画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | 入力 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | フェットタイプ | 得 | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | IGBTタイプ | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | vce(on max) @ vge | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | NTCサーミスタ | 入力容量( cies @ vce | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | ノイズフィギュア(DBタイプ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | APT40M42JN | - | ![]() | 4391 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | PowerMosiv® | トレイ | 廃止 | -55°C〜150°C | シャーシマウント | SOT-227-4、ミニブロック | モスフェット(金属酸化物) | ISOTOP® | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 400 V | 86a(tc) | 10V | 42mohm @ 43a 、10V | 4V @ 5MA | 760 NC @ 10 V | ±30V | 14000 PF @ 25 V | - | 690W | ||||||||||||||||||||
![]() | APTGF15H120T3G | - | ![]() | 5679 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | バルク | 廃止 | - | シャーシマウント | SP3 | 140 w | 標準 | SP3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | フルブリッジインバーター | npt | 1200 v | 25 a | 3.7V @ 15V、15a | 250 µA | はい | 1 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||
![]() | APT10043JVR | - | ![]() | 2867 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | チューブ | 廃止 | シャーシマウント | SOT-227-4、ミニブロック | モスフェット(金属酸化物) | ISOTOP® | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 1000 V | 22A (TJ) | 430mohm @ 500ma 、10V | 4V @ 1MA | 480 NC @ 10 V | 9000 pf @ 25 V | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | jantxv2n3960ub | - | ![]() | 5193 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 軍事、MIL-PRF-19500/399 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 表面マウント | 3-SMD 、リードなし | 2N3960 | 400 MW | ub | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 100 | 12 v | 10µa(icbo) | npn | 300MV @ 3MA 、30ma | 60 @ 10ma、1V | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | aptgt75da120t1g | - | ![]() | 6108 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | バルク | 廃止 | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | SP1 | 357 w | 標準 | SP1 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | シングル | トレンチフィールドストップ | 1200 v | 110 a | 2.1V @ 15V 、75a | 250 µA | はい | 5.34 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||
![]() | jantx2n2857ub | - | ![]() | 1844年年 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | バルク | 廃止 | -65°C〜200°C (TJ) | 表面マウント | 3-SMD 、リードなし | 200mw | ub | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 21dB | 15V | 40ma | npn | 30 @ 3MA、1V | - | 4.5db @ 450MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | aptm50am19stg | - | ![]() | 6793 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | バルク | sicで中止されました | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | SP4 | APTM50 | 炭化シリコン(原文) | 1250W | SP4 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 nチャンネル(ハーフブリッジ) | 500V | 170a | 19mohm @ 85a 、10V | 5V @ 10MA | 492NC @ 10V | 22400PF @ 25V | - | ||||||||||||||||||||
![]() | APT18F60S | - | ![]() | 9706 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Power Mos 8™ | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-268-3 | APT18F60 | モスフェット(金属酸化物) | d3pak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 600 V | 19a(tc) | 10V | 370mohm @ 9a、10V | 5V @ 1MA | 90 NC @ 10 V | ±30V | 3550 PF @ 25 V | - | 335W | |||||||||||||||||
APT8024B2LLG | 25.7000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | PowerMos7® | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-247-3バリアント | モスフェット(金属酸化物) | T-Max™[B2] | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | nチャネル | 800 V | 31a(tc) | 10V | 240mohm @ 15.5a 、10V | 5V @ 2.5MA | 160 NC @ 10 V | ±30V | 4670 PF @ 25 V | - | 565W | |||||||||||||||||||
![]() | Jan2N7228U | - | ![]() | 8973 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 軍事、MIL-PRF-19500/592 | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-267AB | モスフェット(金属酸化物) | TO-267AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 500 V | 12a(tc) | 10V | 515mohm @ 12a 、10V | 4V @ 250µA | 120 NC @ 10 V | ±20V | - | 4W (TA )、 150W (TC | |||||||||||||||||||
![]() | APT20M19JVR | - | ![]() | 7350 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | PowerMosv® | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | シャーシマウント | SOT-227-4、ミニブロック | モスフェット(金属酸化物) | ISOTOP® | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 10 | nチャネル | 200 v | 112a(tc) | 10V | 19mohm @ 500ma 、10V | 4V @ 1MA | 495 NC @ 10 V | ±30V | 11640 PF @ 25 V | - | 500W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | MS2441 | - | ![]() | 3373 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | バルク | 廃止 | 200°C (TJ) | シャーシマウント | M112 | 1458W | M112 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 6.5dB | 65V | 22a | npn | 5 @ 250MA 、5V | 1.025GHz1.15GHz | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | JANTX2N6764T1 | - | ![]() | 6198 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 軍事、MIL-PRF-19500/543 | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-254-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-254AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 100 V | 38a(tc) | 10V | 65mohm @ 38a 、10V | 4V @ 250µA | 125 NC @ 10 V | ±20V | - | 4W (TA )、 150W (TC | |||||||||||||||||||
![]() | aptgt50dh60tg | - | ![]() | 4719 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | バルク | sicで中止されました | -40°C〜175°C | シャーシマウント | SP4 | 176 W | 標準 | SP4 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 非対称ブリッジ | トレンチフィールドストップ | 600 V | 80 a | 1.9V @ 15V 、50a | 250 µA | はい | 3.15 nf @ 25 v | |||||||||||||||||||||
![]() | 1517-20M | - | ![]() | 7222 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | バルク | 廃止 | - | シャーシマウント | 55LV-1 | 175W | 55LV-1 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 7.6db〜9.3db | 65V | 3a | npn | 20 @ 500MA 、5V | 1.48GHz1.65GHz | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | jantxv2n6762 | - | ![]() | 2849 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 軍事、MIL-PRF-19500/542 | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-204aa、to-3 | モスフェット(金属酸化物) | to-204aa | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 500 V | 4.5a | 10V | 1.8OHM @ 4.5A 、10V | 4V @ 250µA | 40 NC @ 10 V | ±20V | - | 4W (TA )、75W(TC) | |||||||||||||||||||
![]() | MS2554A | - | ![]() | 7265 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | バルク | 廃止 | 200°C | シャーシマウント | M216 | 600W | M216 | - | 1 (無制限) | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | 6.2db | 65V | 17.8a | npn | 15 @ 1a 、5V | 1.025GHz1.15GHz | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SD1330-06H | - | ![]() | 5342 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | バルク | 廃止 | - | 1 (無制限) | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF8372GR2 | - | ![]() | 5767 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | - | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | 2.2W | 8-SO | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0075 | 2,500 | 8db〜9.5db | 16V | 200mA | npn | 30 @ 50ma 、5v | 870MHz | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | MS2213 | - | ![]() | 2256 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | バルク | 廃止 | 250°C (TJ) | シャーシマウント | M214 | 75W | M214 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 7.8db | 55V | 3.5a | npn | 15 @ 1a 、5V | 960MHz〜1.215GHz | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | aptgl60dh120t3g | - | ![]() | 1825年 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | バルク | 廃止 | -40°C〜175°C | シャーシマウント | SP3 | 280 W | 標準 | SP3 | - | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 非対称ブリッジ | トレンチフィールドストップ | 1200 v | 80 a | 2.25V @ 15V 、50a | 250 µA | はい | 2.77 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||
![]() | aptgl90sk120t1g | - | ![]() | 6207 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | バルク | 廃止 | -40°C〜175°C | シャーシマウント | SP1 | 385 W | 標準 | SP1 | - | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | シングル | トレンチフィールドストップ | 1200 v | 110 a | 2.25V @ 15V、75a | 250 µA | はい | 4.4 nf @ 25 v | |||||||||||||||||||||
![]() | APT5F100K | - | ![]() | 2014年 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Power Mos 8™ | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220 [k] | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 1000 V | 5a(tc) | 10V | 2.8OHM @ 3A 、10V | 5V @ 500µA | 43 NC @ 10 V | ±30V | 1409 PF @ 25 V | - | 225W | |||||||||||||||||||
APT10M09B2VFRG | - | ![]() | 3146 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | PowerMosv® | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-247-3バリアント | モスフェット(金属酸化物) | T-Max™[B2] | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | nチャネル | 100 V | 100a(tc) | 10V | 9mohm @ 50a 、10V | 4V @ 2.5MA | 350 NC @ 10 V | ±30V | 9875 PF @ 25 V | - | 625W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | 2N6796U | - | ![]() | 7583 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 18-clcc | モスフェット(金属酸化物) | 18-ulcc (9.14x7.49) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 100 V | 8a(tc) | 10V | 180mohm @ 5a 、10V | 4V @ 250ma | 6.34 NC @ 10 V | ±20V | - | 800MW | |||||||||||||||||||
![]() | 64030 | - | ![]() | 7861 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | バルク | 廃止 | - | 適用できない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | aptm50um19sg | - | ![]() | 2672 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | バルク | sicで中止されました | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | J3モジュール | モスフェット(金属酸化物) | モジュール | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 500 V | 163a(tc) | 10V | 19mohm @ 81.5a 、10V | 5V @ 10MA | 492 NC @ 10 V | ±30V | 22400 PF @ 25 V | - | 1136W | |||||||||||||||||||
![]() | JANTX2N3811 | - | ![]() | 5550 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 軍事、MIL-PRF-19500/336 | バルク | 廃止 | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | to-78-6金属缶 | 2N3811 | 350MW | to-78-6 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60V | 50ma | 10µa(icbo) | 2 PNP (デュアル) | 250MV @ 100µA、1MA | 300 @ 1MA 、5V | - | |||||||||||||||||||||
![]() | MS2473 | - | ![]() | 1946年年 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | バルク | 廃止 | 200°C (TJ) | シャーシマウント | M112 | 2300W | M112 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 6db | 65V | 46a | npn | 5 @ 1a 、5V | 1.09GHz | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | MSC80806 | - | ![]() | 1029 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | バルク | 廃止 | - | 1 (無制限) | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 |
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