3			モスフェット（金属酸化物）			TO-254AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1		pチャネル				100 V	18a（tc）	10V	200mohm @ 11a 、10V	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V		-	4W （TA ）、125W（TC）
JANTX2N6800U	-	RFQ	8986	Microsemi Corporation	軍事、MIL-PRF-19500/557	バルク	廃止		-55°C〜150°C		表面マウント	18-clcc			モスフェット（金属酸化物）			18-ulcc （9.14x7.49）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1		nチャネル				400 V	3a（tc）	10V	1.1OHM @ 3A 、10V	4V @ 250µA	34.75 NC @ 10 V	±20V		-	800MW
apt5518bfllg	-	RFQ	7059	Microsemi Corporation	PowerMos7®	チューブ	廃止		-55°C〜150°C		穴を通して	TO-247-3			モスフェット（金属酸化物）			TO-247-3	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	30		nチャネル				550 V	31a（tc）	10V	180mohm @ 15.5a 、10V	5V @ 1MA	67 NC @ 10 V	±30V	3286 PF @ 25 V	-	403W
apt15gn120kg	-	RFQ	6344	Microsemi Corporation	PowerMos7®	チューブ	廃止		-55°C〜150°C		穴を通して	TO-220-3	APT15GN120	標準		195 w		TO-220 [k]	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	30				800V、15a 、4.3ohm、 15V												トレンチフィールドストップ	1200 v	45 a	45 a	2.1V @ 15V、15a	410µj（950µj （オフ）	90 NC	10ns/150ns
2N5093	-	RFQ	6197	Microsemi Corporation	*	バルク	アクティブ						2N5093						-	ROHS非準拠		影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1
APTGV50H120T3G	-	RFQ	2305	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止		-		シャーシマウント	SP3				270 w	標準	SP3	-		1 （無制限）		ear99	8541.29.0095	1	フルブリッジインバーター															npt 、トレンチフィールドストップ	1200 v	75 a		2.1V @ 15V 、50a						250 µA	はい	3.6 nf @ 25 v
APT31N80JC3	-	RFQ	3316	Microsemi Corporation	coolmos™	チューブ	廃止		-55°C〜150°C		シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック			モスフェット（金属酸化物）			ISOTOP®	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	10		nチャネル				800 V	31a（tc）	10V	145mohm @ 22a 、10V	3.9V @ 2MA	355 NC @ 10 V	±20V	4510 PF @ 25 V	-	833W （TC）
aptgt100dsk60t3g	-	RFQ	7545	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止		-40°C〜175°C		シャーシマウント	SP3				340 w	標準	SP3	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1	デュアルバックチョッパー															トレンチフィールドストップ	600 V	150 a		1.9V @ 15V 、100A						250 µA	はい	6.1 nf @ 25 v
jansr2n2221aub	135.1908	RFQ	8147	Microsemi Corporation	軍事、MIL-PRF-19500/255	トレイ	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）		表面マウント	3-SMD 、リードなし	2N2221			500 MW		ub	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない	ear99	8541.21.0095	1																	50 v	800 Ma								50NA				npn	1V @ 50ma 、500ma	40 @ 150ma 、10V	-
MS2472	-	RFQ	4268	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止		200°C （TJ）		シャーシマウント	M112				1350W		M112	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0075	1					5.6db												65V	40a												npn		5 @ 250MA 、5V	1.025GHz1.15GHz	-
APT6017B2LLG	-	RFQ	3534	Microsemi Corporation	PowerMos7®	チューブ	廃止		-55°C〜150°C		穴を通して	TO-247-3バリアント			モスフェット（金属酸化物）			T-Max™[B2]	-		1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	30		nチャネル				600 V	35a（tc）	10V	170mohm @ 17.5a 、10V	5V @ 2.5MA	100 NC @ 10 V	±30V	4500 PF @ 25 V	-	500W （TC）
jantxv2n6758	-	RFQ	4361	Microsemi Corporation	軍事、MIL-PRF-19500/542	バルク	廃止		-55°C〜150°C		穴を通して	to-204aa、to-3			モスフェット（金属酸化物）			to-204aa	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1		nチャネル				200 v	9a（tc）	10V	490mohm @ 9a、10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±20V		-	4W （TA ）、75W（TC）
2N5010	19.4180	RFQ	5654	Microsemi Corporation	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）		穴を通して	to-205aa、to-5-3	2N5010			1 W		to-5aa	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない	ear99	8541.21.0095	1																	500 V	200 ma								10na （icbo）				npn	1.4V @ 5MA 、25mA	30 @ 25MA 、10V	-
2N5097	-	RFQ	7947	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止		-		穴を通して	to-205aa、to-5-3				4 w		to-5	-	ROHS非準拠	適用できない		ear99	8541.29.0095	1																	600 V	1 a								-				npn	-	-	-
APT31N60BCSG	-	RFQ	2826	Microsemi Corporation	coolmos™	チューブ	廃止		-55°C〜150°C		穴を通して	TO-247-3			モスフェット（金属酸化物）			TO-247-3	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	30		nチャネル				600 V	31a（tc）	10V	100mohm @ 18a 、10v	3.9V @ 1.2MA	85 NC @ 10 V	±30V	3055 PF @ 25 V	-	255W
TPR400	-	RFQ	7688	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止		200°C （TJ）		シャーシマウント	55cx				875W		55cx	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0075	1					7.27db												55V	30a												npn		10 @ 2.5a 、5V	1.03GHz1.09GHz	-
jantxv2n6898	-	RFQ	3311	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止		-55°C〜150°C		穴を通して	to-204aa、to-3			モスフェット（金属酸化物）			to-3	-	ROHS非準拠	1 （無制限）		ear99	8541.29.0095	4		pチャネル				100 V	25a（tc）	10V	200mohm @ 15.8a 、10V	4V @ 250µA		±20V	3000 pf @ 25 v	-	150W
APT25SM120B	-	RFQ	3461	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止		-55°C〜175°C		穴を通して	TO-247-3			sicfet （炭化シリコン）			TO-247	-		1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1		nチャネル				1200 v	25a（tc）	20V	175mohm @ 10a 、20V	2.5V @ 1MA	72 NC @ 20 V	+25V、-10V		-	175W
aptgf90du60tg	-	RFQ	5452	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止		-		シャーシマウント	SP4				416 w	標準	SP4	ダウンロード		1 （無制限）		ear99	8541.29.0095	1	デュアル、共通のソース															npt	600 V	110 a		2.5V @ 15V、90a						250 µA	はい	4.3 nf @ 25 v
BYI-1	-	RFQ	3226	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止	55V		線形アンプバイアス	スタッドマウント	55フィート	BYI-1					55フィート	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1			700MA																											bysistor
APT8024LVRG	-	RFQ	7987	Microsemi Corporation	PowerMosv®	チューブ	廃止		-		穴を通して	TO-264-3、TO-264AA			モスフェット（金属酸化物）			to-264 [l]	-		1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	25		nチャネル				800 V	33a	10V	240mohm @ 16.5a 、10V	4V @ 2.5MA	425 NC @ 10 V	-	7740 PF @ 25 V	-	-
23A008	-	RFQ	6727	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止		200°C （TJ）		シャーシマウント	55bt				5W		55bt	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0075	1					8.5db〜9.5db												22V	400mA												npn		20 @ 100MA 、5V	3.7GHz	-
MS1001	-	RFQ	5447	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止		200°C （TJ）		シャーシマウント	M174				270w		M174	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0075	1					13dB												18V	20a												npn		20 @ 5a 、5V	30MHz	-
2N6251T1	-	RFQ	4147	Microsemi Corporation	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C		穴を通して	to-254-3、to-254aa	2N6251			6 W		TO-254AA	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1																	350 V	10 a								1ma				npn	1.5V @ 1.67a 、10a	6 @ 10a、3V	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

トランジスタ（ 1315）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²