画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | フェットタイプ | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TSM60NB1R4CH | 1.0097 | ![]() | 2300 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-251-3 | TSM60 | モスフェット(金属酸化物) | TO-251 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-TSM60NB1R4CH | ear99 | 8541.29.0095 | 15,000 | nチャネル | 600 V | 3a(tc) | 10V | 1.4OHM @ 900MA 、10V | 4V @ 250µA | 7.12 NC @ 10 V | ±30V | 257.3 PF @ 100 V | - | 28.4W | ||||||||||
![]() | TS13002ACT A3G | - | ![]() | 4091 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-226-3 | TS13002 | 600 MW | to-92 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 400 V | 300 Ma | 1µA | npn | 1.5V @ 20MA 、200mA | 25 @ 100MA 、10V | 4MHz | ||||||||||||||
![]() | BC338-40 A1G | - | ![]() | 7817 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-226-3 | BC338 | 625 MW | to-92 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 4,000 | 25 v | 800 Ma | 100na(icbo) | npn | 700mv @ 50ma 、500ma | 100MHz | |||||||||||||||
![]() | TSM055N03PQ56 | 0.7033 | ![]() | 5653 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-powertdfn | TSM055 | モスフェット(金属酸化物) | 8-PDFN (5x5.8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-TSM055N03PQ56TR | ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | nチャネル | 30 V | 80a(tc) | 4.5V 、10V | 5.5mohm @ 20a 、10V | 2.5V @ 250µA | 11.1 NC @ 4.5 v | ±20V | 1160 PF @ 25 V | - | 74W | ||||||||||
TSM650N15CR RLG | 5.0100 | ![]() | 1475 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-powertdfn | TSM650 | モスフェット(金属酸化物) | 8-PDFN (5x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 150 v | 24a(tc) | 6V 、10V | 65mohm @ 4a 、10V | 4V @ 250µA | 36 NC @ 10 V | ±20V | 1829 pf @ 75 v | - | 96W | |||||||||||
TSM045NA03CR RLG | 0.8000 | ![]() | 102 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-powertdfn | TSM045 | モスフェット(金属酸化物) | 8-PDFN (5x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 30 V | 108a(tc) | 4.5V 、10V | 4.5mohm @ 18a 、10V | 2.5V @ 250µA | 19 NC @ 10 V | ±20V | 1194 PF @ 15 V | - | 89W | |||||||||||
![]() | BC337-16 A1 | - | ![]() | 3473 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-226-3 | 625 MW | to-92 | ダウンロード | 影響を受けていない | 1801-BC337-16A1TB | 廃止 | 1 | 45 v | 800 Ma | 100na(icbo) | npn | 700mv @ 50ma 、500ma | 100 @ 100MA 、5V | 100MHz | |||||||||||||||||
![]() | TSM120N06LCP ROG | 2.1400 | ![]() | 54 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | to-252-3 | TSM120 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 60 V | 70a | 4.5V 、10V | 12mohm @ 10a 、10V | 2.5V @ 250µA | 37 NC @ 10 V | ±20V | 2118 PF @ 30 V | - | 125W | ||||||||||
![]() | TSM6N50CP ROG | - | ![]() | 6211 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | to-252-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 500 V | 5.6a(ta) | 10V | 1.4OHM @ 2.8A 、10V | 4V @ 250µA | 25 NC @ 10 V | ±30V | 900 pf @ 25 V | - | 90W | |||||||||||
![]() | TSM150P04LCS | 1.1755 | ![]() | 7311 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | TSM150 | モスフェット(金属酸化物) | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-TSM150P04LCSTR | ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | pチャネル | 40 v | 9a | 4.5V 、10V | 15mohm @ 9a 、10V | 2.5V @ 250µA | 48 NC @ 10 V | ±20V | 2783 PF @ 20 V | - | 2.2W | ||||||||||
![]() | TSM7ND60CI | 3.3700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | TSM7 | モスフェット(金属酸化物) | ITO-220 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 600 V | 7a(tc) | 10V | 1.2OHM @ 2A 、10V | 3.8V @ 250µA | 25 NC @ 10 V | ±30V | 1108 PF @ 50 V | - | 50W (TC) | ||||||||||
![]() | BC856A | 0.0334 | ![]() | 7177 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BC856 | 200 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BC856ATR | ear99 | 8541.21.0075 | 9,000 | 65 v | 100 Ma | 100na(icbo) | PNP | 650mv @ 5ma 、100ma | 125 @ 2MA 、5V | 100MHz | ||||||||||||||
![]() | TSM9435CS RLG | 1.2100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | TSM9435 | モスフェット(金属酸化物) | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | pチャネル | 30 V | 5.3a(tc) | 4.5V 、10V | 60mohm @ 5.3a 、10V | 3V @ 250µA | 27 NC @ 10 V | ±20V | 551.57 PF @ 15 V | - | 5.3W | ||||||||||
TSM018NB03CR RLG | 1.4800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | 8-powertdfn | TSM018 | モスフェット(金属酸化物) | 8-PDFN (5x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 30 V | 29a | 4.5V 、10V | 1.8mohm @ 29a 、10V | 2.5V @ 250µA | 120 NC @ 10 V | ±20V | 7252 PF @ 15 V | - | 3.1W | |||||||||||
![]() | TSM5NC50CZ | 1.2558 | ![]() | 6263 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | TSM5 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-TSM5NC50CZ | ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | nチャネル | 500 V | 5a(tc) | 10V | 1.38OHM @ 2.5A 、10V | 4.5V @ 250µA | 15 NC @ 10 V | ±30V | 586 PF @ 50 V | - | 89W | ||||||||||
![]() | TSM60NB1R4CP ROG | 1.0363 | ![]() | 4695 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | to-252-3 | TSM60 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 600 V | 3a(tc) | 10V | 1.4OHM @ 900MA 、10V | 4V @ 250µA | 7.12 NC @ 10 V | ±30V | 257.3 PF @ 100 V | - | 28.4W | ||||||||||
![]() | KTC3198-O-B0 A1G | - | ![]() | 6443 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-226-3 | 500 MW | to-92 | ダウンロード | 影響を受けていない | 1801-KTC3198-O-B0A1GTB | 廃止 | 1 | 50 v | 150 Ma | 100na(icbo) | npn | 250MV @ 10MA 、100mA | 70 @ 150ma 、6V | 80MHz | |||||||||||||||||
![]() | MMBT2222a | 0.0305 | ![]() | 8271 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | MMBT2222 | 300 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-MMBT22222222222222222222222222222222222222222222 | ear99 | 8541.21.0075 | 6,000 | 40 v | 600 Ma | 10na (icbo) | npn | 1V @ 50ma 、500ma | 100 @ 150ma 、10V | 300MHz | ||||||||||||||
![]() | TSM4NB60CH C5G | 2.2300 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-251-3 | TSM4NB60 | モスフェット(金属酸化物) | TO-251 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 75 | nチャネル | 600 V | 4a(tc) | 10V | 2.5OHM @ 2A 、10V | 4.5V @ 250µA | 14.5 NC @ 10 V | ±30V | 500 PF @ 25 V | - | 50W (TC) | ||||||||||
![]() | TSM110NB04LCV RGG | 1.5500 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-POWERWDFN | TSM110 | モスフェット(金属酸化物) | 8-PDFN (3.15x3.1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | nチャネル | 40 v | 9a(タタ)、44a(tc) | 4.5V 、10V | 11mohm @ 9a、10v | 2.5V @ 250µA | 24 NC @ 10 V | ±20V | 1329 PF @ 20 V | - | 1.9w | ||||||||||
![]() | TSM4NB60CP | 0.9828 | ![]() | 3962 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | to-252-3 | TSM4 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-TSM4NB60CPTR | ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | nチャネル | 600 V | 4a(tc) | 10V | 2.5OHM @ 2A 、10V | 4.5V @ 250µA | 14.5 NC @ 10 V | ±30V | 500 PF @ 25 V | - | 50W (TC) | ||||||||||
![]() | TSM2301ACX RFG | 1.0200 | ![]() | 265 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | TSM2301 | モスフェット(金属酸化物) | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | pチャネル | 20 v | 2.8a(tc) | 2.5V 、4.5V | 130mohm @ 2.8a 、4.5V | 1V @ 250µA | 4.5 NC @ 4.5 v | ±12V | 480 PF @ 15 V | - | 700MW | ||||||||||
![]() | TSM70N380CI C0G | 6.7100 | ![]() | 8331 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | TSM70 | モスフェット(金属酸化物) | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 700 V | 11a(tc) | 10V | 380mohm @ 3.3a 、10V | 4V @ 250µA | 18.8 NC @ 10 V | ±30V | 981 PF @ 100 V | - | 125W | ||||||||||
![]() | TSM2N60ECH C5G | - | ![]() | 4618 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-251-3 | TSM2 | モスフェット(金属酸化物) | TO-251 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,750 | nチャネル | 600 V | 2a(tc) | 10V | 4ohm @ 1a 、10V | 5V @ 250µA | 9.5 NC @ 10 V | ±30V | 362 PF @ 25 V | - | 52.1W | ||||||||||
![]() | TSM038N04LCP | 1.5504 | ![]() | 3715 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | to-252-3 | TSM038 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-TSM038N04LCPTR | ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | nチャネル | 40 v | 19a(ta )、 135a(tc) | 4.5V 、10V | 3.8mohm @ 19a 、10V | 2.5V @ 250µA | 104 NC @ 10 V | ±20V | 5509 PF @ 20 V | - | 2.6W | ||||||||||
![]() | TSM60NB041PW | 18.5407 | ![]() | 3510 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-247-3 | TSM60 | モスフェット(金属酸化物) | TO-247 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-TSM60NB041PW | ear99 | 8541.29.0095 | 12,000 | nチャネル | 600 V | 78a(tc) | 10V | 41mohm @ 21.7a 、10V | 4V @ 250µA | 139 NC @ 10 V | ±30V | 6120 PF @ 100 V | - | 446W | ||||||||||
![]() | TSM650N15CS | 2.4192 | ![]() | 3026 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | TSM650 | モスフェット(金属酸化物) | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-TSM650N15CSTR | ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | nチャネル | 150 v | 4a(タタ)、 9a | 6V 、10V | 65mohm @ 4a 、10V | 4V @ 250µA | 37 NC @ 10 V | ±20V | 1783 PF @ 75 v | - | 2.2W | ||||||||||
![]() | BC338-25 B1 | - | ![]() | 4709 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-226-3 | 625 MW | to-92 | - | 影響を受けていない | 1801-BC338-25B1 | 廃止 | 1 | 25 v | 800 Ma | 100na(icbo) | npn | 700mv @ 50ma 、500ma | 250 @ 100MA 、5V | 100MHz | |||||||||||||||||
![]() | TSM500N15CS RLG | 2.9700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | モスフェット(金属酸化物) | 8ソップ | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | nチャネル | 150 v | 4a(ta )、11a(tc) | 10V | 50mohm @ 4a 、10V | 4V @ 250µA | 20.5 NC @ 10 V | ±20V | 1123 PF @ 80 V | - | 12.7W | |||||||||||
![]() | TSM16ND50CI | 3.1438 | ![]() | 8196 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | TSM16 | モスフェット(金属酸化物) | ITO-220 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-TSM16ND50CI | ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | nチャネル | 500 V | 16a(tc) | 10V | 350mohm @ 4a 、10V | 4.5V @ 250µA | 53 NC @ 10 V | ±30V | 2551 PF @ 50 V | - | 59.5W |
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