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トランジスタ（54）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ フェットタイプ テスト条件 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 逆回復時間（ trr） IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD （オン/オフ） @ 25°C 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移
BUJ302AD,118 WeEn Semiconductors buj302ad 、118 0.8500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 ウィーン半導体 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 buj302 80 w dpak ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 400 V 4 a 250ma npn 1.5V @ 1a 、3.5a 25 @ 800ma、3V -
WNSCM80120WQ WeEn Semiconductors wnscm80120wq 8.2460
RFQ
 ECAD 4369 0.00000000 ウィーン半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-247-3 WNSCM80120 モスフェット（金属酸化物） TO-247-3 - ear99 8541.29.0095 600 nチャネル 1200 v 42a（ta） 20V 98mohm @ 20a 、20V 4.5V @ 6MA 59 NC @ 20 V +25V、-10V 1350 pf @ 1000 v - 230W
PHE13005,127 WeEn Semiconductors PHE13005,127 0.6000
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 phe13 75 W TO-220AB ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 400 V 4 a 100µA npn 1V @ 1a 、4a 10 @ 2a 、5V -
BUJD105AD,118 WeEn Semiconductors bujd105ad 、118 0.3365
RFQ
 ECAD 3854 0.00000000 ウィーン半導体 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 bujd1 80 w dpak ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 400 V 8 a 100µA npn 1V @ 800MA 、4a 13 @ 500MA 、5V -
OP528,005 WeEn Semiconductors op528,005 0.1922
RFQ
 ECAD 7196 0.00000000 ウィーン半導体 * トレイ アクティブ OP528 - - 1 （無制限） 0000.00.0000 1 -
BUJ100,126 WeEn Semiconductors BUJ100,126 0.1183
RFQ
 ECAD 4770 0.00000000 ウィーン半導体 - テープ＆ボックス（ TB） アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して to-226-3 BUJ100 2 W to-92-3 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 93405572126 ear99 8541.29.0095 10,000 400 V 1 a 100µA npn 1V @ 150ma 、750ma 9 @ 750MA 、5V -
PHD13003C,126 WeEn Semiconductors PhD13003C、126 0.0861
RFQ
 ECAD 1206 0.00000000 ウィーン半導体 - テープ＆ボックス（ TB） アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して to-226-3 PhD13 2.1 w to-92-3 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 934063921126 ear99 8541.29.0095 10,000 400 V 1.5 a 100µA npn 1.5V @ 500MA 、1.5a 5 @ 1a 、2V -
WNSC2M1K0170WQ WeEn Semiconductors WNSC2M1K0170WQ 3.7616
RFQ
 ECAD 5309 0.00000000 ウィーン半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-247-3 WNSC2 モスフェット（金属酸化物） TO-247-3 ダウンロード ear99 8541.29.0095 240 nチャネル 1700 v 7a（ta） 15V、18V 1OHM @ 1A、18V 4.2V @ 800µA 12 NC @ 18 V +22V、-10V 225 pf @ 1000 v - 79W （TA
BUJ403A/DG,127 WeEn Semiconductors buj403a/dg、127 0.3617
RFQ
 ECAD 6447 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 buj403 100 W TO-220AB ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 1,000 550 V 6 a 100µA npn 1V @ 400MA 、2a 20 @ 500MA 、5V -
OP241,005 WeEn Semiconductors OP241,005 0.1895
RFQ
 ECAD 1357 0.00000000 ウィーン半導体 * トレイ アクティブ OP241 - - 1 （無制限） 0000.00.0000 1 -
BUJ303CD,118 WeEn Semiconductors buj303cd、118 0.2830
RFQ
 ECAD 2255 0.00000000 ウィーン半導体 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 Buj303 80 w dpak ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 400 V 5 a 100µA npn 1.5V @ 1a、3a 28 @ 10ma、3V -
OP529,005 WeEn Semiconductors op529,005 0.4250
RFQ
 ECAD 8904 0.00000000 ウィーン半導体 * トレイ アクティブ OP529 - - 1 （無制限） 0000.00.0000 1 -
BUJ105AB,118 WeEn Semiconductors buj105ab 、118 0.4219
RFQ
 ECAD 7929 0.00000000 ウィーン半導体 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-263-3 Buj105 125 w d2pak ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 800 400 V 8 a 100µA npn 1V @ 800MA 、4a 13 @ 500MA 、5V -
PHE13007,127 WeEn Semiconductors PHE13007,127 0.7100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 phe13 80 w TO-220AB ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 400 V 8 a 200µA npn 350mv @ 1a 、5a 8 @ 2a 、5V -
BUJ100LR,126 WeEn Semiconductors buj100lr 、126 0.0626
RFQ
 ECAD 8685 0.00000000 ウィーン半導体 - テープ＆ボックス（ TB） アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して to-226-3 BUJ100 2.1 w to-92-3 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 934063371126 ear99 8541.29.0095 10,000 400 V 1 a 1ma npn 1.5V @ 250ma 、750ma 10 @ 400MA 、5V -
OP533,005 WeEn Semiconductors op533,005 0.3375
RFQ
 ECAD 5733 0.00000000 ウィーン半導体 * トレイ アクティブ OP533 - - 1 （無制限） 0000.00.0000 1 -
BUJ303AX,127 WeEn Semiconductors buj303ax、127 0.3182
RFQ
 ECAD 9205 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 フルパック、分離タブ Buj303 32 W TO-220F ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 1,000 500 V 5 a 100µA npn 1.5V @ 600MA、3a 10 @ 5MA 、5V -
WG50N65DHWQ WeEn Semiconductors WG50N65DHWQ 3.5500
RFQ
 ECAD 754 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-247-3 WG50N65D 標準 278 W TO-247-3 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 1740-WG50N65DHWQ ear99 8541.29.0095 600 400V、50a 、10ohm15V 105 ns トレンチフィールドストップ 650 V 91 a 200 a 2V @ 15V、50a 1.7MJ （オン）、600µJ 160 NC 66ns/163ns
BUJ100,412 WeEn Semiconductors BUJ100,412 0.1183
RFQ
 ECAD 3046 0.00000000 ウィーン半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 BUJ100 2 W to-92-3 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 400 V 1 a 100µA npn 1V @ 150ma 、750ma 9 @ 750MA 、5V -
BUJ303A,127 WeEn Semiconductors buj303a、127 0.9000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 Buj303 100 W TO-220AB ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 539 500 V 5 a 100µA npn 1.5V @ 600MA、3a 14 @ 500MA 、5V -
BUJ103AX,127 WeEn Semiconductors buj103ax、127 0.3617
RFQ
 ECAD 7669 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 フルパック、分離タブ buj103 26 W TO-220F ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 1,000 400 V 4 a 100µA npn 1V @ 600MA、3a 12 @ 500MA 、5V -
WNSCM80120RQ WeEn Semiconductors WNSCM80120RQ 9.2597
RFQ
 ECAD 3688 0.00000000 ウィーン半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-247-4 WNSCM80120 モスフェット（金属酸化物） TO-247-4L - ear99 8541.29.0095 240 nチャネル 1200 v 45a（ta） 20V 98mohm @ 20a 、20V 4.5V @ 6MA 59 NC @ 20 V +25V、-10V 1350 pf @ 1000 v - 270W
PHE13005X,127 WeEn Semiconductors phe13005x 、127 -
RFQ
 ECAD 8017 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 フルパック、分離タブ phe13 26 W TO-220F ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 50 400 V 4 a 100µA npn 1V @ 1a 、4a 10 @ 2a 、5V -
TB100EP WeEn Semiconductors TB100EP 0.0878
RFQ
 ECAD 7534 0.00000000 ウィーン半導体 - テープ＆ボックス（ TB） アクティブ 150°C 穴を通して TO-226-3 TB100 2 W to-92-3 ダウンロード 1 （無制限） 934068209412 ear99 8541.29.0095 5,000 700 V 1 a 100µA npn 1V @ 150ma 、750ma 14 @ 100MA 、5V -
BUJ106A,127 WeEn Semiconductors buj106a、127 0.4219
RFQ
 ECAD 3878 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 Buj106 80 w TO-220AB ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 1,000 400 V 10 a 100µA npn 1V @ 1.2a 、6​​a 14 @ 500MA 、5V -
OP526,005 WeEn Semiconductors op526,005 0.4325
RFQ
 ECAD 8381 0.00000000 ウィーン半導体 * トレイ アクティブ OP526 - - 1 （無制限） 0000.00.0000 1 -
WNSCM160120WQ WeEn Semiconductors wnscm160120wq 5.2221
RFQ
 ECAD 1676 0.00000000 ウィーン半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-247-3 WNSCM160120 モスフェット（金属酸化物） TO-247-3 ダウンロード ear99 8541.29.0095 600 nチャネル 1200 v 24a（ta） 20V 196mohm @ 10a 、20V 4.5V @ 3MA 35 NC @ 20 V +25V、-10V 736 PF @ 1000 V - 155W
PHD13005,127 WeEn Semiconductors PhD13005,127 0.6200
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 PhD13 75 W TO-220AB ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 400 V 4 a 100µA npn 1V @ 1a 、4a 10 @ 2a 、5V -
PHE13003C,412 WeEn Semiconductors PHE13003C 、412 0.4500
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 ウィーン半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 phe13 2.1 w to-92-3 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 934063922412 ear99 8541.29.0095 5,000 400 V 1.5 a 100µA npn 1.5V @ 500MA 、1.5a 5 @ 1a 、2V -
PHE13003C,126 WeEn Semiconductors phe13003c 、126 0.4400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 ウィーン半導体 - カットテープ（CT） アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して to-226-3 phe13 2.1 w to-92-3 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 10,000 400 V 1.5 a 100µA npn 1.5V @ 500MA 、1.5a 5 @ 1a 、2V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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