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トランジスタ（ 181）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 電圧 -定格 | 動作温度 | アプリケーション | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | 現在の評価（ amp） | 電源（ VDSS ）への排水 | 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C | rds on max） @ id vgs | vgs | ゲートチャージ（ QG | ciss ）（ max @ vds | フェット機能 | トランジスタタイプ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | ALD1102ASAL | 9.4700 |  | 4188 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | チューブ | アクティブ | 0°C〜70°C （TJ | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | ALD1102 | モスフェット（金属酸化物） | 500MW | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 1014-1005 | ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 P-Channel dual ）マッチングペア | 10.6V | - | 270OHM @ 5V | 1.2V @ 10µA | - | - | - | |||||
| ALD1102SAL | 6.9000 | | 54 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | チューブ | アクティブ | 0°C〜70°C （TJ | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | ALD1102 | モスフェット（金属酸化物） | 500MW | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 1014-1007 | ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 P-Channel dual ）マッチングペア | 10.6V | - | 270OHM @ 5V | 1.2V @ 10µA | - | 10pf @ 5V | - | |||||
 | ALD1105PBL | 6.6500 | | 76 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | チューブ | アクティブ | 0°C〜70°C （TJ | 穴を通して | 14-dip （0.300 "、7.62mm） | ALD1105 | モスフェット（金属酸化物） | 500MW | 14-pdip | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 1014-1010 | ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2nおよび2pチャンネルマッチングペア | 10.6V | - | 500OHM @ 5V | 1V @ 1µA | - | 3PF @ 5V | - | |||||
| ALD1107PBL | 6.6500 | | 323 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | チューブ | アクティブ | 0°C〜70°C （TJ | 穴を通して | 14-dip （0.300 "、7.62mm） | ALD1107 | モスフェット（金属酸化物） | 500MW | 14-pdip | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 1014-1014 | ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 P-Channel 、マッチングペア | 10.6V | - | 1800OHM @ 5V | 1V @ 1µA | - | 3PF @ 5V | - | |||||
 | ALD110902PAL | 5.6464 | | 9379 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | チューブ | アクティブ | 0°C〜70°C （TJ | 穴を通して | 8-dip （0.300 "、7.62mm） | ALD110902 | モスフェット（金属酸化物） | 500MW | 8-pdip | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 1014-1034 | ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 n チャネル（デュアル）マッチングペア | 10.6V | - | 500OHM @ 4.2V | 220MV @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
| ALD110904Pal | 5.6464 | | 5212 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | チューブ | アクティブ | 0°C〜70°C （TJ | 穴を通して | 8-dip （0.300 "、7.62mm） | ALD110904 | モスフェット（金属酸化物） | 500MW | 8-pdip | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 1014-1036 | ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 n チャネル（デュアル）マッチングペア | 10.6V | 12ma、3ma | 500OHM @ 4.4V | 420MV @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
| ALD110914SAL | 4.7014 | | 9699 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | チューブ | アクティブ | 0°C〜70°C （TJ | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | ALD110914 | モスフェット（金属酸化物） | 500MW | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 1014-1043 | ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 n チャネル（デュアル）マッチングペア | 10.6V | 12ma、3ma | 500OHM @ 5.4V | 1.42V @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
 | ALD114804ASCL | 6.8020 | | 3282 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | チューブ | アクティブ | 0°C〜70°C （TJ | 表面マウント | 16-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | ALD114804 | モスフェット（金属酸化物） | 500MW | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 1014-1054 | ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n チャネル、マッチングペア | 10.6V | 12ma、3ma | 500OHM @ 3.6V | 380MV @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | 枯渇モード | |||||
| ALD114813SCL | 5.8826 | | 3801 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | チューブ | アクティブ | 0°C〜70°C （TJ | 表面マウント | 16-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | ALD114813 | モスフェット（金属酸化物） | 500MW | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 1014-1058 | ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n チャネル、マッチングペア | 10.6V | 12ma、3ma | 500OHM @ 2.7V | 1.26V @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | 枯渇モード | |||||
| ALD114904SAL | 5.1500 | | 29 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | チューブ | アクティブ | 0°C〜70°C （TJ | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | ALD114904 | モスフェット（金属酸化物） | 500MW | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 1014-1064 | ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 n チャネル（デュアル）マッチングペア | 10.6V | 12ma、3ma | 500OHM @ 3.6V | 360MV @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | 枯渇モード | |||||
| ald114935pal | 6.0054 | | 3158 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | チューブ | アクティブ | 0°C〜70°C （TJ | 穴を通して | 8-dip （0.300 "、7.62mm） | ALD114935 | モスフェット（金属酸化物） | 500MW | 8-pdip | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 1014-1067 | ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 n チャネル（デュアル）マッチングペア | 10.6V | 12ma、3ma | 540OHM @ 0V | 3.45V @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | 枯渇モード | |||||
| ald1101bpal | 8.8038 | | 6794 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | チューブ | アクティブ | 0°C〜70°C （TJ | 穴を通して | 8-dip （0.300 "、7.62mm） | ALD1101 | モスフェット（金属酸化物） | 500MW | 8-pdip | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 n チャネル（デュアル）マッチングペア | 10.6V | - | 75OHM @ 5V | 1V @ 10µA | - | - | - | ||||||
 | ALD1108EPCL | - | | 2223 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | チューブ | アクティブ | 0°C〜70°C （TJ | 穴を通して | 16-dip （0.300 "、7.62mm） | ALD1108 | モスフェット（金属酸化物） | 600MW | 16-pdip | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n チャネル、マッチングペア | 10V | - | 500OHM @ 5V | 1.01V @ 1µA | - | 25pf @ 5V | - | ||||||
| ALD1108ESCL | 5.2920 | | 7993 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | チューブ | アクティブ | 0°C〜70°C （TJ | 表面マウント | 16-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | ALD1108 | モスフェット（金属酸化物） | 600MW | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n チャネル、マッチングペア | 10V | - | 500OHM @ 5V | 1.01V @ 1µA | - | 25pf @ 5V | - | ||||||
| ald1110esal | 6.8234 | | 7127 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | チューブ | アクティブ | 0°C〜70°C （TJ | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | ALD1110 | モスフェット（金属酸化物） | 600MW | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 n チャネル（デュアル）マッチングペア | 10V | - | 500OHM @ 5V | 1.01V @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | ||||||
 | ald1115mal | - | | 4197 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C （TJ | 表面マウント | 8-TSSOP 、8-MSOP （0.118 "、3.00mm 幅） | ALD1115 | モスフェット（金属酸化物） | 500MW | 8-msop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 50 | nおよびpチャネルの相補的 | 10.6V | - | 1800OHM @ 5V | 1V @ 1µA | - | 3PF @ 5V | - | ||||||
 | ALD810029SCLI | 5.7432 | | 1062 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | チューブ | アクティブ | - | スーパーキャパシタオートバランシング | 表面マウント | 16-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | ALD810029 | 16-SOIC | ダウンロード | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 1014-ALD810029SCLI | 50 | - | 4 nチャネル | |||||||||||||||
| ALD212908APAL | 8.6100 | | 1848年年 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | epad®、ゼロしきい値™ | チューブ | アクティブ | 0°C〜70°C （TJ | 穴を通して | 8-dip （0.300 "、7.62mm） | ALD212908 | モスフェット（金属酸化物） | 500MW | 8-pdip | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 n チャネル（デュアル）マッチングペア | 10.6V | 80ma | - | 20MV @ 10µA | - | - | ロジックレベルゲート | ||||||
| ALD210800APCL | 9.7600 | | 56 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | epad®、ゼロしきい値™ | チューブ | アクティブ | 0°C〜70°C （TJ | 穴を通して | 16-dip （0.300 "、7.62mm） | ALD210800 | モスフェット（金属酸化物） | 500MW | 16-pdip | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 1014-1216 | ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n チャネル、マッチングペア | 10.6V | 80ma | 25ohm | 10mv @ 10µa | - | 15pf @ 5V | ロジックレベルゲート | |||||
| ald1101apal | 9.8096 | | 3107 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | チューブ | アクティブ | 0°C〜70°C （TJ | 穴を通して | 8-dip （0.300 "、7.62mm） | ALD1101 | モスフェット（金属酸化物） | 500MW | 8-pdip | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 1014-1000 | ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 n チャネル（デュアル）マッチングペア | 10.6V | - | 75OHM @ 5V | 1V @ 10µA | - | 10pf @ 5V | - | |||||
 | ALD212900PAL | 6.6000 | | 7 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | epad®、ゼロしきい値™ | チューブ | アクティブ | 0°C〜70°C （TJ | 穴を通して | 8-dip （0.300 "、7.62mm） | ALD212900 | モスフェット（金属酸化物） | 500MW | 8-pdip | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 1014-1212 | ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 n チャネル（デュアル）マッチングペア | 10.6V | 80ma | 14ohm | 20MV @ 20µA | - | 30pf @ 5V | ロジックレベルゲート | |||||
| ALD110800APCL | 9.6400 | | 38 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | epad®、ゼロしきい値™ | チューブ | アクティブ | 0°C〜70°C （TJ | 穴を通して | 16-dip （0.300 "、7.62mm） | ALD110800 | モスフェット（金属酸化物） | 500MW | 16-pdip | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 1014-1016 | ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n チャネル、マッチングペア | 10.6V | - | 500OHM @ 4V | 10mv @ 1µa | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
| ALD210800SCL | 7.2700 | | 48 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | epad®、ゼロしきい値™ | チューブ | アクティブ | 0°C〜70°C （TJ | 表面マウント | 16-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | ALD210800 | モスフェット（金属酸化物） | 500MW | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 1014-1210 | ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n チャネル、マッチングペア | 10.6V | 80ma | 25ohm | 20MV @ 10µA | - | 15pf @ 5V | ロジックレベルゲート | |||||
| ald1116pal | 5.6500 | | 102 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | チューブ | アクティブ | 0°C〜70°C （TJ | 穴を通して | 8-dip （0.300 "、7.62mm） | ALD1116 | モスフェット（金属酸化物） | 500MW | 8-pdip | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 1014-1046 | ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 n チャネル（デュアル）マッチングペア | 10.6V | - | 500OHM @ 5V | 1V @ 1µA | - | 3PF @ 5V | - | |||||
| ald114913pal | 5.4888 | | 6588 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | チューブ | アクティブ | 0°C〜70°C （TJ | 穴を通して | 8-dip （0.300 "、7.62mm） | ALD114913 | モスフェット（金属酸化物） | 500MW | 8-pdip | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 1014-1065 | ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 n チャネル（デュアル）マッチングペア | 10.6V | 12ma、3ma | 500OHM @ 2.7V | 1.26V @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | 枯渇モード | |||||
| ALD114904Pal | 5.8118 | | 4355 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | チューブ | アクティブ | 0°C〜70°C （TJ | 穴を通して | 8-dip （0.300 "、7.62mm） | ALD114904 | モスフェット（金属酸化物） | 500MW | 8-pdip | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 1014-1063 | ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 n チャネル（デュアル）マッチングペア | 10.6V | 12ma、3ma | 500OHM @ 3.6V | 360MV @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | 枯渇モード | |||||
| ALD110900APAL | 8.1500 | | 34 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | epad®、ゼロしきい値™ | チューブ | アクティブ | 0°C〜70°C （TJ | 穴を通して | 8-dip （0.300 "、7.62mm） | ALD110900 | モスフェット（金属酸化物） | 500MW | 8-pdip | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 1014-1030 | ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 n チャネル（デュアル）マッチングペア | 10.6V | - | 500OHM @ 4V | 10mv @ 1µa | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
| ald114804apcl | 9.0404 | | 1078 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | チューブ | アクティブ | 0°C〜70°C （TJ | 穴を通して | 16-dip （0.300 "、7.62mm） | ALD114804 | モスフェット（金属酸化物） | 500MW | 16-pdip | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 1014-1053 | ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n チャネル、マッチングペア | 10.6V | 12ma、3ma | 500OHM @ 3.6V | 380MV @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | 枯渇モード | |||||
| ALD110802PCL | 6.5006 | | 2566 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | チューブ | アクティブ | 0°C〜70°C （TJ | 穴を通して | 16-dip （0.300 "、7.62mm） | ALD110802 | モスフェット（金属酸化物） | 500MW | 16-pdip | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 1014-1020 | ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n チャネル、マッチングペア | 10.6V | - | 500OHM @ 4.2V | 220MV @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
| ALD1101ASAL | 9.4700 | | 46 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | チューブ | アクティブ | 0°C〜70°C （TJ | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | ALD1101 | モスフェット（金属酸化物） | 500MW | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 1014-1001 | ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 n チャネル（デュアル）マッチングペア | 10.6V | - | 75OHM @ 5V | 1V @ 10µA | - | - | - |
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