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トランジスタ（2488）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在の - ドレイン（IDSS @ vds（vgs = 0） 電圧-Cutoff（ VGSオフ） @ id 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
TK5A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK5A60D 1.5700
RFQ
 ECAD 3980 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK5A60 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 5a（ta） 10V 1.43OHM @ 2.5A 、10V 4.4V @ 1MA 16 NC @ 10 V ±30V 700 PF @ 25 V - 35W （TC）
TK055U60Z1,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK055U60Z1、RQ 5.5900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 8-POWERSFN モスフェット（金属酸化物） 通行料金 - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 600 V 40a（ta） 10V 55mohm @ 15a 、10V 4V @ 1.69ma 65 NC @ 10 V ±30V 3680 PF @ 300 v - 270W
SSM6N55NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage ssm6n55nu、lf 0.4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 6-wdfn露出パッド SSM6N55 モスフェット（金属酸化物） 1W 6-µDFN （2x2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 30V 4a 46mohm @ 4a 、10V 2.5V @ 100µA 2.5NC @ 4.5V 280pf @ 15V ロジックレベルゲート
TK22A65X,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK22A65X、S5x 3.8400
RFQ
 ECAD 188 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-220-3フルパック TK22A65 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 650 V 22a（ta） 10V 150mohm @ 11a 、10V 3.5V @ 1.1MA 50 NC @ 10 V ±30V 2400 pf @ 300 v - 45W
TPN5R203PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN5R203PL 、LQ 0.6400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERVDFN TPN5R203 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.1x3.1） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 38a（tc） 4.5V 、10V 5.2mohm @ 19a 、10V 2.1V @ 200µA 22 NC @ 10 V ±20V 1975 pf @ 15 v - 610MW
TK28N65W5,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK28N65W5、S1F 6.6700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-247-3 TK28N65 モスフェット（金属酸化物） TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 650 V 27.6a（ta） 10V 130mohm @ 13.8a 、10V 4.5V @ 1.6ma 90 NC @ 10 V ±30V 3000 pf @ 300 v - 230W
TPWR6003PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPWR6003PL 、L1Q 3.0600
RFQ
 ECAD 458 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERWDFN TPWR6003 モスフェット（金属酸化物） 8-DSOP Advance ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 30 V 150a 4.5V 、10V 0.6mohm @ 50a 、10V 2.1V @ 1MA 110 NC @ 10 V ±20V 10000 PF @ 15 V - 960MW
SSM3K35MFV(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K35MFV -
RFQ
 ECAD 8872 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-723 SSM3K35 モスフェット（金属酸化物） vesm ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 nチャネル 20 v 180ma（ta） 1.2V 、4V 3OHM @ 50MA 、4V 1V @ 1MA ±10V 9.5 PF @ 3 V - 150MW
2SK2145-BL(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2145-BL （TE85L f 0.6800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント SC-74A 、SOT-753 2SK2145 300 MW SMV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 13pf @ 10V 6 ma @ 10 v 200 mV @ 100 Na
TPH9R00CQH,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH9R00CQH 、LQ 2.0000
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERVDFN モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） 264-TPH9R00CQHLQTR ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 150 v 64a（tc） 8V 、10V 9mohm @ 32a 、10V 4.3V @ 1MA 44 NC @ 10 V ±20V 5400 PF @ 75 v - 960MW
TW027N65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW027N65C、S1F 22.7000
RFQ
 ECAD 4982 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 175°C 穴を通して TO-247-3 sicfet （炭化シリコン） TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 650 V 58a 18V 37mohm @ 29a、18V 5V @ 3MA 65 NC @ 18 V +25V、-10V 2288 PF @ 400 v - 156W
XPH2R106NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPH2R106NC 、L1XHQ 2.1700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 自動車、aec-q101、u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-SOIC （0.197 "、幅5.00mm） XPH2R106 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 60 V 110a（ta） 2.1mohm @ 55a 、10V 2.5V @ 1MA 104 NC @ 10 V ±20V 6900 PF @ 10 V - 960MW
TPW4R008NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPW4R008NH 、L1Q 2.7900
RFQ
 ECAD 4510 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERWDFN TPW4R008 モスフェット（金属酸化物） 8-DSOP Advance ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 80 v 116a（tc） 10V 4mohm @ 50a 、10V 4V @ 1MA 59 NC @ 10 V ±20V 5300 PF @ 40 V - 800MW
TK5P53D(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK5P53D（T6RSS-Q） 1.3400
RFQ
 ECAD 4199 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK5P53 モスフェット（金属酸化物） d-pak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 525 v 5a（ta） 10V 1.5OHM @ 2.5A 、10V 4.4V @ 1MA 11 NC @ 10 V ±30V 540 PF @ 25 V - 80W
SSM3J15FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J15FS 、LF 0.2500
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SC-75、SOT-416 SSM3J15 モスフェット（金属酸化物） SSM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 30 V 100ma（ta） 2.5V 、4V 12OHM @ 10MA 、4V 1.7V @ 100µA ±20V 9.1 PF @ 3 V - 100MW
TK7A60W,S4VX Toshiba Semiconductor and Storage TK7A60W、S4VX 1.9200
RFQ
 ECAD 1040 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK7A60 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 7a（ta） 10V 600mohm @ 3.5a 、10V 3.7V @ 350µA 15 NC @ 10 V ±30V 490 PF @ 300 v - 30W （TC）
RN4987FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn4987fe 0.3800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN4987 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 、200MHz 10kohms 47kohms
HN1C01FU-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage hn1c01fu-y、lxhf 0.4100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 HN1C01 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 150ma 100na（icbo） 2 NPN （デュアル） 250MV @ 10MA 、100mA 120 @ 2MA 、6V 80MHz
SSM3K15ACTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K15ACTC、L3F 0.3200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiii テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SC-101 、SOT-883 SSM3K15 モスフェット（金属酸化物） CST3C ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 nチャネル 30 V 100ma（ta） 2.5V 、4V 3.6OHM @ 10MA 、4V 1.5V @ 100µA ±20V 13.5 pf @ 3 v - 500MW
RN2706JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn2706je（TE85L 0.3900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-553 RN2706 100MW ESV ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル）（エミッタ結合） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 4.7kohms 47kohms
RN2710,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2710 、LF 0.3000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 5-TSSOP 、SC-70-5 、SOT-353 RN2710 200mw USV ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200MHz 4.7kohms -
RN1908,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1908 0.3600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN1908 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500na 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 22kohms 47kohms
TPCF8304(TE85L,F,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8304 （TE85L -
RFQ
 ECAD 5747 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SMD 、フラットリード TPCF8304 モスフェット（金属酸化物） 330MW vs-8（2.9x1.5 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 2 P-Channel （デュアル） 30V 3.2a 72mohm @ 1.6a、10V 1.2V @ 1MA 14NC @ 10V 600pf @ 10V ロジックレベルゲート
RN2911FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn2911fe 0.3500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN2911 100MW ES6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200MHz 10kohms -
TK14N65W5,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK14N65W5、S1F 4.3100
RFQ
 ECAD 4776 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-247-3 TK14N65 モスフェット（金属酸化物） TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 650 V 13.7a 10V 300mohm @ 6.9a 、10V 4.5V @ 690µA 40 NC @ 10 V ±30V 1300 pf @ 300 v - 130W
SSM6L39TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L39TU 、LF 0.4600
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6L39 モスフェット（金属酸化物） 500MW UF6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nおよびpチャネル 20V 800mA 143mohm @ 600ma 、4v 1V @ 1MA - 268pf @ 10V ロジックレベルゲート、 1.8Vドライブ
2SC3074-O(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3074-O -
RFQ
 ECAD 3255 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 2SC3074 1 W pw-mold ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 200 50 v 5 a 1µa（icbo） npn 400MV @ 150MA、3a 70 @ 1a、1V 120MHz
XPN3R804NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPN3R804NC 、L1XHQ 1.4700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERVDFN XPN3R804 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE-WF（3.1x3.1 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 40 v 40a（ta） 4.5V 、10V 3.8mohm @ 20a 、10V 2.5V @ 300µA 35 NC @ 10 V ±20V 2230 pf @ 10 v - 840MW
TK110A10PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK110A10PL 、S4x 1.0900
RFQ
 ECAD 328 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 175°C 穴を通して TO-220-3フルパック TK110A10 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 100 V 36a（tc） 4.5V 、10V 10.8mohm @ 18a 、10V 2.5V @ 300µA 33 NC @ 10 V ±20V 2040 PF @ 50 V - 36W （TC）
RN1101,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1101 0.3300
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN1101 100 MW SSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 250 MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

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    世界的なメーカー

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    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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