画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | フェットタイプ | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TSM180N03CS RLG | 0.4314 | ![]() | 1516 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | TSM180 | モスフェット(金属酸化物) | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 30 V | 9a(tc) | 4.5V 、10V | 18mohm @ 8a 、10v | 2V @ 250µA | 14 NC @ 4.5 v | ±20V | 345 PF @ 25 V | - | 2.5W | |||||||||||
![]() | TSM9ND50CI | 3.3700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | TSM9 | モスフェット(金属酸化物) | ITO-220 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 500 V | 9a(tc) | 10V | 900mohm @ 2.3a 、10V | 3.8V @ 250µA | 24.5 NC @ 10 V | ±30V | 1116 PF @ 50 V | - | 50W (TC) | |||||||||||
![]() | TSD2150acy RMG | - | ![]() | 6148 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-243AA | 600 MW | SOT-89 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-TSD2150ACYRMGTR | ear99 | 8541.21.0095 | 1,000 | 50 v | 3 a | 100na(icbo) | npn | 500MV @ 200MA 、2a | 200 @ 500MA 、2V | 90MHz | |||||||||||||||
![]() | TSM2311CX-01 RFG | - | ![]() | 5218 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | モスフェット(金属酸化物) | SOT-23 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | TSM2311CX-01RFG | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | pチャネル | 20 v | 4a(ta) | 2.5V 、4.5V | 55mohm @ 4a 、4.5V | 1.4V @ 250µA | 9 NC @ 4.5 v | ±8V | 640 PF @ 6 V | - | 900MW | |||||||||||
![]() | TSM80N950CH C5G | 2.7212 | ![]() | 1602 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-251-3 | TSM80 | モスフェット(金属酸化物) | TO-251 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 75 | nチャネル | 800 V | 6a(tc) | 10V | 950mohm @ 3a 、10V | 4V @ 250µA | 19.6 NC @ 10 V | ±30V | 691 PF @ 100 V | - | 110W | |||||||||||
![]() | BC546B | 0.0447 | ![]() | 5561 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | -65°C〜150°C | 穴を通して | TO-226-3 | BC546 | 500 MW | to-92 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BC546BTB | ear99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 65 v | 100 Ma | 15NA | npn | - | 200 @ 2MA 、5V | - | |||||||||||||||
![]() | TSM7ND65CI | 3.3700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | TSM7 | モスフェット(金属酸化物) | ITO-220 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 650 V | 7a(tc) | 10V | 1.35OHM @ 1.8A 、10V | 3.8V @ 250µA | 25 NC @ 10 V | ±30V | 1124 PF @ 50 V | - | 50W (TC) | |||||||||||
![]() | TSM60NB190CI | 4.4264 | ![]() | 7507 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | TSM60 | モスフェット(金属酸化物) | ITO-220 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-TSM60NB190CI | ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | nチャネル | 600 V | 18a(tc) | 10V | 190mohm @ 6a 、10V | 4V @ 250µA | 31 NC @ 10 V | ±30V | 1273 PF @ 100 V | - | 33.8W | |||||||||||
![]() | TSM900N10CP | 0.7584 | ![]() | 4167 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | to-252-3 | TSM900 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-TSM900N10CPTR | ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | nチャネル | 100 V | 15a(tc) | 4.5V 、10V | 90mohm @ 5a、10V | 2.5V @ 250µA | 9.3 NC @ 10 V | ±20V | 1480 PF @ 50 V | - | 50W (TC) | |||||||||||
![]() | TSM80N08CZ C0G | - | ![]() | 3900 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | TSM80 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 75 v | 80a(tc) | 10V | 8mohm @ 40a 、10V | 4V @ 250µA | 91.5 NC @ 10 V | ±20V | 3905 PF @ 30 V | - | 113.6W | |||||||||||
![]() | TSM80N1R2CI | 3.3572 | ![]() | 9129 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | TSM80 | モスフェット(金属酸化物) | ITO-220 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-TSM80N1R2CI | ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | nチャネル | 800 V | 5.5a(tc) | 10V | 1.2OHM @ 1.8A 、10V | 4V @ 250µA | 19.4 NC @ 10 V | ±30V | 685 PF @ 100 V | - | 25W (TC) | |||||||||||
![]() | TSM7P06CP | 0.4877 | ![]() | 9946 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | to-252-3 | TSM7 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-TSM7P06CPTR | ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | pチャネル | 60 V | 7a(tc) | 4.5V 、10V | 180mohm @ 3a、10V | 2.5V @ 250µA | 8.2 NC @ 10 V | ±20V | 425 PF @ 30 V | - | 15.6W | |||||||||||
![]() | TSM300NB06LCV RGG | 1.5100 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-POWERWDFN | TSM300 | モスフェット(金属酸化物) | 8-PDFN (3.15x3.1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | nチャネル | 60 V | 5a(タタ24a(tc) | 4.5V 、10V | 30mohm @ 5a 、10V | 2.5V @ 250µA | 17 NC @ 10 V | ±20V | 962 PF @ 30 V | - | 1.9w | |||||||||||
![]() | BC337-25 B1 | - | ![]() | 9978 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-226-3 | 625 MW | to-92 | - | 影響を受けていない | 1801-BC337-25B1 | 廃止 | 1 | 45 v | 800 Ma | 100na(icbo) | npn | 700mv @ 50ma 、500ma | 250 @ 100MA 、5V | 100MHz | ||||||||||||||||||
![]() | TSM7NC60CF C0G | 1.5053 | ![]() | 4283 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3フルパック | TSM7 | モスフェット(金属酸化物) | ITO-220S | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 600 V | 7a(tc) | 10V | 1.2OHM @ 2A 、10V | 4.5V @ 250µA | 24 NC @ 10 V | ±30V | 1169 PF @ 50 V | - | 44.6W | |||||||||||
TSM061NA03CV RGG | - | ![]() | 7974 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-POWERWDFN | TSM061 | モスフェット(金属酸化物) | 8-PDFN (3.1x3.1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | nチャネル | 30 V | 66a(tc) | 4.5V 、10V | 6.1mohm @ 16a 、10v | 2.5V @ 250µA | 19.3 NC @ 10 V | ±20V | 1136 PF @ 15 V | - | 44.6W | ||||||||||||
![]() | TSM2537CQ | 0.5543 | ![]() | 8608 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 6-vdfn露出パッド | TSM2537 | モスフェット(金属酸化物) | 6.25W | 6-tdfn (2x2) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-TSM2537CQTR | ear99 | 8541.29.0095 | 12,000 | nおよびpチャネル | 20V | 11.6a | 30mohm @ 6.4a 、4.5V 、55mohm @ 5a 、4.5v | 1V @ 250µA | 9.1NC @ 4.5V、9.8NC @ 4.5V | 677pf @ 10V 、744pf @ 10V | ロジックレベルゲート、 1.8Vドライブ | |||||||||||||
![]() | TSM340N06CH X0G | 1.8500 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-251-3 スタブリード、IPAK | TSM340 | モスフェット(金属酸化物) | TO-251 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 75 | nチャネル | 60 V | 30a(tc) | 4.5V 、10V | 34mohm @ 15a 、10V | 2.5V @ 250µA | 16.6 NC @ 10 V | ±20V | 1180 PF @ 30 V | - | 66W | |||||||||||
![]() | BC817-16 | 0.0336 | ![]() | 8345 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BC817 | 300 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BC817-16TR | ear99 | 8541.21.0075 | 6,000 | 45 v | 500 Ma | 100na(icbo) | npn | 700mv @ 50ma 、500ma | 100 @ 100MA、1V | 100MHz | |||||||||||||||
![]() | TSM6963SDCA RVG | 1.9300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | TSM6963 | モスフェット(金属酸化物) | 1.14W | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 P-Channel (デュアル) | 20V | 4.5a | 30mohm @ 4.5a 、4.5V | 1V @ 250µA | 20NC @ 4.5V | 1500pf @ 10V | - | |||||||||||||
![]() | BC848C | 0.0337 | ![]() | 9340 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BC848 | 200 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BC848CTR | ear99 | 8541.21.0075 | 9,000 | 30 V | 100 Ma | 100na(icbo) | npn | 500MV @ 5MA 、100mA | 420 @ 2MA 、5V | 100MHz | |||||||||||||||
![]() | TSM3N90CZ C0G | - | ![]() | 8691 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | TSM3N90 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | nチャネル | 900 V | 2.5a | 10V | 5.1OHM @ 1.25A 、10V | 4V @ 250µA | 17 NC @ 10 V | ±30V | 748 PF @ 25 V | - | 94W | |||||||||||
TSM110NB04LCR RLG | 1.6800 | ![]() | 26 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | 8-powertdfn | TSM110 | モスフェット(金属酸化物) | 8-PDFN (5x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 40 v | 12a(タタ)、 54a(tc) | 4.5V 、10V | 11mohm @ 12a 、10v | 2.5V @ 250µA | 23 NC @ 10 V | ±20V | 1269 PF @ 20 V | - | 3.1W (TA )、68W(TC) | ||||||||||||
![]() | TSM190N08CZ C0G | 9.6300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | 新しいデザインではありません | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | TSM190 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 75 v | 190a | 10V | 4.2mohm @ 90a 、10V | 4V @ 250µA | 160 NC @ 10 V | ±20V | 8600 PF @ 30 V | - | 250W | |||||||||||
![]() | TSM60NB600CF | 1.9333 | ![]() | 6500 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3フルパック | TSM60 | モスフェット(金属酸化物) | ITO-220S | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-TSM60NB600CF | ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | nチャネル | 600 V | 8a(tc) | 10V | 600mohm @ 1.7a、10V | 4V @ 250µA | 16 NC @ 10 V | ±30V | 528 PF @ 100 V | - | 41.7W | |||||||||||
![]() | TSM60NC620CP ROG | 3.6900 | ![]() | 4175 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | to-252-3 | TSM60 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 5,000 | nチャネル | 600 V | 7a(tc) | 10V | 620mohm @ 2.4a 、10V | 5V @ 1MA | 15 NC @ 10 V | ±20V | 498 PF @ 300 v | - | 78W (TC) | ||||||||||||||
![]() | BC338-40-B0 B1G | - | ![]() | 6068 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-226-3 | 625 MW | to-92 | ダウンロード | 影響を受けていない | 1801-BC338-40-B0B1G | 廃止 | 1 | 25 v | 800 Ma | 100na(icbo) | npn | 700mv @ 50ma 、500ma | 250 @ 100MA 、5V | 100MHz | ||||||||||||||||||
![]() | TSM10N60CZ C0G | - | ![]() | 7025 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | TSM10N60CZC0G | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 600 V | 10a(tc) | 10V | 750mohm @ 5a 、10V | 4V @ 250µA | 45.8 NC @ 10 V | ±30V | 1738 PF @ 25 V | - | 166W | |||||||||||
TSM061NA03CR RLG | - | ![]() | 7201 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-powertdfn | TSM061 | モスフェット(金属酸化物) | 8-PDFN (5x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 30 V | 88a(tc) | 4.5V 、10V | 6.1mohm @ 16a 、10v | 2.5V @ 250µA | 19 NC @ 10 V | ±20V | 1133 PF @ 15 V | - | 78W (TC) | ||||||||||||
![]() | TSM8N50CH C5G | - | ![]() | 1461 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-251-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-251 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 75 | nチャネル | 500 V | 7.2a(tc) | 10V | 850mohm @ 3.6a 、10V | 4V @ 250µA | 26.6 NC @ 10 V | ±30V | 1595 PF @ 25 V | - | 89W |
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