画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | フェットタイプ | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | 電圧 -破壊( V | 現在の - ドレイン(IDSS @ vds(vgs = 0) | 電圧-Cutoff( VGSオフ) @ id |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF7822TRR | - | ![]() | 8912 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | IRF7822 | モスフェット(金属酸化物) | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | nチャネル | 30 V | 18a(ta) | 4.5V | 6.5mohm @ 15a 、4.5V | 1V @ 250µA | 60 NC @ 5 V | ±12V | 5500 PF @ 16 V | - | 3.1W | |||||||
![]() | SIHD14N60E-BE3 | 2.3000 | ![]() | 9863 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | e | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | to-252-3 | SIHD14 | モスフェット(金属酸化物) | d-pak | ダウンロード | 1 (無制限) | 742-SIHD14N60E-BE3 | ear99 | 8541.29.0095 | 75 | nチャネル | 600 V | 13a(tc) | 10V | 309mohm @ 7a、10V | 4V @ 250µA | 64 NC @ 10 V | ±30V | 1205 PF @ 100 V | - | 147W | ||||||||
![]() | SIHFL110TR-GE3 | 0.6300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-261-4、TO-261AA | SIHFL110 | モスフェット(金属酸化物) | SOT-223 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 100 V | 1.5a | 10V | 540mohm @ 900ma 、10V | 4V @ 250µA | 8.3 NC @ 10 V | ±20V | 180 pf @ 25 v | - | 2W (TA )、3.1W(TC) | ||||||||
![]() | SQS401EN-T1_BE3 | 0.9400 | ![]() | 21 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 自動車、AEC-Q101 、TRENCHFET® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | PowerPak®1212-8 | SQS401 | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®1212-8 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 40 v | 16a(tc) | 4.5V 、10V | 29mohm @ 12a 、10V | 2.5V @ 250µA | 21.2 NC @ 4.5 v | ±20V | 1875 pf @ 20 v | - | 62.5W | |||||||||
![]() | 2N5116JTVL02 | - | ![]() | 1489 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | アクティブ | - | 穴を通して | to-206aa | 2N5116 | to-206aa | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 20 | - | - | |||||||||||||||||
SQJ152EP-T1_GE3 | 0.9400 | ![]() | 5309 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet®geniv | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | PowerPak®SO-8 | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®SO-8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 40 v | 114a(tc) | 10V | 5.1mohm @ 15a 、10V | 3.5V @ 250µA | 27 NC @ 10 V | ±20V | 1450 PF @ 25 V | - | 136W | ||||||||||
![]() | IRFP21N60L | - | ![]() | 9884 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-247-3 | IRFP21 | モスフェット(金属酸化物) | TO-247AC | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 500 | nチャネル | 600 V | 21a(tc) | 10V | 320mohm @ 13a 、10V | 5V @ 250µA | 150 NC @ 10 V | ±30V | 4000 pf @ 25 V | - | 330W | |||||||
![]() | SIHG24N80AEF-GE3 | 4.8700 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-247-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-247AC | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 742-SIHG24N80AEF-GE3 | ear99 | 8541.29.0095 | 500 | nチャネル | 800 V | 20a(tc) | 10V | 195mohm @ 10a 、10V | 4V @ 250µA | 90 NC @ 10 V | ±30V | 1889 PF @ 100 V | - | 208W | ||||||||
IRL540PBF | 2.5100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3 | IRL540 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | *IRL540PBF | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 100 V | 28a(tc) | 4V、5V | 77mohm @ 17a 、5v | 2V @ 250µA | 64 NC @ 5 V | ±10V | 2200 PF @ 25 V | - | 150W | ||||||||
![]() | SST4416-E3 | - | ![]() | 4471 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | SST4416 | 350 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 1,000 | nチャネル | 2.2pf @ 15V | 30 V | 5 ma @ 15 v | 3 V @ 1 Na | |||||||||||||
![]() | SQJA88EP-T1_BE3 | 0.9600 | ![]() | 2205 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 自動車、AEC-Q101 、TRENCHFET® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | PowerPak®SO-8 | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®SO-8 | ダウンロード | 1 (無制限) | 742-sqja88ep-t1_be3tr | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 40 v | 30a(tc) | 4.5V 、10V | 7mohm @ 8a 、10V | 2.5V @ 250µA | 35 NC @ 10 V | ±20V | 1800 pf @ 25 v | - | 48W (TC) | |||||||||
![]() | SI4004DY-T1-GE3 | - | ![]() | 7965 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | カットテープ(CT) | 廃止 | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | SI4004 | モスフェット(金属酸化物) | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 20 v | 12a(tc) | 13.8mohm @ 11a 、10v | 2.5V @ 250µA | 33 NC @ 10 V | 1280 PF @ 10 V | - | |||||||||||
![]() | SI7194DP-T1-GE3 | - | ![]() | 4426 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®SO-8 | SI7194 | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®SO-8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 25 v | 60a(tc) | 4.5V 、10V | 2mohm @ 20a 、10V | 2.6V @ 250µA | 145 NC @ 10 V | ±20V | 6590 PF @ 15 V | - | 5.4W | ||||||||
![]() | IRFD9120 | - | ![]() | 1664 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | バルク | 廃止 | -55°C〜175°C | 穴を通して | 4-dip (0.300 "、7.62mm) | IRFD9120 | モスフェット(金属酸化物) | 4-HVMDIP | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | *IRFD9120 | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | pチャネル | 100 V | 1a(ta) | 10V | 600mohm @ 600ma 、10V | 4V @ 250µA | 18 NC @ 10 V | ±20V | 390 PF @ 25 V | - | 1.3W | ||||||
![]() | IRLU024PBF | 1.7000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-251-3 | IRLU024 | モスフェット(金属酸化物) | TO-251AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | *IRLU024PBF | ear99 | 8541.29.0095 | 75 | nチャネル | 60 V | 14a(tc) | 4V、5V | 100mohm @ 8.4a 、5v | 2V @ 250µA | 18 NC @ 5 V | ±10V | 870 PF @ 25 V | - | 2.5W (Ta )、42w(tc) | |||||||
![]() | SIHD3N50D-GE3 | 0.9200 | ![]() | 2399 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | to-252-3 | SIHD3 | モスフェット(金属酸化物) | d-pak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 500 V | 3a(tc) | 10V | 3.2OHM @ 2.5A 、10V | 5V @ 250µA | 12 NC @ 10 V | ±30V | 175 pf @ 100 V | - | 69W (TC) | ||||||||
![]() | SQJ407EP-T1_BE3 | 1.4800 | ![]() | 1406 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 自動車、AEC-Q101 、TRENCHFET® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | PowerPak®SO-8 | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®SO-8 | ダウンロード | 1 (無制限) | 742-SQJ407EP-T1_BE3TR | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 30 V | 60a(tc) | 4.5V 、10V | 4.4mohm @ 10a 、10v | 2.5V @ 250µA | 260 NC @ 10 V | ±20V | 10700 PF @ 25 V | - | 68W (TC) | |||||||||
![]() | SQD45P03-12-T4_GE3 | 0.6597 | ![]() | 7337 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 自動車、AEC-Q101 、TRENCHFET® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | to-252-3 | SQD45 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 742-SQD45P03-12-T4_GE3TR | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | pチャネル | 30 V | 50a(tc) | 4.5V 、10V | 10mohm @ 15a 、10V | 2.5V @ 250µA | 83 NC @ 10 V | ±20V | 3495 PF @ 15 V | - | 71W | |||||||
![]() | SIS443DN-T1-GE3 | 1.5900 | ![]() | 134 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®1212-8 | SIS443 | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®1212-8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 40 v | 35a(tc) | 4.5V 、10V | 11.7mohm @ 15a 、10V | 2.3V @ 250µA | 135 NC @ 10 V | ±20V | 4370 PF @ 20 V | - | 3.7W (TA )、52W(TC) | ||||||||
![]() | SI7634BDP-T1-E3 | 0.7088 | ![]() | 1446 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®SO-8 | SI7634 | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®SO-8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 30 V | 40a(tc) | 4.5V 、10V | 5.4mohm @ 15a 、10V | 2.6V @ 250µA | 68 NC @ 10 V | ±20V | 3150 PF @ 15 V | - | 5W (TA )、48W(TC | ||||||||
![]() | SI1902CDL-T1-GE3 | 0.4500 | ![]() | 1347 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 | SI1902 | モスフェット(金属酸化物) | 420MW | SC-70-6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 nチャンネル(デュアル) | 20V | 1.1a | 235mohm @ 1a 、4.5V | 1.5V @ 250µA | 3NC @ 10V | 62pf @ 10V | ロジックレベルゲート | |||||||||
![]() | SI4170DY-T1-GE3 | - | ![]() | 3389 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | SI4170 | モスフェット(金属酸化物) | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 30 V | 30a(tc) | 4.5V 、10V | 3.5mohm @ 15a 、10V | 2.6V @ 250µA | 100 NC @ 10 V | ±20V | 4355 PF @ 15 V | - | 3W (TA)、6W(TC) | |||||||
IRFBE30 | - | ![]() | 3802 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | IRFBE30 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | *IRFBE30 | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 800 V | 4.1a(tc) | 10V | 3OHM @ 2.5A 、10V | 4V @ 250µA | 78 NC @ 10 V | ±20V | 1300 PF @ 25 V | - | 125W | |||||||
![]() | SQJ423EP-T1_GE3 | 1.1200 | ![]() | 7995 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 自動車、AEC-Q101 、TRENCHFET® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | PowerPak®SO-8 | SQJ423 | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®SO-8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 40 v | 55a(tc) | 4.5V 、10V | 14mohm @ 10a 、10v | 2.5V @ 250µA | 130 NC @ 10 V | ±20V | 4500 PF @ 25 V | - | 68W (TC) | ||||||||
![]() | IRLU110 | - | ![]() | 4617 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-251-3 | IRLU110 | モスフェット(金属酸化物) | TO-251AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | *IRLU110 | ear99 | 8541.29.0095 | 75 | nチャネル | 100 V | 4.3a(tc) | 4V、5V | 540mohm @ 2.6a 、5v | 2V @ 250µA | 6.1 NC @ 5 V | ±10V | 250 PF @ 25 V | - | 2.5W (TA )、25W(TC) | |||||||
![]() | 2N4857JTXV02 | - | ![]() | 8900 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | 廃止 | - | 穴を通して | to-206aa | 2N4857 | to-206aa | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 40 | - | - | |||||||||||||||||
![]() | SI4686DY-T1-GE3 | 1.5600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet®、WFET® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | SI4686 | モスフェット(金属酸化物) | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 30 V | 18.2a(tc) | 4.5V 、10V | 9.5mohm @ 13.8a 、10V | 3V @ 250µA | 26 NC @ 10 V | ±20V | 1220 PF @ 15 V | - | 3W (TA )、5.2W (TC | ||||||||
![]() | SI5908DC-T1-E3 | 1.3900 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SMD 、フラットリード | SI5908 | モスフェット(金属酸化物) | 1.1W | 1206-8 Chipfet™ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 nチャンネル(デュアル) | 20V | 4.4a | 40mohm @ 4.4a 、4.5V | 1V @ 250µA | 7.5NC @ 4.5V | - | ロジックレベルゲート | |||||||||
![]() | SIHP186N60EF-GE3 | 1.8610 | ![]() | 8796 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | SIHP186 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 600 V | 18a(tc) | 10V | 193mohm @ 9.5a 、10V | 5V @ 250µA | 32 NC @ 10 V | ±30V | 1081 PF @ 100 V | - | 156W | ||||||||
![]() | SIHS90N65E-E3 | - | ![]() | 8588 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-247-3 | SIHS90 | モスフェット(金属酸化物) | Super-247™(To-274AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 500 | nチャネル | 650 V | 87a(tc) | 10V | 29mohm @ 45a 、10V | 4V @ 250µA | 591 NC @ 10 V | ±30V | 11826 PF @ 100 V | - | 625W (TC) |
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