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トランジスタ（195）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	vce（on max） @ vge	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce
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VS-GA200HS60S1PBF	-	RFQ	3571	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	int-a-pak	GA200	830 W	標準	int-a-pak	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSGA200HS60S1PBF	ear99	8541.29.0095	15	ハーフブリッジ	-	600 V	480 a	1.21V @ 15V 、200A	1 Ma	いいえ	32.5 nf @ 30 v
VS-150MT060WDF-P	-	RFQ	1842年年	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止	150°C （TJ）	シャーシマウント	12-MTPモジュール	150MT060	543 w	標準	12-MTP PressFit	-		適用できない			ear99	8541.29.0095	105	デュアルバックチョッパー	-	600 V	138 a	2.48V @ 15V 、80a	100 µA	いいえ	14 nf @ 30 v
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vs-gt50yf120nt	115.8900	RFQ	108	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	箱	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	モジュール		231 w	標準	-	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	112-VS-GT50YF120NT	ear99	8541.29.0095	12	フルブリッジ	トレンチフィールドストップ	1200 v	64 a	2.8V @ 15V 、50a	50 µA	はい
VS-GT90DA120U	38.4000	RFQ	4419	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック		781 w	標準	SOT-227	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	112-VS-GT90DA120U	ear99	8541.29.0095	10	シングル	トレンチフィールドストップ	1200 v	169 a	2.6V @ 15V 、75a	100 µA	いいえ
VS-GT400TD60S	259.7542	RFQ	4938	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	チューブ	アクティブ	-40°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール		1364 w	標準	int-a-pak	ダウンロード			影響を受けていない	112-VS-GT400TD60S	ear99	8541.29.0095	12	ハーフブリッジ	トレンチフィールドストップ	600 V	711 a	1.4V @ 15V 、400A	300 µA	いいえ
VS-ENW30S120T	130.3500	RFQ	10	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	*	箱	アクティブ								ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	112-VS-ENW30S120T	ear99	8541.29.0095	100
VS-GT50LA65UF	26.8736	RFQ	9487	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	バルク	アクティブ	-40°C〜175°C	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	GT50	163 w	標準	SOT-227	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	112-VS-GT50LA65UF			1	シングルチョッパー	トレンチフィールドストップ	650 V	59 a	2.1V @ 15V 、50a	40 µA	いいえ
VS-GT90DA60U	36.0300	RFQ	2878	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	hexfred®	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	GT90	446 w	標準	SOT-227	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	112-VS-GT90DA60U			1	シングル	トレンチフィールドストップ	600 V	146 a	2.15V @ 15V 、100A	100 µA	いいえ
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VS-GB400TH120U	-	RFQ	5555	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	150°C （TJ）	シャーシマウント	ダブルint-a-pak（3 + 4）	GB400	2660 w	標準	ダブルint-a-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSGB400TH120U	ear99	8541.29.0095	12	ハーフブリッジ	npt	1200 v	660 a	3.6V @ 15V 、400A	5 Ma	いいえ	33.7 nf @ 30 v
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CPV364M4F	-	RFQ	6788	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-		廃止	-40°C〜150°C （TJ	穴を通して	19-sip（ 13 リード）、IMS-2	CPV364	63 W	標準	IMS-2	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	84	三相インバーター	-	600 V	27 a	1.6V @ 15V 、27a	250 µA	いいえ	2.2 nf @ 30 v
50MT060WH	-	RFQ	2289	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-		廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	12-MTPモジュール	50MT060	658 w	標準	12-MTP	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	15	ハーフブリッジ	pt	600 V	114 a	3.2V @ 15V 、100A	400 µA	いいえ	7.1 nf @ 30 v
VS-EMG050J60N	-	RFQ	6340	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	150°C （TJ）	シャーシマウント	emipak2	EMG050	338 w	標準	emipak2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSEMG050J60N	ear99	8541.29.0095	56	ハーフブリッジ	-	600 V	88 a	2.1V @ 15V 、50a	100 µA	はい	9.5 nf @ 30 v
VS-GB200NH120N	-	RFQ	3076	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	ダブルint-a-pak（3 + 4）	GB200	1562 w	標準	ダブルint-a-pak	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSGB200NH120N	ear99	8541.29.0095	12	シングル	-	1200 v	420 a	1.8V @ 15V	5 Ma	いいえ	18 nf @ 25 v
VS-GB70NA60UF	-	RFQ	2412	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	GB70	447 w	標準	SOT-227	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		VSGB70NA60UF	ear99	8541.29.0095	180	シングル	npt	600 V	111 a	2.44V @ 15V、70a	100 µA	いいえ
VS-GT100DA120UF	41.5000	RFQ	1995年	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	hexfred®	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	GT100	890 w	標準	SOT-227	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	10	シングル	溝	1200 v	187 a	2.55V @ 15V 、100A	100 µA	いいえ	6.15 nf @ 25 v
VS-40MT120UHTAPBF	-	RFQ	3806	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	トレイ	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	12-MTPモジュール	40MT120	463 w	標準	MTP	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS40MT120UHTAPBF	ear99	8541.29.0095	105	ハーフブリッジ	npt	1200 v	80 a	4.91V @ 15V 、80a	250 µA	いいえ	8.28 nf @ 30 v
VS-GB90DA60U	-	RFQ	9603	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SOT-227-4	GB90	625 w	標準	SOT-227	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS-GB90DA60UGI	ear99	8541.29.0095	160	シングル	npt	600 V	147 a	2.8V @ 15V 、100A	100 µA	いいえ
VS-GB300AH120N	-	RFQ	2164	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	ダブルint-a-pak （5）	GB300	2500 W	標準	ダブルint-a-pak	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSGB300AH120N	ear99	8541.29.0095	12	シングル	-	1200 v	620 a	1.9V @ 15V	5 Ma	いいえ	21 nf @ 25 v

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

トランジスタ（195）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²