画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | フェットタイプ | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFD320 | - | ![]() | 6210 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C (TJ | 穴を通して | 4-dip (0.300 "、7.62mm) | IRFD320 | モスフェット(金属酸化物) | 4-HVMDIP | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | *IRFD320 | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 400 V | 490ma(ta) | 10V | 1.8OHM @ 210MA 、10V | 4V @ 250µA | 20 NC @ 10 V | ±20V | 410 pf @ 25 v | - | 1W | |||
![]() | SI1072X-T1-E3 | - | ![]() | 7584 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C (TJ | 表面マウント | SOT-563、SOT-666 | SI1072 | モスフェット(金属酸化物) | SC-89 (SOT-563F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | nチャネル | 30 V | 1.3a(ta) | 4.5V 、10V | 93mohm @ 1.3a 、10V | 3V @ 250µA | 8.3 NC @ 10 V | ±20V | 280 PF @ 15 V | - | 236MW | ||||
![]() | SUG80050E-GE3 | 5.1500 | ![]() | 7288 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | チューブ | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-247-3 | SUG80050 | モスフェット(金属酸化物) | TO-247AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 500 | nチャネル | 150 v | 100a(tc) | 7.5V 、10V | 5.4mohm @ 20a 、10v | 4V @ 250µA | 165 NC @ 10 V | ±20V | 6250 PF @ 75 v | - | 500W (TC) | |||||
![]() | IRFI620G | - | ![]() | 5932 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C (TJ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | IRFI620 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | *IRFI620G | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 200 v | 4.1a(tc) | 10V | 800mohm @ 2.5a 、10V | 4V @ 250µA | 14 NC @ 10 V | ±20V | 260 PF @ 25 V | - | 30W (TC) | |||
![]() | SI5980DU-T1-GE3 | - | ![]() | 2634 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | カットテープ(CT) | 廃止 | 表面マウント | PowerPak®Chipfet™デュアル | SI5980 | モスフェット(金属酸化物) | 7.8W | PowerPak®Chipfetデュアル | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 nチャンネル(デュアル) | 100V | 2.5a | 567mohm @ 400ma 、10V | 4V @ 250µA | 3.3NC @ 10V | 78pf @ 50V | - | |||||||
![]() | SI1033X-T1-E3 | - | ![]() | 6318 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C (TJ | 表面マウント | SOT-563、SOT-666 | SI1033 | モスフェット(金属酸化物) | 250MW | SC-89 (SOT-563F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 P-Channel (デュアル) | 20V | 145ma | 8OHM @ 150MA 、4.5V | 1.2V @ 250µA | 1.5NC @ 4.5V | - | ロジックレベルゲート | ||||||
![]() | SQD97N06-6M3L_GE3 | 1.6600 | ![]() | 8375 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 自動車、AEC-Q101 、TRENCHFET® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | to-252-3 | SQD97 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | nチャネル | 60 V | 97a(tc) | 4.5V 、10V | 6.3mohm @ 25a 、10V | 2.5V @ 250µA | 125 NC @ 10 V | ±20V | 6060 PF @ 25 V | - | 136W | |||||
![]() | SQS423EN-T1_BE3 | 0.9400 | ![]() | 9771 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 自動車、AEC-Q101 、TRENCHFET® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜175°C | 表面マウント | PowerPak®1212-8 | SQS423 | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®1212-8 | - | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 30 V | 16a(tc) | 4.5V 、10V | 21mohm @ 12a 、10V | 2.5V @ 250µA | 26 NC @ 4.5 v | ±20V | 1975 pf @ 15 v | - | 62.5W | |||||||
![]() | SI1965DH-T1-E3 | 0.5100 | ![]() | 4167 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C (TJ | 表面マウント | 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 | SI1965 | モスフェット(金属酸化物) | 1.25W | SC-70-6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 P-Channel (デュアル) | 12V | 1.3a | 390mohm @ 1a 、4.5V | 1V @ 250µA | 4.2NC @ 8V | 120pf @ 6V | ロジックレベルゲート | ||||||
![]() | IRFR9010TRR | - | ![]() | 2440 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C (TJ | 表面マウント | to-252-3 | IRFR9010 | モスフェット(金属酸化物) | d-pak | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 50 v | 5.3a(tc) | 10V | 500mohm @ 2.8a 、10V | 4V @ 250µA | 9.1 NC @ 10 V | ±20V | 240 pf @ 25 v | - | 25W (TC) | |||||
![]() | IRFR220PBF | 0.9300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C (TJ | 表面マウント | to-252-3 | IRFR220 | モスフェット(金属酸化物) | d-pak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 75 | nチャネル | 200 v | 4.8a(tc) | 10V | 800mohm @ 2.9a 、10V | 4V @ 250µA | 14 NC @ 10 V | ±20V | 260 PF @ 25 V | - | 2.5W (Ta )、42w(tc) | |||||
![]() | IRFR110TRRPBF | - | ![]() | 3170 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C (TJ | 表面マウント | to-252-3 | IRFR110 | モスフェット(金属酸化物) | d-pak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 100 V | 4.3a(tc) | 10V | 540mohm @ 2.6a 、10V | 4V @ 250µA | 8.3 NC @ 10 V | ±20V | 180 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA )、25W(TC) | ||||
SUV85N10-10-E3 | - | ![]() | 1250 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3 | SUV85 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 500 | nチャネル | 100 V | 85a(tc) | 4.5V 、10V | 10.5mohm @ 30a 、10V | 3V @ 250µA | 160 NC @ 10 V | ±20V | 6550 PF @ 25 V | - | 3.75W | |||||
![]() | IRFBC30STRLPBF | 2.9100 | ![]() | 52 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C (TJ | 表面マウント | TO-263-3 | IRFBC30 | モスフェット(金属酸化物) | d²pak( to-263) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 800 | nチャネル | 600 V | 3.6a(tc) | 10V | 2.2OHM @ 2.2A 、10V | 4V @ 250µA | 31 NC @ 10 V | ±20V | 660 PF @ 25 V | - | 3.1W (TA )、74W(TC) | |||||
![]() | SI3495DV-T1-GE3 | - | ![]() | 7465 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C (TJ | 表面マウント | SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 | SI3495 | モスフェット(金属酸化物) | 6-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 20 v | 5.3a(ta) | 1.5V 、4.5V | 24mohm @ 7a 、4.5V | 750MV @ 250µA | 38 NC @ 4.5 v | ±5V | - | 1.1W | |||||
SUP65P04-15-E3 | - | ![]() | 9670 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | バルク | 廃止 | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3 | SUP65 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | SUP65P0415E3 | ear99 | 8541.29.0095 | 500 | pチャネル | 40 v | 65a(tc) | 4.5V 、10V | 15mohm @ 30a 、10V | 3V @ 250µA | 130 NC @ 10 V | ±20V | 5400 PF @ 25 V | - | 3.75W | ||||
SQJB40EP-T1_GE3 | 1.3100 | ![]() | 102 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 自動車、AEC-Q101 、TRENCHFET® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | PowerPak®SO-8デュアル | SQJB40 | モスフェット(金属酸化物) | 34W | PowerPak®SO-8デュアル | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 nチャンネル(デュアル) | 40V | 30a(tc) | 8mohm @ 8a 、10V | 2.5V @ 250µA | 35NC @ 10V | 1900pf @ 25V | - | ||||||||
![]() | SQ4949EY-T1_GE3 | 1.6100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 自動車、AEC-Q101 、TRENCHFET® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | SQ4949 | モスフェット(金属酸化物) | 3.3W | 8-SOIC | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 P-Channel (デュアル) | 30V | 7.5a | 35mohm @ 5.9a 、10V | 2.5V @ 250µA | 30NC @ 10V | 1020pf @ 25V | - | ||||||||
![]() | SIR846ADP-T1-GE3 | 2.2600 | ![]() | 6980 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C (TJ | 表面マウント | PowerPak®SO-8 | SIR846 | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®SO-8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 100 V | 60a(tc) | 6V 、10V | 7.8mohm @ 20a 、10V | 3V @ 250µA | 66 NC @ 10 V | ±20V | 2350 PF @ 50 V | - | 5.4W | |||||
![]() | SI3853DV-T1-GE3 | - | ![]() | 1430 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | リトルフット® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C (TJ | 表面マウント | SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 | SI3853 | モスフェット(金属酸化物) | 6-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | pチャネル | 20 v | 1.6a(ta) | 2.5V 、4.5V | 200mohm @ 1.8a 、4.5V | 500MV @ 250µA | 4 NC @ 4.5 v | ±12V | ショットキーダイオード(分離) | 830MW | |||||
SUP85N10-10-GE3 | 6.6200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | チューブ | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3 | SUP85 | モスフェット(金属酸化物) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 100 V | 85a(tc) | 4.5V 、10V | 10.5mohm @ 30a 、10V | 3V @ 250µA | 160 NC @ 10 V | ±20V | 6550 PF @ 25 V | - | 3.75W | |||||||
![]() | SI3451DV-T1-GE3 | - | ![]() | 2430 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C (TJ | 表面マウント | SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 | SI3451 | モスフェット(金属酸化物) | 6-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 20 v | 2.8a(tc) | 2.5V 、4.5V | 115mohm @ 2.6a 、4.5V | 1.5V @ 250µA | 5.1 NC @ 5 V | ±12V | 250 pf @ 10 V | - | 1.25W | ||||
![]() | SIA907EDJ-T1-GE3 | - | ![]() | 9300 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | - | - | - | SIA907 | - | - | - | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | - | - | - | - | - | - | - | - | |||||||
![]() | SI3473DV-T1-E3 | - | ![]() | 1770 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C (TJ | 表面マウント | SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 | SI3473 | モスフェット(金属酸化物) | 6-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 12 v | 5.9a(ta) | 1.8V 、4.5V | 23mohm @ 7.9a 、4.5V | 1V @ 250µA | 33 NC @ 4.5 v | ±8V | - | 1.1W | |||||
![]() | SI2328DS-T1-BE3 | 0.8600 | ![]() | 7496 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C (TJ | 表面マウント | TO-236-3 | モスフェット(金属酸化物) | SOT-23-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 742-SI2328DS-T1-BE3DKR | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | nチャネル | 100 V | 1.15a | 10V | 250mohm @ 1.5a 、10V | 4V @ 250µA | 5 NC @ 10 V | ±20V | - | 730MW | |||||||
![]() | sud40151el-ge3 | 1.8900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet®geniv | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | to-252-3 | SUD40151 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | pチャネル | 40 v | 42a | 4.5V 、10V | 12mohm @ 17.5a 、10V | 2.5V @ 250µA | 112 NC @ 10 V | ±20V | 5340 PF @ 20 V | - | 50W (TC) | |||||
IRL530 | - | ![]() | 9746 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3 | IRL530 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | *IRL530 | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 100 V | 15a(tc) | 4V、5V | 160mohm @ 9a、5v | 2V @ 250µA | 28 NC @ 5 V | ±10V | 930 PF @ 25 V | - | 88W | ||||
![]() | SI7465DP-T1-GE3 | 1.3200 | ![]() | 31 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C (TJ | 表面マウント | PowerPak®SO-8 | SI7465 | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®SO-8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 60 V | 3.2a(ta) | 4.5V 、10V | 64mohm @ 5a 、10V | 3V @ 250µA | 40 NC @ 10 V | ±20V | - | 1.5W | ||||||
![]() | SI4925DDY-T1-GE3 | 1.0000 | ![]() | 3956 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C (TJ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | SI4925 | モスフェット(金属酸化物) | 5W | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 P-Channel (デュアル) | 30V | 8a | 29mohm @ 7.3a 、10V | 3V @ 250µA | 50NC @ 10V | 1350pf @ 15V | - | |||||||
![]() | SIR170DP-T1-RE3 | 1.9300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet®geniv | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C (TJ | 表面マウント | PowerPak®SO-8 | SIR170 | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®SO-8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 100 V | 23.2a | 4.5V 、10V | 4.8mohm @ 20a 、10V | 2.5V @ 250µA | 140 NC @ 10 V | ±20V | 6195 PF @ 50 V | - | 6.25W (TA )、104W(TC) |
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