画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | フェットタイプ | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TSM056NH04CV RGG | 2.9000 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | Perfet™ | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-POWERWDFN | モスフェット(金属酸化物) | 8-PDFN (3.1x3.1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-TSM056NH04CVRGGTR | ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | nチャネル | 40 v | 16a(タタ)、 54a(tc) | 7V 、10V | 5.6mohm @ 27a 、10V | 3.6V @ 250µA | 29 NC @ 10 V | ±20V | 1828 PF @ 25 V | - | 34W (TC) | ||||||||||
BC550C B1G | - | ![]() | 6081 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | バルク | 廃止 | -65°C〜150°C | 穴を通して | TO-226-3 | BC550 | 500 MW | to-92 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 5,000 | 45 v | 100 Ma | 15NA | npn | - | 420 @ 2MA 、5V | - | |||||||||||||||
![]() | TSM60NB190CF C0G | 7.2200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3フルパック | TSM60 | モスフェット(金属酸化物) | ITO-220S | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 600 V | 18a(tc) | 10V | 190mohm @ 3.7a 、10V | 4V @ 250µA | 32 NC @ 10 V | ±30V | 1311 PF @ 100 V | - | 59.5W | ||||||||||
TSM088NA03CR RLG | - | ![]() | 1070 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-powertdfn | TSM088 | モスフェット(金属酸化物) | 8-PDFN (5x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 30 V | 61a(tc) | 4.5V 、10V | 8.8mohm @ 13a 、10V | 2.5V @ 250µA | 12.6 NC @ 10 V | ±20V | 750 PF @ 15 V | - | 56W (TC) | |||||||||||
![]() | BC857C RFG | 0.0343 | ![]() | 4570 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BC857 | 200 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45 v | 100 Ma | 100na(icbo) | PNP | 650mv @ 5ma 、100ma | 420 @ 2MA 、5V | 100MHz | ||||||||||||||
![]() | TSM2328CX RFG | 1.0900 | ![]() | 23 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | TSM2328 | モスフェット(金属酸化物) | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 100 V | 1.5a(ta) | 10V | 250mohm @ 1.5a 、10V | 2.5V @ 250µA | 12 NC @ 4.5 v | ±20V | 975 PF @ 25 V | - | 1.38W | ||||||||||
TSM085P03CV RGG | 2.0100 | ![]() | 82 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-POWERWDFN | TSM085 | モスフェット(金属酸化物) | 8-PDFN (3.1x3.1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | pチャネル | 30 V | 64a(tc) | 4.5V 、10V | 8.5mohm @ 14a 、10V | 2.5V @ 250µA | 55 NC @ 10 V | ±20V | 3234 PF @ 15 V | - | 50W (TC) | |||||||||||
![]() | BC337-40-B0 A1 | - | ![]() | 8251 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-226-3 | 625 MW | to-92 | - | 影響を受けていない | 1801-BC337-40-B0A1TB | 廃止 | 1 | 45 v | 800 Ma | 100na(icbo) | npn | 700mv @ 50ma 、500ma | 250 @ 100MA 、5V | 100MHz | |||||||||||||||||
TSM055N03PQ56 RLG | 1.5100 | ![]() | 110 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-powertdfn | TSM055 | モスフェット(金属酸化物) | 8-PDFN (5x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 30 V | 80a(tc) | 4.5V 、10V | 5.5mohm @ 20a 、10V | 2.5V @ 250µA | 11.1 NC @ 4.5 v | ±20V | 1160 PF @ 25 V | - | 74W | |||||||||||
![]() | TSC4505CX RFG | 1.2300 | ![]() | 12 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | TSC4505 | 225 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 400 V | 300 Ma | 10µa(icbo) | npn | 500MV @ 1MA 、10ma | 100 @ 10ma 、10V | 20MHz | ||||||||||||||
![]() | BC807-25 | 0.0333 | ![]() | 2846 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BC807 | 300 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BC807-25TR | ear99 | 8541.21.0075 | 6,000 | 45 v | 500 Ma | 100na(icbo) | PNP | 700mv @ 50ma 、500ma | 160 @ 100MA、1V | 100MHz | ||||||||||||||
![]() | TSM2NB65CH X0G | - | ![]() | 5652 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-251-3 スタブリード、IPAK | モスフェット(金属酸化物) | TO-251 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 75 | nチャネル | 650 V | 2a(tc) | 10V | 5OHM @ 1A 、10V | 4V @ 250µA | 13 NC @ 10 V | ±20V | 390 PF @ 25 V | - | 65W | |||||||||||
![]() | KTC3198-BL A1G | - | ![]() | 7523 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-226-3 | KTC3198 | 500 MW | to-92 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 50 v | 150 Ma | 100na(icbo) | npn | 250MV @ 10MA 、100mA | 70 @ 2MA 、6V | 80MHz | ||||||||||||||
![]() | BC338-25-B0 A1 | - | ![]() | 6810 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-226-3 | 625 MW | to-92 | - | 影響を受けていない | 1801-BC338-25-B0A1TB | 廃止 | 1 | 25 v | 800 Ma | 100na(icbo) | npn | 700mv @ 50ma 、500ma | 250 @ 100MA 、5V | 100MHz | |||||||||||||||||
![]() | BC547B A1 | - | ![]() | 1117 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | -65°C〜150°C | 穴を通して | to-226-3 | 500 MW | to-92 | ダウンロード | 影響を受けていない | 1801-BC547BA1TB | 廃止 | 1 | 45 v | 100 Ma | 15NA | npn | - | 200 @ 2MA 、5V | - | |||||||||||||||||
![]() | TSM35N10CP ROG | 1.6271 | ![]() | 8011 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -55°C〜150°C | 表面マウント | to-252-3 | TSM35 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 100 V | 32a | 4.5V 、10V | 37mohm @ 10a 、10V | 3V @ 250µA | 34 NC @ 10 V | ±20V | 1598 PF @ 30 V | - | 83.3W | ||||||||||
![]() | BC807-40 RFG | 0.0445 | ![]() | 8446 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BC807 | 300 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45 v | 500 Ma | 200na(icbo) | PNP | 700mv @ 50ma 、500ma | 250 @ 100MA、1V | 100MHz | ||||||||||||||
![]() | TSM4806CS RLG | 0.9600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | TSM4806 | モスフェット(金属酸化物) | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 20 v | 28a(ta) | 1.8V 、4.5V | 20mohm @ 20a 、4.5v | 1V @ 250µA | 12.3 NC @ 4.5 v | ±8V | 961 PF @ 15 V | - | 2W (TA) | ||||||||||
![]() | TS13002ACT A3G | - | ![]() | 4091 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-226-3 | TS13002 | 600 MW | to-92 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 400 V | 300 Ma | 1µA | npn | 1.5V @ 20MA 、200mA | 25 @ 100MA 、10V | 4MHz | ||||||||||||||
![]() | TSM3N80CZ C0G | - | ![]() | 7386 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | TSM3N80 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | nチャネル | 800 V | 3a(tc) | 10V | 4.2OHM @ 1.5A 、10V | 4V @ 250µA | 19 NC @ 10 V | ±30V | 696 PF @ 25 V | - | 94W | ||||||||||
![]() | TSM4N80CI C0G | - | ![]() | 3169 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | TSM4N80 | モスフェット(金属酸化物) | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | nチャネル | 800 V | 4a(tc) | 10V | 3OHM @ 1.2A 、10V | 4V @ 250µA | 20 NC @ 10 V | ±30V | 955 PF @ 25 V | - | 38.7W | ||||||||||
TSM1N45CT B0G | - | ![]() | 5598 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-226-3 | モスフェット(金属酸化物) | to-92 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 450 v | 500ma | 10V | 4.25OHM @ 250MA 、10V | 4.25V @ 250µA | 6.5 NC @ 10 V | ±30V | 235 pf @ 25 v | - | 2W (TC) | ||||||||||||
![]() | MMBT3906L-UA RFG | - | ![]() | 9915 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | 350 MW | SOT-23 | - | 1801-MMBT3906L-UARFG | 廃止 | 1 | 40 v | 200 ma | 100na(icbo) | PNP | 400mv @ 5ma 、50ma | 100 @ 10ma、1V | 250MHz | ||||||||||||||||||
![]() | TSM180N03CS RLG | 0.4314 | ![]() | 1516 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | TSM180 | モスフェット(金属酸化物) | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 30 V | 9a(tc) | 4.5V 、10V | 18mohm @ 8a 、10v | 2V @ 250µA | 14 NC @ 4.5 v | ±20V | 345 PF @ 25 V | - | 2.5W | ||||||||||
![]() | TSM70N900CI | 2.3232 | ![]() | 4666 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | TSM70 | モスフェット(金属酸化物) | ITO-220 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-TSM70N900CI | ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | nチャネル | 700 V | 4.5a | 10V | 900mohm @ 1.5a 、10V | 4V @ 250µA | 9.7 NC @ 10 V | ±30V | 482 PF @ 100 V | - | 20W (TC) | ||||||||||
![]() | TSM9ND50CI | 3.3700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | TSM9 | モスフェット(金属酸化物) | ITO-220 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 500 V | 9a(tc) | 10V | 900mohm @ 2.3a 、10V | 3.8V @ 250µA | 24.5 NC @ 10 V | ±30V | 1116 PF @ 50 V | - | 50W (TC) | ||||||||||
![]() | TSD2150acy RMG | - | ![]() | 6148 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-243AA | 600 MW | SOT-89 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-TSD2150ACYRMGTR | ear99 | 8541.21.0095 | 1,000 | 50 v | 3 a | 100na(icbo) | npn | 500MV @ 200MA 、2a | 200 @ 500MA 、2V | 90MHz | ||||||||||||||
![]() | TSM2311CX-01 RFG | - | ![]() | 5218 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | モスフェット(金属酸化物) | SOT-23 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | TSM2311CX-01RFG | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | pチャネル | 20 v | 4a(ta) | 2.5V 、4.5V | 55mohm @ 4a 、4.5V | 1.4V @ 250µA | 9 NC @ 4.5 v | ±8V | 640 PF @ 6 V | - | 900MW | ||||||||||
![]() | TSM80N950CH C5G | 2.7212 | ![]() | 1602 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-251-3 | TSM80 | モスフェット(金属酸化物) | TO-251 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 75 | nチャネル | 800 V | 6a(tc) | 10V | 950mohm @ 3a 、10V | 4V @ 250µA | 19.6 NC @ 10 V | ±30V | 691 PF @ 100 V | - | 110W | ||||||||||
![]() | BC856A RFG | 0.0343 | ![]() | 5220 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BC856 | 200 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 65 v | 100 Ma | 100na(icbo) | PNP | 650mv @ 5ma 、100ma | 125 @ 2MA 、5V | 100MHz |
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