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トランジスタ（888）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
BC856A RFG	0.0343	RFQ	5220	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BC856		200 MW	SOT-23	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	3,000													65 v	100 Ma	100na（icbo）	PNP	650mv @ 5ma 、100ma	125 @ 2MA 、5V	100MHz
TSM900N10CP	0.7584	RFQ	4167	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	to-252-3	TSM900	モスフェット（金属酸化物）		TO-252	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-TSM900N10CPTR	ear99	8541.29.0095	5,000		nチャネル	100 V	15a（tc）	4.5V 、10V	90mohm @ 5a、10V	2.5V @ 250µA	9.3 NC @ 10 V	±20V	1480 PF @ 50 V	-	50W （TC）
TSM80N08CZ C0G	-	RFQ	3900	台湾半導体コーポレーション	-	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3	TSM80	モスフェット（金属酸化物）		TO-220	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50		nチャネル	75 v	80a（tc）	10V	8mohm @ 40a 、10V	4V @ 250µA	91.5 NC @ 10 V	±20V	3905 PF @ 30 V	-	113.6W
TSM80N1R2CI	3.3572	RFQ	9129	台湾半導体コーポレーション	-	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3 フルパック、分離タブ	TSM80	モスフェット（金属酸化物）		ITO-220	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-TSM80N1R2CI	ear99	8541.29.0095	4,000		nチャネル	800 V	5.5a（tc）	10V	1.2OHM @ 1.8A 、10V	4V @ 250µA	19.4 NC @ 10 V	±30V	685 PF @ 100 V	-	25W （TC）
TSM16ND50CI C0G	3.1438	RFQ	6511	台湾半導体コーポレーション	-	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3 フルパック、分離タブ		モスフェット（金属酸化物）		ITO-220	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50		nチャネル	500 V	16a（tc）	10V	350mohm @ 4a 、10V	4.5V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±30V	2551 PF @ 50 V	-	59.5W
BC337-25 B1	-	RFQ	9978	台湾半導体コーポレーション	-	バルク	廃止	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-226-3			625 MW	to-92	-			影響を受けていない	1801-BC337-25B1	廃止		1													45 v	800 Ma	100na（icbo）	npn	700mv @ 50ma 、500ma	250 @ 100MA 、5V	100MHz
TSM7NC60CF C0G	1.5053	RFQ	4283	台湾半導体コーポレーション	-	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3フルパック	TSM7	モスフェット（金属酸化物）		ITO-220S	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50		nチャネル	600 V	7a（tc）	10V	1.2OHM @ 2A 、10V	4.5V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±30V	1169 PF @ 50 V	-	44.6W
TSM4425CS RLG	-	RFQ	4211	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）		モスフェット（金属酸化物）		8ソップ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	TSM4425CSRLG	ear99	8541.29.0095	2,500		pチャネル	30 V	11a（tc）	4.5V 、10V	12mohm @ 11a 、10V	3V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±20V	3680 PF @ 8 V	-	2.5W
TSM300NB06LCV RGG	1.5100	RFQ	10	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-POWERWDFN	TSM300	モスフェット（金属酸化物）		8-PDFN （3.15x3.1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	5,000		nチャネル	60 V	5a（タタ24a（tc）	4.5V 、10V	30mohm @ 5a 、10V	2.5V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	962 PF @ 30 V	-	1.9w
TSM061NA03CV RGG	-	RFQ	7974	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	8-POWERWDFN	TSM061	モスフェット（金属酸化物）		8-PDFN （3.1x3.1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	5,000		nチャネル	30 V	66a（tc）	4.5V 、10V	6.1mohm @ 16a 、10v	2.5V @ 250µA	19.3 NC @ 10 V	±20V	1136 PF @ 15 V	-	44.6W
TSM7P06CP	0.4877	RFQ	9946	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	150°C （TJ）	表面マウント	to-252-3	TSM7	モスフェット（金属酸化物）		TO-252	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-TSM7P06CPTR	ear99	8541.29.0095	5,000		pチャネル	60 V	7a（tc）	4.5V 、10V	180mohm @ 3a、10V	2.5V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	425 PF @ 30 V	-	15.6W
TSM2537CQ	0.5543	RFQ	8608	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	6-vdfn露出パッド	TSM2537	モスフェット（金属酸化物）	6.25W	6-tdfn （2x2）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-TSM2537CQTR	ear99	8541.29.0095	12,000	nおよびpチャネル		20V	11.6a		30mohm @ 6.4a 、4.5V 、55mohm @ 5a 、4.5v	1V @ 250µA	9.1NC @ 4.5V、9.8NC @ 4.5V		677pf @ 10V 、744pf @ 10V	ロジックレベルゲート、 1.8Vドライブ
TSC873CW RPG	0.9200	RFQ	15	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	150°C （TJ）	表面マウント	TO-261-4、TO-261AA	TSC873			SOT-223	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,500													400 V	1 a	1ma	npn	1V @ 250ma、1a	80 @ 250ma 、10V	-
BC817-16	0.0336	RFQ	8345	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BC817		300 MW	SOT-23	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-BC817-16TR	ear99	8541.21.0075	6,000													45 v	500 Ma	100na（icbo）	npn	700mv @ 50ma 、500ma	100 @ 100MA、1V	100MHz
TSM340N06CH X0G	1.8500	RFQ	15	台湾半導体コーポレーション	-	チューブ	アクティブ	150°C （TJ）	穴を通して	TO-251-3 スタブリード、IPAK	TSM340	モスフェット（金属酸化物）		TO-251	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	75		nチャネル	60 V	30a（tc）	4.5V 、10V	34mohm @ 15a 、10V	2.5V @ 250µA	16.6 NC @ 10 V	±20V	1180 PF @ 30 V	-	66W
TSM190N08CZ C0G	9.6300	RFQ	4	台湾半導体コーポレーション	-	チューブ	新しいデザインではありません	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3	TSM190	モスフェット（金属酸化物）		TO-220	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50		nチャネル	75 v	190a	10V	4.2mohm @ 90a 、10V	4V @ 250µA	160 NC @ 10 V	±20V	8600 PF @ 30 V	-	250W
TSM60N06CP ROG	-	RFQ	4719	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	to-252-3	TSM60	モスフェット（金属酸化物）		TO-252	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,500		nチャネル	60 V	66a（tc）	10V	7.3mohm @ 30a 、10V	4V @ 250µA	81 NC @ 10 V	±20V	4382 PF @ 30 V	-	44.6W
TSM6502CR RLG	2.3700	RFQ	9	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-powertdfn	TSM6502	モスフェット（金属酸化物）	40W	8-PDFN （5x6）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,500	nおよびpチャネル		60V	24a（tc		34mohm @ 5.4a	2.5V @ 250µA	10.3NC @ 4.5V 、9.5NC @ 4.5V		1159pf @ 30V 、930pf @ 30V	-
MMBT3904L-UA RF	-	RFQ	3419	台湾半導体コーポレーション	-	バルク	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3			300 MW	SOT-23	-				1801-MMBT3904L-UARF	廃止		1													40 v	200 ma	50NA	npn	300mv @ 5ma 、50ma	100 @ 10ma、1V	250MHz
TSM110NB04LCR RLG	1.6800	RFQ	26	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	8-powertdfn	TSM110	モスフェット（金属酸化物）		8-PDFN （5x6）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,500		nチャネル	40 v	12a（タタ）、 54a（tc）	4.5V 、10V	11mohm @ 12a 、10v	2.5V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±20V	1269 PF @ 20 V	-	3.1W （TA ）、68W（TC）
TSM3N90CZ C0G	-	RFQ	8691	台湾半導体コーポレーション	-	チューブ	廃止	150°C （TJ）	穴を通して	TO-220-3	TSM3N90	モスフェット（金属酸化物）		TO-220	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,000		nチャネル	900 V	2.5a	10V	5.1OHM @ 1.25A 、10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±30V	748 PF @ 25 V	-	94W
TSM60NB600CF	1.9333	RFQ	6500	台湾半導体コーポレーション	-	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3フルパック	TSM60	モスフェット（金属酸化物）		ITO-220S	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-TSM60NB600CF	ear99	8541.29.0095	4,000		nチャネル	600 V	8a（tc）	10V	600mohm @ 1.7a、10V	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±30V	528 PF @ 100 V	-	41.7W
TSM60NC620CP ROG	3.6900	RFQ	4175	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	to-252-3	TSM60	モスフェット（金属酸化物）		TO-252	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）					5,000		nチャネル	600 V	7a（tc）	10V	620mohm @ 2.4a 、10V	5V @ 1MA	15 NC @ 10 V	±20V	498 PF @ 300 v	-	78W （TC）
TSM10N60CZ C0G	-	RFQ	7025	台湾半導体コーポレーション	-	バルク	廃止	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3		モスフェット（金属酸化物）		TO-220	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	TSM10N60CZC0G	ear99	8541.29.0095	1		nチャネル	600 V	10a（tc）	10V	750mohm @ 5a 、10V	4V @ 250µA	45.8 NC @ 10 V	±30V	1738 PF @ 25 V	-	166W
KTC3198-GR A1G	-	RFQ	9205	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆ボックス（ TB）	廃止	-55°C〜150°C	穴を通して	to-226-3	KTC3198		500 MW	to-92	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	4,000													50 v	150 Ma	100na（icbo）	npn	250MV @ 10MA 、100mA	70 @ 2MA 、6V	80MHz
TSM055N03PQ56	0.7033	RFQ	5653	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-powertdfn	TSM055	モスフェット（金属酸化物）		8-PDFN （5x5.8）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-TSM055N03PQ56TR	ear99	8541.29.0095	5,000		nチャネル	30 V	80a（tc）	4.5V 、10V	5.5mohm @ 20a 、10V	2.5V @ 250µA	11.1 NC @ 4.5 v	±20V	1160 PF @ 25 V	-	74W
BC338-40-B0 B1G	-	RFQ	6068	台湾半導体コーポレーション	-	バルク	廃止	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-226-3			625 MW	to-92	ダウンロード			影響を受けていない	1801-BC338-40-B0B1G	廃止		1													25 v	800 Ma	100na（icbo）	npn	700mv @ 50ma 、500ma	250 @ 100MA 、5V	100MHz
TSM061NA03CR RLG	-	RFQ	7201	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	8-powertdfn	TSM061	モスフェット（金属酸化物）		8-PDFN （5x6）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,500		nチャネル	30 V	88a（tc）	4.5V 、10V	6.1mohm @ 16a 、10v	2.5V @ 250µA	19 NC @ 10 V	±20V	1133 PF @ 15 V	-	78W （TC）
BC850CW RFG	0.0368	RFQ	3245	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-70、SOT-323	BC850		200 MW	SOT-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	3,000													45 v	100 Ma	100na（icbo）	npn	600MV @ 5MA 、100mA	420 @ 2MA 、5V	100MHz
TSM8N50CH C5G	-	RFQ	1461	台湾半導体コーポレーション	-	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	穴を通して	to-251-3		モスフェット（金属酸化物）		TO-251	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	75		nチャネル	500 V	7.2a（tc）	10V	850mohm @ 3.6a 、10V	4V @ 250µA	26.6 NC @ 10 V	±30V	1595 PF @ 25 V	-	89W

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
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トランジスタ（888）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²