画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | フェットタイプ | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BC550C B1G | - | ![]() | 6081 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | バルク | 廃止 | -65°C〜150°C | 穴を通して | TO-226-3 | BC550 | 500 MW | to-92 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 5,000 | 45 v | 100 Ma | 15NA | npn | - | 420 @ 2MA 、5V | - | |||||||||||||||
BC338-25 B1G | - | ![]() | 8848 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-226-3 | BC338 | 625 MW | to-92 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 25 v | 800 Ma | 100na(icbo) | npn | 700mv @ 50ma 、500ma | 160 @ 100MA 、5V | 100MHz | |||||||||||||||
![]() | BC807-40 RFG | 0.0445 | ![]() | 8446 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BC807 | 300 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45 v | 500 Ma | 200na(icbo) | PNP | 700mv @ 50ma 、500ma | 250 @ 100MA、1V | 100MHz | ||||||||||||||
BC338-40 B1G | - | ![]() | 8302 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-226-3 | BC338 | 625 MW | to-92 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 25 v | 800 Ma | 100na(icbo) | npn | 700mv @ 50ma 、500ma | 250 @ 100MA 、5V | 100MHz | |||||||||||||||
![]() | TSM60N380CP ROG | 2.1200 | ![]() | 1998年年 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -55°C〜150°C | 表面マウント | to-252-3 | TSM60 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 600 V | 11a(tc) | 10V | 380mohm @ 5.5a 、10V | 4V @ 250µA | 20.5 NC @ 10 V | ±30V | 1040 PF @ 100 V | - | 125W | ||||||||||
![]() | TSM60N600CH C5G | 0.7222 | ![]() | 7903 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | 新しいデザインではありません | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-251-3 | TSM60 | モスフェット(金属酸化物) | TO-251 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 75 | nチャネル | 600 V | 8a(tc) | 10V | 600mohm @ 4a 、10V | 4V @ 250µA | 13 NC @ 10 V | ±30V | 743 PF @ 100 V | - | 83W | ||||||||||
![]() | TSM60N750CP ROG | - | ![]() | 8667 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | to-252-3 | TSM60 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 600 V | 6a(tc) | 10V | 750mohm @ 3a 、10V | 4V @ 250µA | 10.8 NC @ 10 V | ±30V | 554 PF @ 100 V | - | 62.5W | ||||||||||
![]() | TSM60N900CH C5G | 0.5685 | ![]() | 3215 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | 新しいデザインではありません | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-251-3 | TSM60 | モスフェット(金属酸化物) | TO-251 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 75 | nチャネル | 600 V | 4.5a | 10V | 900mohm @ 2.3a 、10V | 4V @ 250µA | 9.7 NC @ 10 V | ±30V | 480 PF @ 100 V | - | 50W (TC) | ||||||||||
![]() | TSM60N900CI C0G | 0.7191 | ![]() | 5761 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | 新しいデザインではありません | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | TSM60 | モスフェット(金属酸化物) | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 600 V | 4.5a | 10V | 900mohm @ 2.3a 、10V | 4V @ 250µA | 9.7 NC @ 10 V | ±30V | 480 PF @ 100 V | - | 50W (TC) | ||||||||||
![]() | TSM60N900CP ROG | 0.5910 | ![]() | 6265 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -55°C〜150°C | 表面マウント | to-252-3 | TSM60 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 600 V | 4.5a | 10V | 900mohm @ 2.3a 、10V | 4V @ 250µA | 9.7 NC @ 10 V | ±30V | 480 PF @ 100 V | - | 50W (TC) | ||||||||||
![]() | TSM60NB1R4CP ROG | 1.0363 | ![]() | 4695 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | to-252-3 | TSM60 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 600 V | 3a(tc) | 10V | 1.4OHM @ 900MA 、10V | 4V @ 250µA | 7.12 NC @ 10 V | ±30V | 257.3 PF @ 100 V | - | 28.4W | ||||||||||
![]() | TSM60NB380CP ROG | 4.3200 | ![]() | 392 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | to-252-3 | TSM60 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 600 V | 9.5a | 10V | 380mohm @ 2.85a 、10V | 4V @ 250µA | 19.4 NC @ 10 V | ±30V | 795 PF @ 100 V | - | 83W | ||||||||||
![]() | TSM60NB600CF C0G | 3.8500 | ![]() | 31 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3フルパック | TSM60 | モスフェット(金属酸化物) | ITO-220S | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 600 V | 8a(tc) | 10V | 600mohm @ 1.7a、10V | 4V @ 250µA | 16 NC @ 10 V | ±30V | 528 PF @ 100 V | - | 41.7W | ||||||||||
![]() | TSM60NB600CH C5G | 1.6040 | ![]() | 1225 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-251-3 | TSM60 | モスフェット(金属酸化物) | TO-251 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 75 | nチャネル | 600 V | 7a(tc) | 10V | 600mohm @ 2.1a 、10V | 4V @ 250µA | 13 NC @ 10 V | ±30V | 516 PF @ 100 V | - | 63W | ||||||||||
TSM650N15CR RLG | 5.0100 | ![]() | 1475 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-powertdfn | TSM650 | モスフェット(金属酸化物) | 8-PDFN (5x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 150 v | 24a(tc) | 6V 、10V | 65mohm @ 4a 、10V | 4V @ 250µA | 36 NC @ 10 V | ±20V | 1829 pf @ 75 v | - | 96W | |||||||||||
![]() | TSM650N15CS RLG | 2.4192 | ![]() | 8973 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | TSM650 | モスフェット(金属酸化物) | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 150 v | 9a(tc) | 6V 、10V | 65mohm @ 4a 、10V | 4V @ 250µA | 37 NC @ 10 V | ±20V | 1783 PF @ 75 v | - | 12.5W | ||||||||||
![]() | TSM650P02CX RFG | 0.7000 | ![]() | 76 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | TSM650 | モスフェット(金属酸化物) | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 20 v | 4.1a(tc) | 1.8V 、4.5V | 65mohm @ 3a 、4.5V | 800MV @ 250µA | 5.1 NC @ 4.5 v | ±10V | 515 PF @ 10 V | - | 1.56W | ||||||||||
![]() | TSM680P06CH X0G | 2.0100 | ![]() | 11 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-251-3 スタブリード、IPAK | TSM680 | モスフェット(金属酸化物) | TO-251 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 75 | pチャネル | 60 V | 18a(tc) | 4.5V 、10V | 68mohm @ 6a 、10V | 2.2V @ 250µA | 16.4 NC @ 10 V | ±20V | 870 PF @ 30 V | - | 20W (TC) | ||||||||||
![]() | TSM680P06DPQ56 RLG | 2.4100 | ![]() | 16 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-powertdfn | TSM680 | モスフェット(金属酸化物) | 3.5W | 8-PDFN (5x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 P-Channel (デュアル) | 60V | 12a(tc) | 68mohm @ 6a 、10V | 2.5V @ 250µA | 16.4NC @ 10V | 870pf @ 30V | - | ||||||||||||
![]() | TSM6N50CP ROG | - | ![]() | 6211 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | to-252-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 500 V | 5.6a(ta) | 10V | 1.4OHM @ 2.8A 、10V | 4V @ 250µA | 25 NC @ 10 V | ±30V | 900 pf @ 25 V | - | 90W | |||||||||||
![]() | TSM70N1R4CP ROG | 0.4660 | ![]() | 1475 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -55°C〜150°C | 表面マウント | to-252-3 | TSM70 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 700 V | 3.3a(tc) | 10V | 1.4OHM @ 1.2A 、10V | 4V @ 250µA | 7.7 NC @ 10 V | ±30V | 370 PF @ 100 V | - | 38W | ||||||||||
![]() | TSM70N600CH C5G | 5.3600 | ![]() | 125 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-251-3 | TSM70 | モスフェット(金属酸化物) | TO-251 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 75 | nチャネル | 700 V | 8a(tc) | 10V | 600mohm @ 4a 、10V | 4V @ 250µA | 12.6 NC @ 10 V | ±30V | 743 PF @ 100 V | - | 83W | ||||||||||
![]() | TSM70N900CP ROG | 1.9252 | ![]() | 2446 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | to-252-3 | TSM70 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 700 V | 4.5a | 10V | 900mohm @ 1.5a 、10V | 4V @ 250µA | 9.7 NC @ 10 V | ±30V | 482 PF @ 100 V | - | 50W (TC) | ||||||||||
![]() | TSM70NB1R4CP ROG | 1.2804 | ![]() | 9411 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | to-252-3 | TSM70 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 700 V | 3a(tc) | 10V | 1.4OHM @ 1.2A 、10V | 4V @ 250µA | 7.4 NC @ 10 V | ±30V | 317 PF @ 100 V | - | 28W (TC) | ||||||||||
![]() | TSM80N1R2CI C0G | 3.3572 | ![]() | 3417 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | TSM80 | モスフェット(金属酸化物) | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 800 V | 5.5a(tc) | 10V | 1.2OHM @ 1.8A 、10V | 4V @ 250µA | 19.4 NC @ 10 V | ±30V | 685 PF @ 100 V | - | 25W (TC) | ||||||||||
![]() | TSM80N1R2CL C0G | 3.4316 | ![]() | 3905 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-262-3 | TSM80 | モスフェット(金属酸化物) | to-262s | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 800 V | 5.5a(tc) | 10V | 1.2OHM @ 1.8A 、10V | 4V @ 250µA | 19.4 NC @ 10 V | ±30V | 685 PF @ 100 V | - | 110W | ||||||||||
![]() | TSM80N950CP ROG | 5.6900 | ![]() | 6190 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | to-252-3 | TSM80 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 800 V | 6a(tc) | 10V | 950mohm @ 3a 、10V | 4V @ 250µA | 19.6 NC @ 10 V | ±30V | 691 PF @ 100 V | - | 110W | ||||||||||
![]() | TSM8N80CZ C0G | - | ![]() | 5494 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | TSM8N80 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | nチャネル | 800 V | 8a(tc) | 10V | 1.05OHM @ 4A 、10V | 4V @ 250µA | 41 NC @ 10 V | ±30V | 1921 PF @ 25 V | - | 40.3W | ||||||||||
![]() | TSM900N06CW RPG | 0.8900 | ![]() | 5107 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-261-4、TO-261AA | TSM900 | モスフェット(金属酸化物) | SOT-223 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 60 V | 11a(tc) | 4.5V 、10V | 90mohm @ 6a 、10V | 2.5V @ 250µA | 9.3 NC @ 10 V | ±20V | 500 PF @ 15 V | - | 4.17W | ||||||||||
![]() | TSM900N10CH X0G | 0.9822 | ![]() | 2384 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-251-3 スタブリード、IPAK | TSM900 | モスフェット(金属酸化物) | TO-251 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 75 | nチャネル | 100 V | 15a(tc) | 4.5V 、10V | 90mohm @ 5a、10V | 2.5V @ 250µA | 9.3 NC @ 10 V | ±20V | 1480 PF @ 50 V | - | 50W (TC) |
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