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トランジスタ（888）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移
TSM025NH04CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM025NH04CR RLG 5.0500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 台湾半導体コーポレーション Perfet™ テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント、濡れ可能な側面 8-powertdfn モスフェット（金属酸化物） 8-PDFNU ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 40 v 26a 7V 、10V 2.5mohm @ 50a 、10V 3.6V @ 250µA 59 NC @ 10 V ±20V 3794 PF @ 25 V - 136W
TSM025NH04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM025NH04LCR RLG 5.0500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 台湾半導体コーポレーション Perfet™ テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント、濡れ可能な側面 8-powertdfn モスフェット（金属酸化物） 8-PDFNU ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 1801-TSM025NH04LCRRLGTR ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 40 v 26a 4.5V 、10V 2.5mohm @ 50a 、10V 2.2V @ 250µA 63.3 NC @ 10 V ±16V 4179 PF @ 25 V - 136W
TSM043NH04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM043NH04LCR RLG 3.4600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 台湾半導体コーポレーション Perfet™ テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント、濡れ可能な側面 8-powertdfn TSM043 モスフェット（金属酸化物） 8-PDFNU ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 40 v 20a（タタ）、 54a（tc） 4.5V 、10V 4.3mohm @ 27a 、10V 2.2V @ 250µA 42 NC @ 10 V ±16V 2480 PF @ 25 V - 100W （TC）
TSM60NC196CM2 RNG Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NC196CM2 RNG 9.1600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 台湾半導体コーポレーション - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-263-3 TSM60 モスフェット（金属酸化物） TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 600 V 28a（tc） 10V 196mohm @ 9.5a 、10V 5V @ 1MA 39 NC @ 10 V ±20V 1566 PF @ 300 V - 152W
TSM035NB04LCZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM035NB04LCZ C0G 3.3500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 台湾半導体コーポレーション - チューブ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 TSM035 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 1801-TSM035NB04LCZC0G ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 40 v 18a（ta ）、 157a（tc） 4.5V 、10V 3.5mohm @ 18a 、10V 2.5V @ 250µA 111 NC @ 10 V ±20V 6350 PF @ 20 V - 2W （TA ）、156W（TC）
TSM060NB06LCZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM060NB06LCZ C0G 4.1700
RFQ
 ECAD 1146 0.00000000 台湾半導体コーポレーション - チューブ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 TSM060 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 1801-TSM060NB06LCZC0G ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 60 V 13a 4.5V 、10V 6mohm @ 13a 、10V 2.5V @ 250µA 107 NC @ 10 V ±20V 6273 PF @ 30 V - 2W （TA ）、156W（TC）
TSM250NB06CV RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSM250NB06CV RGG 1.5500
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 台湾半導体コーポレーション - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-POWERWDFN TSM250 モスフェット（金属酸化物） 8-PDFN （3.15x3.1 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 60 V 6a（ta ）、28a（tc） 7V 、10V 25mohm @ 6a 、10V 4V @ 250µA 23 NC @ 10 V ±20V 1440 PF @ 30 V - 1.9w
TSM60NC165CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NC165CI C0G 9.1600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 台湾半導体コーポレーション - チューブ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 フルパック、分離タブ TSM60 モスフェット（金属酸化物） ITO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 1801-TSM60NC165CIC0G ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 600 V 24a（tc） 10V 165mohm @ 11.3a 、10V 5V @ 1MA 44 NC @ 10 V ±30V 1857 PF @ 300 v - 89W
TSM055N03PQ56 Taiwan Semiconductor Corporation TSM055N03PQ56 0.7033
RFQ
 ECAD 5653 0.00000000 台湾半導体コーポレーション - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-powertdfn TSM055 モスフェット（金属酸化物） 8-PDFN （5x5.8） ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない 1801-TSM055N03PQ56TR ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 30 V 80a（tc） 4.5V 、10V 5.5mohm @ 20a 、10V 2.5V @ 250µA 11.1 NC @ 4.5 v ±20V 1160 PF @ 25 V - 74W
TSM043NB04LCZ Taiwan Semiconductor Corporation TSM043NB04LCZ 1.7791
RFQ
 ECAD 7779 0.00000000 台湾半導体コーポレーション - チューブ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 TSM043 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない 1801-TSM043NB04LCZ ear99 8541.29.0095 4,000 nチャネル 40 v 16a（ta ）、 124a（tc） 4.5V 、10V 4.3mohm @ 16a 、10v 2.5V @ 250µA 76 NC @ 10 V ±20V 4387 PF @ 20 V - 2W （TA ）、125W（TC）
TSM085NB03DCR Taiwan Semiconductor Corporation TSM085NB03DCR 0.9944
RFQ
 ECAD 8310 0.00000000 台湾半導体コーポレーション - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-powertdfn TSM085 モスフェット（金属酸化物） 2W （TA）、40W（TC） 8-PDFNU ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない 1801-TSM085NB03DCRTR ear99 8541.29.0095 5,000 2 nチャンネル（デュアル） 30V 12a（タタ）、 51a（tc） 8.5mohm @ 12a 、10V 2.5V @ 250µA 20NC @ 10V 1091pf @ 15V ロジックレベルゲート
TSM70N900CI Taiwan Semiconductor Corporation TSM70N900CI 2.3232
RFQ
 ECAD 4666 0.00000000 台湾半導体コーポレーション - チューブ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 フルパック、分離タブ TSM70 モスフェット（金属酸化物） ITO-220 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない 1801-TSM70N900CI ear99 8541.29.0095 4,000 nチャネル 700 V 4.5a 10V 900mohm @ 1.5a 、10V 4V @ 250µA 9.7 NC @ 10 V ±30V 482 PF @ 100 V - 20W （TC）
TSM70N750CP Taiwan Semiconductor Corporation TSM70N750CP 2.1762
RFQ
 ECAD 9537 0.00000000 台湾半導体コーポレーション - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 TSM70 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない 1801-TSM70N750CPTR ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 700 V 6a（tc） 10V 750mohm @ 1.8a 、10V 4V @ 250µA 10.7 NC @ 10 V ±30V 555 PF @ 100 V - 62.5W
TSM60NB260CI Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB260CI 4.2905
RFQ
 ECAD 8831 0.00000000 台湾半導体コーポレーション - チューブ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 フルパック、分離タブ TSM60 モスフェット（金属酸化物） ITO-220 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない 1801-TSM60NB260CI ear99 8541.29.0095 4,000 nチャネル 600 V 13a（tc） 10V 260mohm @ 3.9a 、10V 4V @ 250µA 30 NC @ 10 V ±30V 1273 PF @ 100 V - 32.1W
TSM089N08LCR Taiwan Semiconductor Corporation TSM089N08LCR 2.1142
RFQ
 ECAD 5536 0.00000000 台湾半導体コーポレーション - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-powertdfn TSM089 モスフェット（金属酸化物） 8-PDFN （5x6） ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない 1801-TSM089N08LCRTR ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 80 v 12a（タタ67a（tc） 4.5V 、10V 8.9mohm @ 12a 、10V 2.5V @ 250µA 90 NC @ 10 V ±20V 6119 PF @ 40 V - 2.6W
TSM60NB1R4CH Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB1R4CH 1.0097
RFQ
 ECAD 2300 0.00000000 台湾半導体コーポレーション - チューブ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して to-251-3 TSM60 モスフェット（金属酸化物） TO-251 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない 1801-TSM60NB1R4CH ear99 8541.29.0095 15,000 nチャネル 600 V 3a（tc） 10V 1.4OHM @ 900MA 、10V 4V @ 250µA 7.12 NC @ 10 V ±30V 257.3 PF @ 100 V - 28.4W
TSC873CW Taiwan Semiconductor Corporation TSC873CW 0.3712
RFQ
 ECAD 4782 0.00000000 台湾半導体コーポレーション - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-261-4、TO-261AA TSC873 SOT-223 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない 1801-TSC873CWTR 5,000 400 V 1 a 1ma npn 1V @ 250ma、1a 80 @ 250ma 、10V -
TSM1NB60CH Taiwan Semiconductor Corporation TSM1NB60CH 0.7448
RFQ
 ECAD 1962年年 0.00000000 台湾半導体コーポレーション - チューブ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して to-251-3 TSM1 モスフェット（金属酸化物） TO-251 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない 1801-TSM1NB60CH ear99 8541.29.0095 15,000 nチャネル 600 V 1a（tc） 10V 10OHM @ 500MA 、10V 4.5V @ 250µA 6.1 NC @ 10 V ±30V 138 PF @ 25 V - 39W （TC）
TSM60NC196CI Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NC196CI 4.2719
RFQ
 ECAD 1888年年 0.00000000 台湾半導体コーポレーション - チューブ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 フルパック、分離タブ TSM60 モスフェット（金属酸化物） ITO-220 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない 1801-TSM60NC196CI ear99 8541.29.0095 4,000 nチャネル 600 V 20a（tc） 10V 196mohm @ 9.5a 、10V 5V @ 1MA 39 NC @ 10 V ±30V 1535 PF @ 300 V - 70W
TSM80N1R2CI Taiwan Semiconductor Corporation TSM80N1R2CI 3.3572
RFQ
 ECAD 9129 0.00000000 台湾半導体コーポレーション - チューブ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 フルパック、分離タブ TSM80 モスフェット（金属酸化物） ITO-220 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない 1801-TSM80N1R2CI ear99 8541.29.0095 4,000 nチャネル 800 V 5.5a（tc） 10V 1.2OHM @ 1.8A 、10V 4V @ 250µA 19.4 NC @ 10 V ±30V 685 PF @ 100 V - 25W （TC）
TSM060N03PQ33 Taiwan Semiconductor Corporation TSM060N03PQ33 0.6306
RFQ
 ECAD 5227 0.00000000 台湾半導体コーポレーション - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-POWERWDFN TSM060 モスフェット（金属酸化物） 8-PDFN （3.1x3.1 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない 1801-TSM060N03PQ33TR ear99 8541.29.0095 10,000 nチャネル 30 V 15a（タタ62a（tc） 4.5V 、10V 6mohm @ 15a 、10V 2.5V @ 250µA 25.4 NC @ 10 V ±20V 1342 PF @ 15 V - 2.3W
TSA874CW Taiwan Semiconductor Corporation TSA874CW 0.2013
RFQ
 ECAD 6190 0.00000000 台湾半導体コーポレーション - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-261-4、TO-261AA TSA874 1 W SOT-223 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない 1801-TSA874CWTR ear99 8541.29.0075 5,000 500 V 150 Ma 100na（icbo） PNP 500mv @ 10ma 、50ma 150 @ 1MA 、10V 50MHz
TSM2328CX Taiwan Semiconductor Corporation TSM2328CX 0.4171
RFQ
 ECAD 7755 0.00000000 台湾半導体コーポレーション - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 TSM2328 モスフェット（金属酸化物） SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない 1801-TSM2328CXTR ear99 8541.29.0095 12,000 nチャネル 100 V 1.5a（ta） 10V 250mohm @ 1.5a 、10V 2.5V @ 250µA 11.1 NC @ 5 V ±20V 975 PF @ 25 V - 1.38W
TSM600P03CS Taiwan Semiconductor Corporation TSM600P03CS 0.3994
RFQ
 ECAD 2567 0.00000000 台湾半導体コーポレーション - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） TSM600 モスフェット（金属酸化物） 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない 1801-TSM600P03CSTR ear99 8541.29.0095 5,000 pチャネル 30 V 4.7a（tc） 4.5V 、10V 60mohm @ 3a 、10V 2.5V @ 250µA 5.1 NC @ 4.5 v ±20V 560 PF @ 15 V - 2.1W （TC）
TSM042N03CS Taiwan Semiconductor Corporation TSM042N03CS 0.8059
RFQ
 ECAD 8384 0.00000000 台湾半導体コーポレーション - テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C （TJ） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） TSM042 モスフェット（金属酸化物） 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない 1801-TSM042N03CSTR ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 30 V 30a（tc） 4.5V 、10V 4.2mohm @ 12a 、10V 2.5V @ 250µA 24 NC @ 4.5 v ±20V 2200 PF @ 25 V - 7W （TC）
TSM80N400CF Taiwan Semiconductor Corporation TSM80N400CF 5.4062
RFQ
 ECAD 6681 0.00000000 台湾半導体コーポレーション - チューブ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック TSM80 モスフェット（金属酸化物） ITO-220S ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない 1801-TSM80N400CF ear99 8541.29.0095 4,000 nチャネル 800 V 12a（tc） 10V 400mohm @ 2.7a 、10V 4V @ 250µA 51 NC @ 10 V ±30V 1848 PF @ 100 V - 69W （TC）
TSM7P06CP Taiwan Semiconductor Corporation TSM7P06CP 0.4877
RFQ
 ECAD 9946 0.00000000 台湾半導体コーポレーション - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TSM7 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない 1801-TSM7P06CPTR ear99 8541.29.0095 5,000 pチャネル 60 V 7a（tc） 4.5V 、10V 180mohm @ 3a、10V 2.5V @ 250µA 8.2 NC @ 10 V ±20V 425 PF @ 30 V - 15.6W
TSM110NB04LCV Taiwan Semiconductor Corporation TSM110NB04LCV 0.6661
RFQ
 ECAD 6248 0.00000000 台湾半導体コーポレーション - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-POWERWDFN TSM110 モスフェット（金属酸化物） 8-PDFN （3.15x3.1 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない 1801-TSM110NB04LCVTR ear99 8541.29.0095 10,000 nチャネル 40 v 9a（タタ）、44a（tc） 4.5V 、10V 11mohm @ 9a、10v 2.5V @ 250µA 24 NC @ 10 V ±20V 1329 PF @ 20 V - 1.9w
TSM70N380CH Taiwan Semiconductor Corporation TSM70N380CH 3.2649
RFQ
 ECAD 2406 0.00000000 台湾半導体コーポレーション - チューブ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して to-251-3 TSM70 モスフェット（金属酸化物） TO-251 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない 1801-TSM70N380CH ear99 8541.29.0095 15,000 nチャネル 700 V 11a（tc） 10V 380mohm @ 3.3a 、10V 4V @ 250µA 18.8 NC @ 10 V ±30V 981 PF @ 100 V - 125W
TSM900N06CH Taiwan Semiconductor Corporation TSM900N06CH 0.6584
RFQ
 ECAD 6981 0.00000000 台湾半導体コーポレーション - チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-251-3 スタブリード、IPAK TSM900 モスフェット（金属酸化物） TO-251S ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない 1801-TSM900N06CH ear99 8541.29.0095 15,000 nチャネル 60 V 11a（tc） 4.5V 、10V 90mohm @ 6a 、10V 2.5V @ 250µA 9.3 NC @ 10 V ±20V 500 PF @ 15 V - 25W （TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

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    標準製品ユニット

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AD9208BBPZ-3000

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