画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 電圧 -定格 | 動作温度 | アプリケーション | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | 現在の評価( amp) | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | ciss )( max @ vds | フェット機能 | トランジスタタイプ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ALD110904SAL | 4.2288 | ![]() | 7289 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | チューブ | アクティブ | 0°C〜70°C (TJ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | ALD110904 | モスフェット(金属酸化物) | 500MW | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1014-1037 | ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 n チャネル(デュアル)マッチングペア | 10.6V | 12ma、3ma | 500OHM @ 4.4V | 420MV @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
![]() | ALD110908ASAL | 6.3400 | ![]() | 2357 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | チューブ | アクティブ | 0°C〜70°C (TJ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | ALD110908 | モスフェット(金属酸化物) | 500MW | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1014-1039 | ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 n チャネル(デュアル)マッチングペア | 10.6V | 12ma、3ma | 500OHM @ 4.8V | 810mv @ 1µa | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
![]() | ALD110908PAL | 5.7472 | ![]() | 9978 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | チューブ | アクティブ | 0°C〜70°C (TJ | 穴を通して | 8-dip (0.300 "、7.62mm) | ALD110908 | モスフェット(金属酸化物) | 500MW | 8-pdip | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1014-1040 | ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 n チャネル(デュアル)マッチングペア | 10.6V | 12ma、3ma | 500OHM @ 4.8V | 820MV @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
![]() | ALD110914Pal | 5.7472 | ![]() | 7987 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | チューブ | アクティブ | 0°C〜70°C (TJ | 穴を通して | 8-dip (0.300 "、7.62mm) | ALD110914 | モスフェット(金属酸化物) | 500MW | 8-pdip | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1014-1042 | ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 n チャネル(デュアル)マッチングペア | 10.6V | 12ma、3ma | 500OHM @ 5.4V | 1.42V @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
![]() | ALD1116SAL | 4.2600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | チューブ | アクティブ | 0°C〜70°C (TJ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | ALD1116 | モスフェット(金属酸化物) | 500MW | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1014-1047 | ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 n チャネル(デュアル)マッチングペア | 10.6V | - | 500OHM @ 5V | 1V @ 1µA | - | 3PF @ 5V | - | |||||
![]() | ald111933mal | - | ![]() | 8828 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C (TJ | 表面マウント | 8-TSSOP 、8-MSOP (0.118 "、3.00mm 幅) | ALD111933 | モスフェット(金属酸化物) | 500MW | 8-msop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1014-1050 | ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 n チャネル(デュアル)マッチングペア | 10.6V | - | 500OHM @ 5.9V | 3.35V @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
![]() | ALD111933SAL | 5.1400 | ![]() | 250 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | チューブ | アクティブ | 0°C〜70°C (TJ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | ALD111933 | モスフェット(金属酸化物) | 500MW | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 n チャネル(デュアル)マッチングペア | 10.6V | - | 500OHM @ 5.9V | 3.35V @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | ||||||
![]() | ALD212900SAL | 5.6228 | ![]() | 7016 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | epad®、ゼロしきい値™ | チューブ | アクティブ | 0°C〜70°C (TJ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | ALD212900 | モスフェット(金属酸化物) | 500MW | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1014-1209 | ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 n チャネル(デュアル)マッチングペア | 10.6V | 80ma | 14ohm | 20MV @ 20µA | - | 30pf @ 5V | ロジックレベルゲート | |||||
![]() | ALD212900APAL | 7.9200 | ![]() | 1494 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | epad®、ゼロしきい値™ | チューブ | アクティブ | 0°C〜70°C (TJ | 穴を通して | 8-dip (0.300 "、7.62mm) | ALD212900 | モスフェット(金属酸化物) | 500MW | 8-pdip | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1014-1215 | ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 n チャネル(デュアル)マッチングペア | 10.6V | 80ma | 14ohm | 10mv @ 20µa | - | 30pf @ 5V | ロジックレベルゲート | |||||
![]() | ALD1102BSAL | 6.6082 | ![]() | 7427 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | チューブ | アクティブ | 0°C〜70°C (TJ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | ALD1102 | モスフェット(金属酸化物) | 500MW | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1014-1256 | ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 P-Channel dual )マッチングペア | 10.6V | - | - | - | - | - | - | |||||
![]() | ald111910pal | - | ![]() | 4901 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | チューブ | 廃止 | - | - | - | ALD111910 | - | - | - | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1014-1220 | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | - | - | - | - | - | - | - | - | |||||
![]() | ALD810024SCL | 4.7958 | ![]() | 8235 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | sab™ | チューブ | アクティブ | 10.6V | スーパーキャパシタオートバランシング | 表面マウント | 16-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | ALD810024 | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1014-1258-5 | ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 80ma | 4 nチャネル | ||||||||||||
![]() | ALD810026SCL | 6.4800 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | sab™ | チューブ | アクティブ | 10.6V | スーパーキャパシタオートバランシング | 表面マウント | 16-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | ALD810026 | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1014-1260-5 | ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 80ma | 4 nチャネル | ||||||||||||
![]() | ALD810027SCL | 6.4800 | ![]() | 9860 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | sab™ | チューブ | アクティブ | 10.6V | スーパーキャパシタオートバランシング | 表面マウント | 16-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | ALD810027 | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1014-1261-5 | ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 80ma | 4 nチャネル | ||||||||||||
![]() | ALD810028SCL | 5.5046 | ![]() | 4021 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | sab™ | チューブ | アクティブ | 10.6V | スーパーキャパシタオートバランシング | 表面マウント | 16-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | ALD810028 | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1014-1262-5 | ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 80ma | 4 nチャネル | ||||||||||||
![]() | ALD910023SAL | 5.0400 | ![]() | 51 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | sab™ | チューブ | アクティブ | 10.6V | スーパーキャパシタオートバランシング | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | ALD910023 | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1014-1263-5 | ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 80ma | 2 nチャンネル(デュアル) | ||||||||||||
![]() | ALD210804PCL | 6.3498 | ![]() | 7102 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | epad®、ゼロしきい値™ | チューブ | アクティブ | 0°C〜70°C (TJ | 穴を通して | 16-dip (0.300 "、7.62mm) | ALD210804 | モスフェット(金属酸化物) | 500MW | 16-pdip | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n チャネル、マッチングペア | 10.6V | 80ma | - | 20MV @ 10µA | - | - | ロジックレベルゲート | ||||||
![]() | ALD210808SCL | 5.8118 | ![]() | 8523 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | epad®、ゼロしきい値™ | チューブ | アクティブ | 0°C〜70°C (TJ | 表面マウント | 16-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | ALD210808 | モスフェット(金属酸化物) | 500MW | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n チャネル、マッチングペア | 10.6V | 80ma | - | 20MV @ 10µA | - | - | ロジックレベルゲート | ||||||
![]() | ALD210814PCL | 6.3498 | ![]() | 4240 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | epad®、ゼロしきい値™ | チューブ | アクティブ | - | 穴を通して | 16-dip (0.300 "、7.62mm) | ALD210814 | モスフェット(金属酸化物) | - | 16-pdip | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 4 n チャネル、マッチングペア | 10.6V | 80ma | - | 20MV @ 10µA | - | - | ロジックレベルゲート | ||||||
![]() | ALD210814SCL | 5.7256 | ![]() | 8896 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | epad®、ゼロしきい値™ | チューブ | アクティブ | - | 表面マウント | 16-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | ALD210814 | モスフェット(金属酸化物) | 500MW | 16-SOIC | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n チャネル、マッチングペア | 10.6V | 80ma | - | 20MV @ 10µA | - | - | ロジックレベルゲート | ||||||
![]() | ALD212902PAL | 5.6826 | ![]() | 5658 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | epad®、ゼロしきい値™ | チューブ | アクティブ | 0°C〜70°C (TJ | 穴を通して | 8-dip (0.300 "、7.62mm) | ALD212902 | モスフェット(金属酸化物) | 500MW | 8-pdip | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 n チャネル(デュアル)マッチングペア | 10.6V | 80ma | - | 20MV @ 10µA | - | - | ロジックレベルゲート | ||||||
![]() | ALD212908Pal | 5.6826 | ![]() | 7632 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | epad®、ゼロしきい値™ | チューブ | アクティブ | 0°C〜70°C (TJ | 穴を通して | 8-dip (0.300 "、7.62mm) | ALD212908 | モスフェット(金属酸化物) | 500MW | 8-pdip | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 n チャネル(デュアル)マッチングペア | 10.6V | 80ma | - | 20MV @ 10µA | - | - | ロジックレベルゲート | ||||||
![]() | ALD212914SAL | 6.6728 | ![]() | 4033 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | epad®、ゼロしきい値™ | チューブ | アクティブ | - | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | ALD212914 | モスフェット(金属酸化物) | 500MW | 8-SOIC | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 n チャネル(デュアル)マッチングペア | 10.6V | 80ma | - | 20MV @ 10µA | - | - | ロジックレベルゲート | ||||||
ALD310708SCL | 6.9700 | ![]() | 72 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | epad®、ゼロしきい値™ | チューブ | アクティブ | 0°C〜70°C | 表面マウント | 16-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | ALD310708 | モスフェット(金属酸化物) | 500MW | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1014-1299 | ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 P-Channel 、マッチングペア | 8V | - | - | 780MV @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | ||||||
![]() | ald111933pal | 5.7644 | ![]() | 7667 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | チューブ | アクティブ | 0°C〜70°C (TJ | 穴を通して | 8-dip (0.300 "、7.62mm) | ALD111933 | モスフェット(金属酸化物) | 500MW | 8-pdip | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1014-1051 | ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 n チャネル(デュアル)マッチングペア | 10.6V | - | 500OHM @ 5.9V | 3.35V @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
![]() | ALD212908SAL | 5.6228 | ![]() | 5921 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | epad®、ゼロしきい値™ | チューブ | アクティブ | 0°C〜70°C (TJ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | ALD212908 | モスフェット(金属酸化物) | 500MW | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 n チャネル(デュアル)マッチングペア | 10.6V | 80ma | - | 20MV @ 10µA | - | - | ロジックレベルゲート | ||||||
![]() | ALD114835PCL | 7.8996 | ![]() | 4717 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | チューブ | アクティブ | 0°C〜70°C (TJ | 穴を通して | 16-dip (0.300 "、7.62mm) | ALD114835 | モスフェット(金属酸化物) | 500MW | 16-pdip | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1014-1059 | ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n チャネル、マッチングペア | 10.6V | 12ma、3ma | 540OHM @ 0V | 3.45V @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | 枯渇モード | |||||
![]() | ald110800ascl | 8.6000 | ![]() | 436 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | epad®、ゼロしきい値™ | チューブ | アクティブ | 0°C〜70°C (TJ | 表面マウント | 16-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | ALD110800 | モスフェット(金属酸化物) | 500MW | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1014-1017 | ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n チャネル、マッチングペア | 10.6V | - | 500OHM @ 4V | 10mv @ 1µa | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
![]() | ALD1117SAL | 4.2600 | ![]() | 574 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | チューブ | アクティブ | 0°C〜70°C (TJ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | ALD1117 | モスフェット(金属酸化物) | 500MW | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1014-1049 | ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 P-Channel dual )マッチングペア | 10.6V | - | 1800OHM @ 5V | 1V @ 1µA | - | 3PF @ 5V | - | |||||
![]() | ALD1106PBL | 6.6500 | ![]() | 634 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | チューブ | アクティブ | 0°C〜70°C (TJ | 穴を通して | 14-dip (0.300 "、7.62mm) | ALD1106 | モスフェット(金属酸化物) | 500MW | 14-pdip | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1014-1012 | ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n チャネル、マッチングペア | 10.6V | - | 500OHM @ 5V | 1V @ 1µA | - | 3PF @ 5V | - |
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