画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | フェットタイプ | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SQ4410EY-T1_BE3 | 1.5200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 自動車、AEC-Q101 、TRENCHFET® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | SQ4410 | モスフェット(金属酸化物) | 8-SOIC | ダウンロード | 1 (無制限) | 742-SQ4410EY-T1_BE3CT | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 30 V | 15a(tc) | 4.5V 、10V | 12mohm @ 10a 、10V | 2.5V @ 250µA | 53 NC @ 10 V | ±20V | 2385 PF @ 25 V | - | 5W (TC) | |||||
![]() | SIA813DJ-T1-GE3 | - | ![]() | 7261 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | リトルフット® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®SC-70-6デュアル | SIA813 | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®SC-70-6デュアル | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 20 v | 4.5a | 1.8V 、4.5V | 94mohm @ 2.8a 、4.5V | 1V @ 250µA | 13 NC @ 8 V | ±8V | 355 PF @ 10 V | ショットキーダイオード(分離) | 1.9w | |||||
![]() | SISS65DN-T1-GE3 | 0.9000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet®geniii | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®1212-8S | SISS65 | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®1212-8S | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 30 V | 25.9a | 4.5V 、10V | 4.6mohm @ 15a 、10V | 2.3V @ 250µA | 138 NC @ 10 V | ±20V | 4930 PF @ 15 V | - | 5.1W | |||||
![]() | SI1431DH-T1-GE3 | - | ![]() | 8912 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 | SI1431 | モスフェット(金属酸化物) | SC-70-6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | pチャネル | 30 V | 1.7a(ta) | 4.5V 、10V | 200mohm @ 2a 、10V | 3V @ 100µA | 4 NC @ 4.5 v | ±20V | - | 950MW | |||||
![]() | SQD100N02_3M5L4GE3 | 0.6209 | ![]() | 5786 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 自動車、AEC-Q101 、TRENCHFET® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | to-252-3 | SQD100 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 742-SQD100N02_3M5L4GE3TR | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 20 v | 100a(tc) | 4.5V 、10V | 3.5mohm @ 30a 、10V | 2.5V @ 250µA | 110 NC @ 10 V | ±20V | 5500 PF @ 10 V | - | 83W | ||||
![]() | SI9435BDY-T1-E3 | 0.8900 | ![]() | 21 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | SI9435 | モスフェット(金属酸化物) | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | pチャネル | 30 V | 4.1a(ta) | 4.5V 、10V | 42mohm @ 5.7a 、10V | 3V @ 250µA | 24 NC @ 10 V | ±20V | - | 1.3W | ||||||
![]() | SI1970DH-T1-E3 | - | ![]() | 7066 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 | SI1970 | モスフェット(金属酸化物) | 1.25W | SC-70-6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 nチャンネル(デュアル) | 30V | 1.3a | 225mohm @ 1.2a 、4.5V | 1.6V @ 250µA | 3.8NC @ 10V | 95pf @ 15V | ロジックレベルゲート | ||||||
![]() | sum70030e-ge3 | 3.6700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | sum70030 | モスフェット(金属酸化物) | TO-263 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 800 | nチャネル | 100 V | 150a | 7.5V 、10V | 2.88mohm @ 30a 、10V | 4V @ 250µA | 214 NC @ 10 V | ±20V | 10870 PF @ 50 V | - | 375W | |||||
![]() | SIHD14N60E-BE3 | 2.3000 | ![]() | 9863 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | e | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | to-252-3 | SIHD14 | モスフェット(金属酸化物) | d-pak | ダウンロード | 1 (無制限) | 742-SIHD14N60E-BE3 | ear99 | 8541.29.0095 | 75 | nチャネル | 600 V | 13a(tc) | 10V | 309mohm @ 7a、10V | 4V @ 250µA | 64 NC @ 10 V | ±30V | 1205 PF @ 100 V | - | 147W | |||||
![]() | SIZ900DT-T1-GE3 | - | ![]() | 2301 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 6-PowerPair™ | siz900 | モスフェット(金属酸化物) | 48W 、100W | 6-PowerPair™ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 nチャンネル(ハーフブリッジ) | 30V | 24a 、28a | 7.2mohm @ 19.4a 、10V | 2.4V @ 250µA | 45NC @ 10V | 1830pf @ 15V | ロジックレベルゲート | |||||||
IRFBC40LCPBF | 4.3900 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | IRFBC40 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | *IRFBC40LCPBF | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 600 V | 6.2a(tc) | 10V | 1.2OHM @ 3.7A 、10V | 4V @ 250µA | 39 NC @ 10 V | ±30V | 1100 PF @ 25 V | - | 125W | |||||
![]() | SI4354DY-T1-GE3 | - | ![]() | 4483 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | SI4354 | モスフェット(金属酸化物) | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 30 V | 9.5a(ta) | 4.5V 、10V | 16.5mohm @ 9.5a 、10V | 1.6V @ 250µA | 10.5 NC @ 4.5 v | ±12V | - | 2.5W | |||||
![]() | IRF9540SPBF | 3.7800 | ![]() | 6265 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | IRF9540 | モスフェット(金属酸化物) | d²pak( to-263) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | pチャネル | 100 V | 19a(tc) | 10V | 200mohm @ 11a 、10V | 4V @ 250µA | 61 NC @ 10 V | ±20V | 1400 PF @ 25 V | - | 3.7W (TA )、 150W (TC) | |||||
![]() | SIS424DN-T1-GE3 | - | ![]() | 4209 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®1212-8 | SIS424 | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®1212-8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 20 v | 35a(tc) | 4.5V 、10V | 6.4mohm @ 19.6a、10V | 2.5V @ 250µA | 30 NC @ 10 V | ±20V | 1200 pf @ 10 v | - | 3.7w | |||||
![]() | SUP90100E-GE3 | 3.6300 | ![]() | 7058 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 742-SUP90100E-GE3 | ear99 | 8541.29.0095 | 500 | nチャネル | 200 v | 150a | 7.5V 、10V | 10.9mohm @ 16a 、10v | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 V | ±20V | 3930 PF @ 100 V | - | 375W | |||||
![]() | SQJ459EP-T2_GE3 | 1.2800 | ![]() | 8938 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | PowerPak®SO-8デュアル | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®SO-8デュアル | ダウンロード | 1 (無制限) | 742-SQJ459EP-T2_GE3TR | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 60 V | 52a(tc) | 4.5V 、10V | 18mohm @ 3.5a 、10V | 2.5V @ 250µA | 108 NC @ 10 V | ±20V | 4586 PF @ 30 V | - | 83W | ||||||
![]() | SIR880BDP-T1-RE3 | 1.3100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet®geniv | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®SO-8 | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®SO-8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 80 v | 18.6a | 4.5V 、10V | 6.5mohm @ 10a 、10V | 2.4V @ 250µA | 66 NC @ 10 V | ±20V | 2930 PF @ 40 V | - | 5W (TA )、71.4W(TC) | ||||||
![]() | SI1039X-T1-E3 | - | ![]() | 4580 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOT-563、SOT-666 | SI1039 | モスフェット(金属酸化物) | SC-89 (SOT-563F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | pチャネル | 12 v | 870ma | 1.8V 、4.5V | 165mohm @ 870ma 、4.5v | 450MV @ 250µA | 6 NC @ 4.5 v | ±8V | - | 170MW | |||||
![]() | SI1553DL-T1 | - | ![]() | 4798 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 | SI1553 | モスフェット(金属酸化物) | 270MW | SC-70-6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | nおよびpチャネル | 20V | 660MA 、410ma | 385MOHM @ 660MA 、4.5V | 600MV @ 250µA | 1.2NC @ 4.5V | - | ロジックレベルゲート | ||||||
![]() | SI7222DN-T1-E3 | - | ![]() | 7562 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®1212-8デュアル | SI7222 | モスフェット(金属酸化物) | 17.8W | PowerPak®1212-8デュアル | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 nチャンネル(デュアル) | 40V | 6a | 42mohm @ 5.7a 、10V | 1.6V @ 250µA | 29NC @ 10V | 700pf @ 20V | - | ||||||
![]() | SI4864DY-T1-E3 | 2.1227 | ![]() | 3338 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | SI4864 | モスフェット(金属酸化物) | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 20 v | 17a(ta) | 2.5V 、4.5V | 3.5mohm @ 25a 、4.5V | 2V @ 250µA | 70 NC @ 4.5 v | ±8V | - | 1.6W | ||||||
![]() | SI6925ADQ-T1-GE3 | - | ![]() | 7456 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | SI6925 | モスフェット(金属酸化物) | 800mw | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 nチャンネル(デュアル) | 20V | 3.3a | 45mohm @ 3.9a 、4.5V | 1.8V @ 250µA | 6NC @ 4.5V | - | ロジックレベルゲート | ||||||
![]() | SIF912EDZ-T1-E3 | - | ![]() | 8478 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®2x5 | SIF912 | モスフェット(金属酸化物) | 1.6W | PowerPak®(2x5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 nチャネル(デュアル)共通ドレイン | 30V | 7.4a | 19mohm @ 7.4a 、4.5V | 1.5V @ 250µA | 15NC @ 4.5V | - | ロジックレベルゲート | ||||||
![]() | SIA911ADJ-T1-GE3 | 0.1953 | ![]() | 5203 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®SC-70-6デュアル | SIA911 | モスフェット(金属酸化物) | 6.5W | PowerPak®SC-70-6デュアル | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 P-Channel (デュアル) | 20V | 4.5a | 116mohm @ 2.8a 、4.5V | 1V @ 250µA | 13NC @ 8V | 345pf @ 10V | - | |||||||
![]() | SI5481DU-T1-GE3 | - | ![]() | 9846 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®Chipfet™シングル | SI5481 | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®Chipfet™シングル | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 20 v | 12a(tc) | 1.8V 、4.5V | 22mohm @ 6.5a 、4.5V | 1V @ 250µA | 50 NC @ 8 V | ±8V | 1610 pf @ 10 v | - | 3.1w | ||||
![]() | SI8425DB-T1-E1 | 0.5900 | ![]() | 1239 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 4-ufbga、wlcsp | SI8425 | モスフェット(金属酸化物) | 4-wlcsp(1.6x1.6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 20 v | 5.9a(ta) | 1.8V 、4.5V | 23mohm @ 2a 、4.5v | 900MV @ 250µA | 110 NC @ 10 V | ±10V | 2800 PF @ 10 V | - | 1.1W | ||||
![]() | IRF9610STRR | - | ![]() | 7926 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-263-3 | IRF9610 | モスフェット(金属酸化物) | d²pak( to-263) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 800 | pチャネル | 200 v | 1.8a | 10V | 3OHM @ 900MA 、10V | 4V @ 250µA | 11 NC @ 10 V | ±20V | 170 PF @ 25 V | - | 3W (TA )、20W(TC) | |||||
![]() | IRFP9140 | - | ![]() | 6074 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-247-3 | IRFP9140 | モスフェット(金属酸化物) | TO-247AC | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | *IRFP9140 | ear99 | 8541.29.0095 | 25 | pチャネル | 100 V | 21a(tc) | 10V | 200mohm @ 13a 、10V | 4V @ 250µA | 61 NC @ 10 V | ±20V | 1400 PF @ 25 V | - | 180W | |||
![]() | SIA938DJT-T1-GE3 | 0.6700 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet®geniv | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®SC-70-6デュアル | SIA938 | モスフェット(金属酸化物) | 1.9W (TA )、7.8W(TC) | PowerPak®SC-70-6デュアル | ダウンロード | 1 (無制限) | 742-SIA938DJT-T1-GE3TR | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 nチャンネル(デュアル) | 20V | 4.5a | 21.5mohm @ 5a、10V | 1.5V @ 250µA | 11.5NC @ 10V | 425pf @ 10V | - | |||||||
![]() | SQJA46EP-T1_GE3 | 1.1500 | ![]() | 9232 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 自動車、AEC-Q101 、TRENCHFET® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | PowerPak®SO-8 | SQJA46 | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®SO-8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 40 v | 60a(tc) | 10V | 3mohm @ 10a 、10V | 3.5V @ 250µA | 105 NC @ 10 V | ±20V | 5000 PF @ 25 V | - | 68W (TC) |
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