画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | フェットタイプ | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF9630S | - | ![]() | 4438 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-263-3 | IRF9630 | モスフェット(金属酸化物) | d²pak( to-263) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | *IRF9630S | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | pチャネル | 200 v | 6.5a(tc) | 10V | 800mohm @ 3.9a 、10V | 4V @ 250µA | 29 NC @ 10 V | ±20V | 700 PF @ 25 V | - | 3W (TA )、74W(TC) | |||
![]() | SI4226DY-T1-GE3 | - | ![]() | 4490 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | SI4226 | モスフェット(金属酸化物) | 3.2W | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 nチャンネル(デュアル) | 25V | 8a | 19.5mohm @ 7a 、4.5V | 2V @ 250µA | 36NC @ 10V | 1255pf @ 15V | - | ||||||
![]() | VQ1001P | - | ![]() | 1852年 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | - | VQ1001 | モスフェット(金属酸化物) | 2W | 14ディップ | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 25 | 4 nチャネル | 30V | 830ma | 1.75OHM @ 200MA 、5V | 2.5V @ 1MA | - | 110pf @ 15V | ロジックレベルゲート | ||||||
![]() | SIZF916DT-T1-GE3 | 1.6400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet®geniv | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-POWERWDFN | SIZF916 | モスフェット(金属酸化物) | 3.4W (TA )、26.6W | 8-powerpair®(6x5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 nチャンネル(デュアル) | 30V | 23a | 4mohm @ 10a、10v | 2.4V @ 250µA、2.2V @ 250µA | 22NC @ 10V、95NC @ 10V | 1060pf @ 15v、4320pf @ 15V | - | |||||||
![]() | IRFP460A | - | ![]() | 5143 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-247-3 | IRFP460 | モスフェット(金属酸化物) | TO-247AC | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 500 | nチャネル | 500 V | 20a(tc) | 10V | 270mohm @ 12a 、10V | 4V @ 250µA | 105 NC @ 10 V | ±30V | 3100 PF @ 25 V | - | 280W (TC) | ||||
![]() | SI3440DV-T1-GE3 | 1.5200 | ![]() | 54 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 | SI3440 | モスフェット(金属酸化物) | 6-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 150 v | 1.2a(ta) | 6V 、10V | 375mohm @ 1.5a 、10V | 4V @ 250µA | 8 NC @ 10 V | ±20V | - | 1.14W | ||||||
![]() | IRFR120TRPBF-BE3 | 1.5800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | to-252-3 | IRFR120 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252AA | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | nチャネル | 100 V | 7.7a | 10V | 270mohm @ 4.6a 、10V | 4V @ 250µA | 16 NC @ 10 V | ±20V | 360 PF @ 25 V | - | 2.5W (Ta )、42w(tc) | ||||||
![]() | SI4833BDY-T1-GE3 | - | ![]() | 1830 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | リトルフット® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | SI4833 | モスフェット(金属酸化物) | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | pチャネル | 30 V | 4.6a(tc) | 4.5V 、10V | 68mohm @ 3.6a、10V | 2.5V @ 250µA | 14 NC @ 10 V | ±20V | 350 PF @ 15 V | ショットキーダイオード(分離) | 2.75W | |||||
![]() | SI7812DN-T1-E3 | 2.0800 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®1212-8 | SI7812 | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®1212-8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 75 v | 16a(tc) | 4.5V 、10V | 37mohm @ 7.2a 、10V | 3V @ 250µA | 24 NC @ 10 V | ±20V | 840 PF @ 35 V | - | 3.8w | |||||
![]() | IRF9620PBF-BE3 | 1.6800 | ![]() | 792 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | IRF9620 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220AB | ダウンロード | 1 (無制限) | 742-IRF9620PBF-BE3 | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | pチャネル | 200 v | 3.5a | 1.5OHM @ 1.5A 、10V | 4V @ 250µA | 22 NC @ 10 V | ±20V | 350 PF @ 25 V | - | 40W (TC) | ||||||
![]() | SI7104DN-T1-GE3 | 1.0490 | ![]() | 9150 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®1212-8 | SI7104 | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®1212-8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 12 v | 35a(tc) | 2.5V 、4.5V | 3.7mohm @ 26.1a 、4.5V | 1.8V @ 250µA | 70 NC @ 10 V | ±12V | 2800 pf @ 6 v | - | 3.8w | |||||
![]() | SI1551DL-T1-E3 | - | ![]() | 5875 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 | SI1551 | モスフェット(金属酸化物) | 270MW | SC-70-6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | nおよびpチャネル | 20V | 290MA 、410ma | 1.9OHM @ 290MA 、4.5V | 1.5V @ 250µA | 1.5NC @ 4.5V | - | ロジックレベルゲート | ||||||
![]() | SIA950DJ-T1-GE3 | - | ![]() | 3492 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | リトルフット® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®SC-70-6デュアル | SIA950 | モスフェット(金属酸化物) | 7W | PowerPak®SC-70-6デュアル | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 nチャンネル(デュアル) | 190V | 950ma | 3.8OHM @ 360MA 、4.5V | 1.4V @ 250µA | 4.5NC @ 10V | 90pf @ 100V | ロジックレベルゲート | ||||||
![]() | SIS414DN-T1-GE3 | - | ![]() | 8432 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®1212-8 | SIS414 | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®1212-8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 30 V | 20a(tc) | 2.5V 、4.5V | 16mohm @ 10a 、4.5v | 1.5V @ 250µA | 33 NC @ 10 V | ±12V | 795 PF @ 15 V | - | 3.4W | |||||
![]() | IRFU9020 | - | ![]() | 9928 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-251-3 | IRFU9 | モスフェット(金属酸化物) | TO-251AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | *IRFU9020 | ear99 | 8541.29.0095 | 75 | pチャネル | 50 v | 9.9a | 10V | 280mohm @ 5.7a 、10V | 4V @ 250µA | 14 NC @ 10 V | ±20V | 490 PF @ 25 V | - | 42W | |||
![]() | IRF510SPBF | 1.4900 | ![]() | 34 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | IRF510 | モスフェット(金属酸化物) | d²pak( to-263) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | *IRF510SPBF | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 100 V | 5.6a(tc) | 10V | 540mohm @ 3.4a 、10V | 4V @ 250µA | 8.3 NC @ 10 V | ±20V | 180 pf @ 25 v | - | 3.7W (TA )、43W(TC) | ||||
![]() | SIR470DP-T1-GE3 | 2.8200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®SO-8 | SIR470 | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®SO-8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 40 v | 60a(tc) | 4.5V 、10V | 2.3mohm @ 20a 、10V | 2.5V @ 250µA | 155 NC @ 10 V | ±20V | 5660 PF @ 20 V | - | 6.25W (TA )、104W(TC) | |||||
![]() | SI2323CDS-T1-GE3 | 0.7500 | ![]() | 6436 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | SI2323 | モスフェット(金属酸化物) | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 20 v | 6a(tc) | 1.8V 、4.5V | 39mohm @ 4.6a 、4.5V | 1V @ 250µA | 25 NC @ 4.5 v | ±8V | 1090 PF @ 10 V | - | 1.25W | ||||
![]() | sish410dn-t1-ge3 | 1.0800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®1212-8SH | Sish410 | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®1212-8SH | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 20 v | 22a(ta )、 35a | 4.5V 、10V | 4.8mohm @ 20a 、10V | 2.5V @ 250µA | 41 NC @ 10 V | ±20V | 1600 pf @ 10 v | - | 3.8w | |||||
![]() | SI5903DC-T1-E3 | - | ![]() | 3675 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SMD 、フラットリード | SI5903 | モスフェット(金属酸化物) | 1.1W | 1206-8 Chipfet™ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 P-Channel (デュアル) | 20V | 2.1a | 155mohm @ 2.1a 、4.5V | 600MV @ 250µA | 6NC @ 4.5V | - | ロジックレベルゲート | ||||||
![]() | V30392-T1-GE3 | - | ![]() | 2558 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | * | テープ&リール( tr) | 廃止 | V30392 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 廃止 | 0000.00.0000 | 3,000 | |||||||||||||||||||||
![]() | SI3483DDV-T1-BE3 | 0.5500 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet®geniv | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 | モスフェット(金属酸化物) | 6-tsop | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 30 V | 6.4a(タタ)、 8a(tc) | 4.5V 、10V | 31.2mohm @ 5a 、10V | 2.2V @ 250µA | 14.5 NC @ 10 V | +16V、-20V | 580 PF @ 15 V | - | 2W (TA )、 3W (TC) | |||||||
![]() | SQM50034E_GE3 | 2.4700 | ![]() | 1155 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 自動車、AEC-Q101 、TRENCHFET® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | SQM50034 | モスフェット(金属酸化物) | TO-263 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 800 | nチャネル | 60 V | 100a(tc) | 10V | 3.9mohm @ 20a 、10V | 3.5V @ 250µA | 90 NC @ 10 V | ±20V | 6600 PF @ 25 V | - | 150W | |||||
IRFZ24PBF | 1.6400 | ![]() | 662 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3 | IRFZ24 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | *IRFZ24PBF | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 60 V | 17a(tc) | 10V | 100mohm @ 10a 、10V | 4V @ 250µA | 25 NC @ 10 V | ±20V | 640 PF @ 25 V | - | 60W (TC) | |||||
![]() | SI4398DY-T1-E3 | - | ![]() | 8832 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | SI4398 | モスフェット(金属酸化物) | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 20 v | 19a(ta) | 4.5V 、10V | 2.8mohm @ 25a 、10V | 3V @ 250µA | 50 NC @ 4.5 v | ±20V | 5620 PF @ 10 V | - | 1.6W | ||||
![]() | SI4936ADY-T1-GE3 | 0.9072 | ![]() | 5028 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | SI4936 | モスフェット(金属酸化物) | 1.1W | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 nチャンネル(デュアル) | 30V | 4.4a | 36mohm @ 5.9a 、10V | 3V @ 250µA | 20NC @ 10V | - | ロジックレベルゲート | |||||||
![]() | SI1021R-T1-GE3 | 0.5500 | ![]() | 43 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | SI1021 | モスフェット(金属酸化物) | SC-75A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | pチャネル | 60 V | 190ma(ta) | 4.5V 、10V | 4OHM @ 500MA 、10V | 3V @ 250µA | 1.7 NC @ 15 V | ±20V | 23 pf @ 25 v | - | 250MW | ||||
![]() | SQM40010EL_GE3 | 2.9200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 自動車、AEC-Q101 、TRENCHFET® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | SQM40010 | モスフェット(金属酸化物) | TO-263 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 800 | nチャネル | 40 v | 120a(tc) | 4.5V 、10V | 1.6mohm @ 30a 、10V | 2.5V @ 250µA | 230 NC @ 10 V | ±20V | 17100 pf @ 20 v | - | 375W | |||||
![]() | SISA24DN-T1-GE3 | 0.9600 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet®geniv | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®1212-8 | SISA24 | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®1212-8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 25 v | 60a(tc) | 4.5V 、10V | 1.4mohm @ 15a 、10V | 2.1V @ 250µA | 26 NC @ 4.5 v | +20V、 -16V | 2650 PF @ 10 V | - | 52W | |||||
![]() | SI5944DU-T1-E3 | - | ![]() | 7097 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®Chipfet™デュアル | SI5944 | モスフェット(金属酸化物) | 10W | PowerPak®Chipfetデュアル | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 nチャンネル(デュアル) | 40V | 6a | 112mohm @ 3.3a 、10V | 3V @ 250µA | 6.6NC @ 10V | 210pf @ 20V | ロジックレベルゲート |
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