画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | フェットタイプ | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | 電圧 -破壊( V | 現在の - ドレイン(IDSS @ vds(vgs = 0) | 電圧-Cutoff( VGSオフ) @ id |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SIHH24N65E-T1-GE3 | 6.4800 | ![]() | 821 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-powertdfn | SIHH24 | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®8X8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 650 V | 23a(tc) | 10V | 150mohm @ 12a 、10V | 4V @ 250µA | 116 NC @ 10 V | ±30V | 2814 PF @ 100 V | - | 202W | ||||||||
![]() | SI4401DY-T1-GE3 | - | ![]() | 8411 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | SI4401 | モスフェット(金属酸化物) | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | pチャネル | 40 v | 8.7a(ta) | 4.5V 、10V | 15.5mohm @ 10.5a 、10V | 1V @ 250µA | 50 NC @ 5 V | ±20V | - | 1.5W | ||||||||
![]() | SIA436DJ-T1-GE3 | 0.6300 | ![]() | 1430 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®SC-70-6 | SIA436 | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®SC-70-6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 8 v | 12a(tc) | 1.2V 、4.5V | 9.4mohm @ 15.7a 、4.5V | 800MV @ 250µA | 25.2 NC @ 5 V | ±5V | 1508 PF @ 4 V | - | 3.5W (Ta )、19w(tc) | ||||||||
![]() | SI4914DY-T1-E3 | - | ![]() | 6056 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | リトルフット® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | SI4914 | モスフェット(金属酸化物) | 1.1W 、1.16W | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 nチャンネル(ハーフブリッジ) | 30V | 5.5a 、5.7a | 23mohm @ 7a 、10V | 2.5V @ 250µA | 8.5NC @ 4.5V | - | ロジックレベルゲート | |||||||||
![]() | SUM70N03-09CP-E3 | - | ![]() | 9154 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | sum70 | モスフェット(金属酸化物) | TO-263 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 800 | nチャネル | 30 V | 70a | 4.5V 、10V | 9.5mohm @ 20a 、10v | 3V @ 250µA | 45 NC @ 10 V | ±20V | 2200 PF @ 25 V | - | 3.75W (TA )、93W(TC) | |||||||
![]() | IRFBC40AS | - | ![]() | 7915 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-263-3 | IRFBC40 | モスフェット(金属酸化物) | d²pak( to-263) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | *IRFBC40AS | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 600 V | 6.2a(tc) | 10V | 1.2OHM @ 3.7A 、10V | 4V @ 250µA | 42 NC @ 10 V | ±30V | 1036 PF @ 25 V | - | 125W | ||||||
![]() | SIA441DJ-T1-GE3 | 0.6900 | ![]() | 103 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®SC-70-6 | SIA441 | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®SC-70-6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 40 v | 12a(tc) | 4.5V 、10V | 47mohm @ 4.4a 、10V | 2.2V @ 250µA | 35 NC @ 10 V | ±20V | 890 PF @ 20 V | - | 19W (TC) | ||||||||
![]() | SI2308BDS-T1-E3 | 0.5500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | SI2308 | モスフェット(金属酸化物) | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 60 V | 2.3a | 4.5V 、10V | 156mohm @ 1.9a 、10V | 3V @ 250µA | 6.8 NC @ 10 V | ±20V | 190 pf @ 30 v | - | 1.09W | |||||||
![]() | SIR5623DP-T1-RE3 | 1.7100 | ![]() | 4432 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®SO-8 | SIR5623 | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®SO-8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 60 V | 10.5a(ta )、 37.1a(tc) | 4.5V 、10V | 24mohm @ 10a 、10V | 2.6V @ 250µA | 33 NC @ 10 V | ±20V | 1575 PF @ 30 V | - | 4.8W (TA )、 59.5W | ||||||||
![]() | SIRA50DP-T1-RE3 | 1.6100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet®geniv | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®SO-8 | SIRA50 | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®SO-8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 40 v | 62.5a | 4.5V 、10V | 1mohm @ 20a 、10v | 2.2V @ 250µA | 194 NC @ 10 V | +20V、 -16V | 8445 PF @ 20 V | - | 6.25W | ||||||||
![]() | SUM85N15-19-E3 | 5.8400 | ![]() | 2708 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | sum85 | モスフェット(金属酸化物) | TO-263 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 800 | nチャネル | 150 v | 85a(tc) | 10V | 19mohm @ 30a 、10v | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 V | ±20V | 4750 PF @ 25 V | - | 3.75w | ||||||||
![]() | SIHP12N65E-GE3 | 2.3700 | ![]() | 2051 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | SIHP12 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 650 V | 12a(tc) | 10V | 380mohm @ 6a 、10V | 4V @ 250µA | 70 NC @ 10 V | ±30V | 1224 PF @ 100 V | - | 156W | ||||||||
![]() | SI4804BDY-T1-E3 | - | ![]() | 8729 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | SI4804 | モスフェット(金属酸化物) | 1.1W | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 nチャンネル(デュアル) | 30V | 5.7a | 22mohm @ 7.5a 、10V | 3V @ 250µA | 11NC @ 4.5V | - | ロジックレベルゲート | |||||||||
![]() | IRFD9014PBF | 1.3900 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | 4-dip (0.300 "、7.62mm) | IRFD9014 | モスフェット(金属酸化物) | 4-HVMDIP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | *IRFD9014PBF | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | pチャネル | 60 V | 1.1a(ta) | 10V | 500mohm @ 660ma 、10V | 4V @ 250µA | 12 NC @ 10 V | ±20V | 270 PF @ 25 V | - | 1.3W | |||||||
![]() | SI5441DC-T1-GE3 | - | ![]() | 2909 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SMD 、フラットリード | SI5441 | モスフェット(金属酸化物) | 1206-8 Chipfet™ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 20 v | 3.9a(ta) | 2.5V 、4.5V | 55mohm @ 3.9a 、4.5V | 1.4V @ 250µA | 22 NC @ 4.5 v | ±12V | - | 1.3W | ||||||||
![]() | IRF830STRL | - | ![]() | 8468 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-263-3 | IRF830 | モスフェット(金属酸化物) | d²pak( to-263) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 800 | nチャネル | 500 V | 4.5a | 10V | 1.5OHM @ 2.7A 、10V | 4V @ 250µA | 38 NC @ 10 V | ±20V | 610 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA )、74W(TC) | |||||||
![]() | SQ4284EY-T1_GE3 | 1.6200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 自動車、AEC-Q101 、TRENCHFET® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | SQ4284 | モスフェット(金属酸化物) | 3.9W | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 nチャンネル(デュアル) | 40V | - | 13.5mohm @ 7a、10V | 2.5V @ 250µA | 45NC @ 10V | 2200pf @ 25V | ロジックレベルゲート | ||||||||||
![]() | IRFIBC40G | - | ![]() | 4175 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | IRFIBC40 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | *IRFIBC40G | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 600 V | 3.5a | 10V | 1.2OHM @ 2.1A 、10V | 4V @ 250µA | 60 NC @ 10 V | ±20V | 1300 PF @ 25 V | - | 40W (TC) | |||||||
![]() | SIHF23N60E-GE3 | 1.7972 | ![]() | 9785 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3フルパック | SIHF23 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220フルパック | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 600 V | 23a(tc) | 10V | 158mohm @ 12a 、10V | 4V @ 250µA | 95 NC @ 10 V | ±30V | 2418 PF @ 100 V | - | 35W (TC) | ||||||||
![]() | SI7328DN-T1-E3 | 0.9923 | ![]() | 8663 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -50°C〜150°C (TJ | 表面マウント | PowerPak®1212-8 | SI7328 | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®1212-8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 30 V | 35a(tc) | 4.5V 、10V | 6.6mohm @ 18.9a 、10V | 1.5V @ 250µA | 31.5 NC @ 4.5 v | ±12V | 2610 pf @ 15 v | - | 3.78W (TA )、 52W (TC | ||||||||
![]() | sisha06dn-t1-ge3 | 1.0200 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®1212-8SH | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®1212-8SH | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 30 V | 28.1a | 4.5V 、10V | 3mohm @ 10a 、10V | 2.4V @ 250µA | 67 NC @ 10 V | +20V、 -16V | 3932 PF @ 15 V | - | 3.7W (TA )、52W(TC) | |||||||||
![]() | 2N5116JAN02 | - | ![]() | 1064 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | 廃止 | - | 穴を通して | to-206aa | 2N5116 | to-206aa | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 20 | - | - | |||||||||||||||||
![]() | SI3476DV-T1-BE3 | 0.4700 | ![]() | 2625 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 | モスフェット(金属酸化物) | 6-tsop | ダウンロード | 1 (無制限) | 742-SI3476DV-T1-BE3TR | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 80 v | 3.5a(ta )、4.6a(tc) | 4.5V 、10V | 93mohm @ 3.5a 、10V | 3V @ 250µA | 7.5 NC @ 10 V | ±20V | 195 pf @ 40 v | - | 2W (TA )、3.6W(TC) | |||||||||
![]() | SIS108DN-T1-GE3 | 0.9100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet®geniv | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®1212-8 | SIS108 | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®1212-8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 80 v | 6.7a | 7.5V 、10V | 34mohm @ 4a 、10V | 4V @ 250µA | 13 NC @ 10 V | ±20V | 545 PF @ 40 V | - | 3.2W | ||||||||
![]() | 2N4339-E3 | - | ![]() | 8037 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | バルク | 廃止 | -55°C〜175°C | 穴を通して | to-206aa | 2N4339 | 300 MW | to-206aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 200 | nチャネル | 7PF @ 15V | 50 v | 500 µA @ 15 V | 600 mV @ 100 Na | |||||||||||||
![]() | SI1499DH-T1-BE3 | 0.6700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 | SI1499 | モスフェット(金属酸化物) | SC-70-6 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 742-SI1499DH-T1-BE3TR | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 8 v | 1.6a(タタ)、 1.6a(tc) | 78mohm @ 2a 、4.5V | 800MV @ 250µA | 16 NC @ 4.5 v | ±5V | 650 pf @ 4 v | - | 2.5W | ||||||||
![]() | IRF9630PBF-BE3 | 1.6400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | IRF9630 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220AB | ダウンロード | 1 (無制限) | 742-IRF9630PBF-BE3 | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | pチャネル | 200 v | 6.5a(tc) | 800mohm @ 3.9a 、10V | 4V @ 250µA | 29 NC @ 10 V | ±20V | 700 PF @ 25 V | - | 74W | |||||||||
![]() | SQJ138EP-T1_GE3 | 1.6400 | ![]() | 1233 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 自動車、AEC-Q101 、TRENCHFET®Geniv | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | PowerPak®SO-8 | SQJ138 | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®SO-8 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 742-SQJ138EP-T1_GE3TR | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 40 v | 330a | 10V | 1.8mohm @ 15a 、10V | 3.5V @ 250µA | 81 NC @ 10 V | ±20V | 4715 PF @ 25 V | - | 312W | |||||||
2N4117A | - | ![]() | 8102 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | バルク | 廃止 | -55°C〜175°C | 穴を通して | to-206af、to-72-4金属缶 | 2N4117 | 300 MW | to-206af(to-72) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 200 | nチャネル | 3PF @ 10V | 40 v | 30 µA @ 10 V | 600 mV @ 1 Na | ||||||||||||||
![]() | IRF9620L | - | ![]() | 6745 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | To-262-3 Long Leads | IRF9620 | モスフェット(金属酸化物) | i2pak | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | *IRF9620L | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | pチャネル | 200 v | 3.5a | 10V | 1.5OHM @ 1.5A 、10V | 4V @ 250µA | 22 NC @ 10 V | ±20V | 350 PF @ 25 V | - | - |
毎日の平均RFQボリューム
標準製品ユニット
世界的なメーカー
在庫倉庫