SIC
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トランジスタ（2488）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在の - ドレイン（IDSS @ vds（vgs = 0） 電圧-Cutoff（ VGSオフ） @ id 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
2SK2995(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2995 -
RFQ
 ECAD 9943 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 2SK2995 モスフェット（金属酸化物） to-3p ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 250 v 30a（ta） 10V 68mohm @ 15a 、10V 3.5V @ 1MA 132 NC @ 10 V ±20V 5400 PF @ 10 V - 90W
SSM6J503NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J503NU 、LF 0.4600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 6-wdfn露出パッド SSM6J503 モスフェット（金属酸化物） 6-udfnb （2x2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 20 v 6a（ta） 1.5V 、4.5V 32.4mohm @ 3a 、4.5V 1V @ 1MA 12.8 NC @ 10 V ±8V 840 PF @ 10 V - 1W
XPW6R30ANB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPW6R30ANB 、L1XHQ 1.9800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERVDFN XPW6R30 モスフェット（金属酸化物） 8-DSOP Advance ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 100 V 45a（ta） 6V 、10V 6.3mohm @ 22.5a 、10V 3.5V @ 500µA 52 NC @ 10 V ±20V 3240 PF @ 10 V - 960MW
RN2415,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2415 、LXHF 0.3400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN2415 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 200 MHz 2.2 KOHMS 10 Kohms
2SC5354,XGQ(O Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5354、XGQ（O -
RFQ
 ECAD 1637 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * チューブ アクティブ 2SC5354 ダウンロード ROHS準拠 適用できない ear99 8541.29.0095 50
2SA1931,NSEIKIQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1931 -
RFQ
 ECAD 5094 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SA1931 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 50 v 5 a 1µa（icbo） PNP 400mv @ 200ma 、2a 100 @ 1a、1V 60MHz
TPHR9203PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPHR9203PL 、L1Q 1.6300
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPHR9203 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 30 V 150a 4.5V 、10V 2.1V @ 500µA 80 NC @ 10 V ±20V 7540 PF @ 15 V - 132W
TPC8134,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8134 0.7300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） TPC8134 モスフェット（金属酸化物） 8ソップ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 pチャネル 40 v 5a（ta） 4.5V 、10V 52mohm @ 2.5a 、10V 2V @ 100µA 20 NC @ 10 V +20V、-25V 890 PF @ 10 V - 1W
SSM6N62TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N62TU 、LXHF 0.4600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6N62 モスフェット（金属酸化物） 500MW UF6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 20V 800ma（ta） 85mohm @ 800ma 、4.5v 1V @ 1MA 2NC @ 4.5V 177pf @ 10V ロジックレベルゲート、1.2Vドライブ
SSM3K7002KFU,LXH Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K7002KFU 、LXH 0.4000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SC-70、SOT-323 モスフェット（金属酸化物） USM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 60 V 400ma（ta） 4.5V 、10V 1.5OHM @ 100MA 、10V 2.1V @ 250µA 0.6 NC @ 4.5 v ±20V 40 pf @ 10 v - 150MW
2SC5886A,L1XHQ(O Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5886A -
RFQ
 ECAD 7632 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * テープ＆リール（ tr） アクティブ 2SC5886 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000
SSM6K781G,LF Toshiba Semiconductor and Storage ssm6k781g、lf 0.5100
RFQ
 ECAD 850 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 6-ufbga、wlcsp SSM6K781 モスフェット（金属酸化物） 6-wcspc（1.5x1.0 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 12 v 7a（ta） 1.5V 、4.5V 18mohm @ 1.5a 、4.5V 1V @ 250µA 5.4 NC @ 4.5 v ±8V 600 pf @ 6 v - 1.6W
SSM3K15F,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K15F 、LF 0.2300
RFQ
 ECAD 72 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント TO-236-3 SSM3K15 モスフェット（金属酸化物） s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 30 V 100ma（ta） 2.5V 、4V 4OHM @ 10MA 、4V 1.5V @ 100µA ±20V 7.8 PF @ 3 V - 200MW
TK14A65W5,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK14A65W5、S5x 2.8900
RFQ
 ECAD 4496 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK14A65 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 650 V 13.7a 10V 300mohm @ 6.9a 、10V 4.5V @ 690µA 40 NC @ 10 V ±30V 1300 pf @ 300 v - 40W （TC）
TPCP8203(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8203 -
RFQ
 ECAD 5326 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SMD 、フラットリード TPCP8203 モスフェット（金属酸化物） 360MW PS-8（2.9x2.4） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 40V 4.7a - 2.5V @ 1MA - - -
TK60P03M1,RQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TK60P03M1 -
RFQ
 ECAD 6408 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi-h テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK60P03 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 30 V 60a（ta） 4.5V 、10V 6.4mohm @ 30a 、10v 2.3V @ 500µA 40 NC @ 10 V ±20V 2700 PF @ 10 V - 63W
RN2108,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn2108 0.3300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN2108 100 MW SSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200 MHz 22 Kohms 47 Kohms
TPH9R00CQH,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH9R00CQH 、LQ 2.0000
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERVDFN モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） 264-TPH9R00CQHLQTR ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 150 v 64a（tc） 8V 、10V 9mohm @ 32a 、10V 4.3V @ 1MA 44 NC @ 10 V ±20V 5400 PF @ 75 v - 960MW
TK9A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK9A45D 1.7100
RFQ
 ECAD 8473 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK9A45 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 450 v 9a（ta） 10V 770mohm @ 4.5a 、10V 4V @ 1MA 16 NC @ 10 V ±30V 800 PF @ 25 V - 40W （TC）
RN2310(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2310 0.0474
RFQ
 ECAD 6131 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN2310 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200 MHz 4.7 Kohms
TPHR8504PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPHR8504PL 、L1Q 1.9400
RFQ
 ECAD 5381 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPHR8504 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 40 v 150a 4.5V 、10V 0.85mohm @ 50a 、10V 2.4V @ 1MA 103 NC @ 10 V ±20V 9600 PF @ 20 V - 1W （TA）、170W（TC）
RN4987FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn4987fe 0.2700
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN4987 100MW ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バイアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 、200MHz 10kohms 47kohms
2SK2989,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2989 -
RFQ
 ECAD 7347 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 穴を通して TO-226-3 2SK2989 to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 1 5a（tj）
2SK2145-BL(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2145-BL （TE85L f 0.6800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント SC-74A 、SOT-753 2SK2145 300 MW SMV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 13pf @ 10V 6 ma @ 10 v 200 mV @ 100 Na
TPH3R704PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R704PL 、L1Q 0.9400
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERVDFN TPH3R704 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 40 v 92a（tc） 4.5V 、10V 3.7mohm @ 46a 、10V 2.4V @ 200µA 27 NC @ 10 V ±20V 2500 PF @ 20 V - 960MW
TW027N65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW027N65C、S1F 22.7000
RFQ
 ECAD 4982 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 175°C 穴を通して TO-247-3 sicfet （炭化シリコン） TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 650 V 58a 18V 37mohm @ 29a、18V 5V @ 3MA 65 NC @ 18 V +25V、-10V 2288 PF @ 400 v - 156W
TK14N65W,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK14N65W、S1F 3.3800
RFQ
 ECAD 8957 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-247-3 TK14N65 モスフェット（金属酸化物） TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 650 V 13.7a 10V 250mohm @ 6.9a 、10V 3.5V @ 690µA 35 NC @ 10 V ±30V 1300 pf @ 300 v - 130W
TK25V60X5,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK25V60X5 5.0300
RFQ
 ECAD 8257 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 4-VSFN露出パッド モスフェット（金属酸化物） 4-dfn-ep（8x8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 600 V 25a（ta） 10V 150mohm @ 7.5a 、10V 4.5V @ 1.2MA 60 NC @ 10 V ±30V 2400 pf @ 300 v - 180W
XPN7R104NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPN7R104NC 、L1XHQ 1.2500
RFQ
 ECAD 9396 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiii テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERVDFN XPN7R104 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE-WF（3.1x3.1 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 40 v 20a（ta） 4.5V 、10V 7.1mohm @ 10a 、10v 2.5V @ 200µA 21 NC @ 10 V ±20V 1290 PF @ 10 V - 840MW
TJ20S04M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ20S04M3L 、LXHQ 0.9400
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント to-252-3 TJ20S04 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 pチャネル 40 v 20a（ta） 6V 、10V 22.2mohm @ 10a 、10V 3V @ 1MA 37 NC @ 10 V +10V、-20V 1850 pf @ 10 v - 41W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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