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トランジスタ（195）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	vce（on max） @ vge	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce
VS-CPV362M4FPBF	-	RFQ	9826	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	-40°C〜150°C （TJ	穴を通して	19-sip（ 13 リード）、IMS-2	CPV362		23 w	標準	IMS-2	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	vscpv362m4fpbf	ear99	8541.29.0095	160													-	600 V	8.8 a	1.7V @ 15V 、4.8a	250 µA	いいえ	340 PF @ 30 V
VS-EMG050J60N	-	RFQ	6340	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	150°C （TJ）	シャーシマウント	emipak2	EMG050		338 w	標準	emipak2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSEMG050J60N	ear99	8541.29.0095	56	ハーフブリッジ												-	600 V	88 a	2.1V @ 15V 、50a	100 µA	はい	9.5 nf @ 30 v
VS-ENQ030L120S	-	RFQ	7672	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ	150°C （TJ）	シャーシマウント	emipak-1B	ENQ030		216 W	標準	emipak-1B	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	98	3つのレベルインバーター												溝	1200 v	61 a	2.52V @ 15V 、30a	230 µA	はい	3.34 NF @ 30 V
VS-FA38SA50LCP	-	RFQ	8292	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	-55°C〜150°C	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	FA38	モスフェット（金属酸化物）			SOT-227	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		VSFA38SA50LCP	ear99	8541.29.0095	180		nチャネル	500 V	38a（tc）	10V	130mohm @ 23a 、10V	4V @ 250µA	420 NC @ 10 V	±20V	6900 PF @ 25 V	-	500W （TC）
VS-GA200HS60S1PBF	-	RFQ	3571	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	int-a-pak	GA200		830 W	標準	int-a-pak	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSGA200HS60S1PBF	ear99	8541.29.0095	15	ハーフブリッジ												-	600 V	480 a	1.21V @ 15V 、200A	1 Ma	いいえ	32.5 nf @ 30 v
VS-GA200SA60SP	-	RFQ	1004	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	-55°C〜150°C	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	GA200		781 w	標準	SOT-227	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		VSGA200SA60SP	ear99	8541.29.0095	180	シングル												-	600 V		1.3V @ 15V 、100A	1 Ma	いいえ	16.25 NF @ 30 V
vs-ga200th60s	-	RFQ	8699	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	ダブルint-a-pak（3 + 4）	GA200		1042 w	標準	ダブルint-a-pak	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	vsga200th60s	ear99	8541.29.0095	12	ハーフブリッジ												-	600 V	260 a	1.9V @ 15V	5 µA	いいえ	13.1 nf @ 25 v
VS-GB100NH120N	-	RFQ	6945	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	150°C （TJ）	シャーシマウント	ダブルint-a-pak（3 + 4）	GB100		833 w	標準	ダブルint-a-pak	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSGB100NH120N	ear99	8541.29.0095	12	シングル												-	1200 v	200 a	2.35V @ 15V 、100A	5 Ma	いいえ	8.58 nf @ 25 v
VS-GB150TH120U	-	RFQ	6104	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	150°C （TJ）	シャーシマウント	ダブルint-a-pak（3 + 4）	GB150		1147 w	標準	ダブルint-a-pak	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSGB150TH120U	ear99	8541.29.0095	12	ハーフブリッジ												-	1200 v	280 a	3.6V @ 15V、150a	5 Ma	いいえ	12.7 nf @ 30 v
VS-GB200NH120N	-	RFQ	3076	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	ダブルint-a-pak（3 + 4）	GB200		1562 w	標準	ダブルint-a-pak	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSGB200NH120N	ear99	8541.29.0095	12	シングル												-	1200 v	420 a	1.8V @ 15V	5 Ma	いいえ	18 nf @ 25 v
VS-GB300AH120N	-	RFQ	2164	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	ダブルint-a-pak （5）	GB300		2500 W	標準	ダブルint-a-pak	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSGB300AH120N	ear99	8541.29.0095	12	シングル												-	1200 v	620 a	1.9V @ 15V	5 Ma	いいえ	21 nf @ 25 v
VS-GB300NH120N	-	RFQ	3595	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	150°C （TJ）	シャーシマウント	ダブルint-a-pak（3 + 4）	GB300		1645 w	標準	ダブルint-a-pak	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSGB300NH120N	ear99	8541.29.0095	12	シングル												-	1200 v	500 a	2.45V @ 15V、300A	5 Ma	いいえ	21.2 nf @ 25 v
VS-GB400TH120N	-	RFQ	8302	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	ダブルint-a-pak（3 + 4）	GB400		2604 w	標準	ダブルint-a-pak	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	vsgb400th120n	ear99	8541.29.0095	12	ハーフブリッジ												-	1200 v	800 a	1.9V @ 15V	5 Ma	いいえ	32.7 NF @ 25 V
VS-GB400TH120U	-	RFQ	5555	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	150°C （TJ）	シャーシマウント	ダブルint-a-pak（3 + 4）	GB400		2660 w	標準	ダブルint-a-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSGB400TH120U	ear99	8541.29.0095	12	ハーフブリッジ												npt	1200 v	660 a	3.6V @ 15V 、400A	5 Ma	いいえ	33.7 nf @ 30 v
VS-GB50LP120N	-	RFQ	1848年年	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	int-a-pak（3 + 4）	GB50		446 w	標準	int-a-pak	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSGB50LP120N	ear99	8541.29.0095	24	シングル												-	1200 v	100 a	1.7V @ 15V	1 Ma	いいえ	4.29 nf @ 25 v
VS-GB70NA60UF	-	RFQ	2412	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	GB70		447 w	標準	SOT-227	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		VSGB70NA60UF	ear99	8541.29.0095	180	シングル												npt	600 V	111 a	2.44V @ 15V、70a	100 µA	いいえ
VS-GB75SA120UP	-	RFQ	1928年年	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	GB75		658 w	標準	SOT-227	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		VSGB75SA120UP	ear99	8541.29.0095	180	シングル												npt	1200 v		3.8V @ 15V 、75a	250 µA	いいえ
VS-GB75TP120U	-	RFQ	2388	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	int-a-pak（3 + 4）	GB75		500 W	標準	int-a-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSGB75TP120U	ear99	8541.29.0095	24	ハーフブリッジ												-	1200 v	105 a	3.2V @ 15V	2 Ma	いいえ	4.3 nf @ 30 v
VS-GT100TP120N	-	RFQ	7011	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	175°C （TJ）	シャーシマウント	int-a-pak（3 + 4）	GT100		652 w	標準	int-a-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSGT100TP120N	ear99	8541.29.0095	24	ハーフブリッジ												溝	1200 v	180 a	2.35V @ 15V 、100A	5 Ma	いいえ	12.8 nf @ 30 v
VS-GT300FD060N	670.5450	RFQ	4047	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	前回購入します	175°C （TJ）	シャーシマウント	デュアルint-a-pak（4 + 8）	GT300		1250 w	標準	デュアルint-a-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSGT300FD060N	ear99	8541.29.0095	12	3つのレベルインバーター												トレンチフィールドストップ	600 V	379 a	2.5V @ 15V 、300A	250 µA	いいえ	23.3 nf @ 30 v
VS-GT400TH120U	-	RFQ	5234	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	ダブルint-a-pak（3 + 8）	GT400		2344 w	標準	ダブルint-a-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSGT400TH120U	ear99	8541.29.0095	12	ハーフブリッジ												溝	1200 v	750 a	2.35V @ 15V 、400A	5 Ma	いいえ	51.2 nf @ 30 v
VS-GT50TP120N	-	RFQ	9172	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	175°C （TJ）	シャーシマウント	int-a-pak（3 + 4）	GT50		405 W	標準	int-a-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSGT50TP120N	ear99	8541.29.0095	24	ハーフブリッジ												溝	1200 v	100 a	2.35V @ 15V 、50a	5 Ma	いいえ	6.24 NF @ 30 V
VS-20MT120UFP	-	RFQ	4450	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	トレイ	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	16-MTPモジュール	20MT120		240 w	標準	MTP	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS20MT120UFP	ear99	8541.29.0095	105	フルブリッジインバーター												npt	1200 v	40 a	4.66V @ 15V 、40a	250 µA	いいえ	3.79 NF @ 30 V
VS-50MT060WHTAPBF	-	RFQ	2346	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	トレイ	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	12-MTPモジュール	50MT060		658 w	標準	MTP	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS50MT060WHTAPBF	ear99	8541.29.0095	15	ハーフブリッジ												-	600 V	114 a	3.2V @ 15V 、100A	400 µA	いいえ	7.1 nf @ 30 v
VS-70MT060WHTAPBF	-	RFQ	6381	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	トレイ	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	12-MTPモジュール	70MT060		347 w	標準	MTP	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS70MT060WHTAPBF	ear99	8541.29.0095	105	ハーフブリッジ												npt	600 V	100 a	3.4V @ 15V、140A	700 µA	いいえ	8 nf @ 30 v
vs-gb55na120ux	-	RFQ	6073	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	hexfred®	チューブ	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	GB55		431 w	標準	SOT-227	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	160	シングル												npt	1200 v	84 a		50 µA	いいえ
VS-GB75NA60UF	-	RFQ	4811	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	GB75		447 w	標準	SOT-227	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	160	シングル												npt	600 V	109 a	2V @ 15V、35a	50 µA	いいえ
vs-gt105la120ux	-	RFQ	3465	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	GT105		463 w	標準	SOT-227	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	160	シングル												npt	1200 v	134 a		75 µA	いいえ
VS-FC80NA20	-	RFQ	8317	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	FC80	モスフェット（金属酸化物）			SOT-227	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	160		nチャネル	200 v	108a（tc）	10V	14mohm @ 80a 、10V	5.5V @ 250µA	161 NC @ 10 V	±30V	10720 PF @ 50 V	-	405W
VS-GA200HS60S1	-	RFQ	9125	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	int-a-pak	GA200		830 W	標準	int-a-pak	-	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.29.0095	15	ハーフブリッジ												-	600 V	480 a	1.21V @ 15V 、200A	1 Ma	いいえ	32.5 nf @ 30 v

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

トランジスタ（195）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²