画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | フェットタイプ | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | G15N06K | 0.5300 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | to-252-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 60 V | 15a(tc) | 4.5V 、10V | 45mohm @ 8a 、10V | 3V @ 250µA | 25 NC @ 10 V | ±20V | 763 PF @ 30 V | - | 40W (TC) | |||||
![]() | G10P03 | 0.4900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-POWERVDFN | モスフェット(金属酸化物) | 8-dfn (3.15x3.05) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | pチャネル | 30 V | 10a | 1.5V @ 250µA | 27 NC @ 4.5 v | ±12V | 1550 PF @ 15 V | 20W | ||||||||
![]() | G1K1P06HH | 0.0790 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-261-4、TO-261AA | モスフェット(金属酸化物) | SOT-223 | ダウンロード | ROHS準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | pチャネル | 60 V | 4.5a | 10V | 110mohm @ 4a 、10V | 4V @ 250µA | 11 NC @ 10 V | ±20V | 981 PF @ 30 V | - | 3.1W | |||||
![]() | G35N02K | 0.4700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | to-252-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 20 v | 35a(tc) | 2.5V 、4.5V | 13mohm @ 20a 、4.5v | 1.2V @ 250µA | 24 NC @ 4.5 v | ±12V | 1380 PF @ 10 V | - | 40W (TC) | |||||
![]() | G66 | 0.6800 | ![]() | 33 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | g | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 6-wdfn露出パッド | モスフェット(金属酸化物) | 6-dfn (2x2) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 3,000 | pチャネル | 16 v | 5.8a(ta) | 2.5V 、4.5V | 45mohm @ 4.1a 、4.5V | 1V @ 250µA | 7.8 NC @ 4.5 v | ±8V | 740 PF @ 4 V | - | 1.7W | |||||||
![]() | G170P03S2 | 0.6700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C(TC) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | G170 | - | 1.4W | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | 2 P-Channel (デュアル) | 30V | 9a(tc) | 25mohm @ 5a 、4.5V | 2.5V @ 250µA | 18NC @ 10V | 1786pf @ 4.5V | - | ||||||
![]() | G1003B | 0.3700 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | モスフェット(金属酸化物) | SOT-23-3L | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 100 V | 3a | 130mohm @ 1a 、10V | 2V @ 250µA | 30 NC @ 10 V | ±20V | 760 PF @ 50 V | 3.3W | |||||||
![]() | GC11N65F | 1.6400 | ![]() | 145 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3フルパック | モスフェット(金属酸化物) | TO-220F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 650 V | 11a | 360mohm @ 5.5a 、10V | 4V @ 250µA | 21 NC @ 10 V | ±30V | 901 PF @ 50 V | 31.3w | |||||||
![]() | G75P04T | - | ![]() | 4272 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220 | ダウンロード | ROHS準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0000 | 50 | pチャネル | 40 v | 70a | 4.5V 、10V | 7mohm @ 20a 、10v | 2.5V @ 250µA | 106 NC @ 10 V | ±20V | 6985 PF @ 20 V | - | 277W (TC) | ||||||
![]() | GT011N03ME | 1.7100 | ![]() | 800 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-263-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-263 | ダウンロード | ROHS準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0000 | 800 | nチャネル | 30 V | 209a | 4.5V 、10V | 1.6mohm @ 10a 、10V | 2.5V @ 250µA | 98 NC @ 10 V | ±18V | 6140 PF @ 15 V | - | 89W | |||||
![]() | G75P04F | 1.2000 | ![]() | 48 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3フルパック | モスフェット(金属酸化物) | TO-220F | ダウンロード | ROHS準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | 3141-G75P04F | ear99 | 8541.29.0000 | 50 | pチャネル | 40 v | 54a(tc) | 4.5V 、10V | 7mohm @ 10a 、10v | 2.5V @ 250µA | 106 NC @ 10 V | ±20V | 6768 PF @ 20 V | - | 35.7W | ||||
![]() | 6703 | 0.0777 | ![]() | 7826 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOT-23-6 | モスフェット(金属酸化物) | 1.1W | SOT-23-6L | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 3141-6703TR | ear99 | 8541.29.0000 | 3,000 | - | 20V | 2.9a | 59mohm @ 2.5a | 1.2V @ 250µA、1V @ 250µA | - | 300pf @ 10V 、405pf @ 10V | 標準 | |||||||
![]() | GT035N10T | 2.4124 | ![]() | 2959 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220 | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 3141-GT035N10T | ear99 | 8541.29.0000 | 50 | nチャネル | 100 V | 190a | 10V | 3.5mohm @ 20a 、10V | 4V @ 250µA | 68 NC @ 10 V | ±20V | 6057 PF @ 50 V | - | 250W | |||||
![]() | G20N03D2 | 0.4600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 6-wdfn露出パッド | モスフェット(金属酸化物) | 6-dfn (2x2) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 30 V | 9a(tc) | 4.5V 、10V | 24mohm @ 5a 、10V | 2V @ 250µA | 20 NC @ 10 V | ±20V | 873 PF @ 30 V | - | 1.5W | ||||||
![]() | G12P06K | 0.4900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | to-252-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | ROHS準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0000 | 2,500 | pチャネル | 60 V | 12a(tc) | 4.5V 、10V | 75mohm @ 6a 、10V | 3V @ 250µA | 23 NC @ 10 V | ±20V | 1108 PF @ 30 V | - | 27W (TC) | ||||||
![]() | 2301 | 0.0270 | ![]() | 120 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | モスフェット(金属酸化物) | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 20 v | 3a(ta) | 2.5V 、4.5V | 56mohm @ 1.7a 、4.5V | 900MV @ 250µA | 12 NC @ 2.5 v | ±10V | 405 PF @ 10 V | - | 1W | |||||
![]() | G06N06S2 | 0.2669 | ![]() | 4744 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | モスフェット(金属酸化物) | 2.1W (TC) | 8ソップ | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 3141-G06N06S2TR | ear99 | 8541.29.0000 | 4,000 | 2 nチャネル | 60V | 6a(tc) | 25mohm @ 6a 、10V | 2.4V @ 250µA | 46NC @ 10V | 1600pf @ 30V | 標準 | |||||||
![]() | GT042P06T | 2.7400 | ![]() | 1319 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0000 | 50 | pチャネル | 60 V | 160a(tc) | 4.5V 、10V | 4.5mohm @ 15a 、10V | 2.5V @ 250µA | 305 NC @ 10 V | ±20V | 9151 PF @ 30 V | - | 280W (TC) | |||||
![]() | G07P04S | 0.5800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | モスフェット(金属酸化物) | 8ソップ | ダウンロード | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | pチャネル | 40 v | 7a(tc) | 4.5V 、10V | 18mohm @ 7a 、10V | 2.5V @ 250µA | 24 NC @ 10 V | ±20V | 1750 pf @ 20 v | - | 2.5W | ||||||
![]() | GT065P06T | 1.6800 | ![]() | 25 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0000 | 50 | pチャネル | 60 V | 82a(tc) | 4.5V 、10V | 7.5mohm @ 20a 、10V | 2.5V @ 250µA | 62 NC @ 10 V | ±20V | 5335 PF @ 30 V | - | 150W | |||||
![]() | G30N03D3 | 0.5300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-POWERVDFN | モスフェット(金属酸化物) | 8-dfn (3.15x3.05) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | nチャネル | 30 V | 30a | 7mohm @ 20a 、10v | 2.5V @ 250µA | 13 NC @ 10 V | ±20V | 825 PF @ 15 V | 24W | |||||||
![]() | G700P06T | 0.6800 | ![]() | 4406 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | pチャネル | 60 V | 25a(tc) | 4.5V 、10V | 70mohm @ 4a 、10V | 2.5V @ 250µA | 23 NC @ 10 V | ±20V | 1428 PF @ 30 V | - | 100W (TC) | ||||||
![]() | G11S | 0.4100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | g | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | モスフェット(金属酸化物) | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | pチャネル | 20 v | 11a(tc) | 2.5V 、4.5V | 18.4mohm @ 1a 、4.5V | 1.1V @ 250µA | 47 NC @ 10 V | ±12V | 2455 PF @ 10 V | - | 3.3W | |||||
![]() | G30N04D3 | 0.6900 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-POWERVDFN | モスフェット(金属酸化物) | 8-dfn (3.15x3.05) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | nチャネル | 40 v | 30a(tc) | 4.5V 、10V | 9.5mohm @ 20a 、10v | 2.5V @ 250µA | 30 NC @ 10 V | ±20V | 1780 pf @ 20 v | 標準 | 19.8W | |||||
![]() | GT700P08T | - | ![]() | 3293 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | pチャネル | 80 v | 25a(tc) | 10V | 72mohm @ 2a 、10V | 3.5V @ 250µA | 75 NC @ 10 V | ±20V | 1639 PF @ 40 V | 125W | ||||||
![]() | G2K3N10H | 0.4700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-261-4、TO-261AA | モスフェット(金属酸化物) | SOT-223 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 100 V | 2a(tc) | 4.5V 、10V | 220MOHM @ 2A 、10V | 2V @ 250µA | 13 NC @ 10 V | ±20V | 434 PF @ 50 V | - | 2.4W | |||||
![]() | G900P15M | 1.6400 | ![]() | 451 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-263-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-263 | ダウンロード | ROHS準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 800 | pチャネル | 150 v | 60a(tc) | 10V | 80mohm @ 5a 、10V | 4V @ 250µA | 27 NC @ 10 V | ±20V | 4056 PF @ 75 V | - | 100W (TC) | ||||||
![]() | G05N06S2 | 0.6000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8ソップ | G05N | モスフェット(金属酸化物) | 3.1W | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | 2 nチャネル | 60V | 5a(tc) | 35mohm @ 5a 、4.5V | 2.5V @ 250µA | 22NC @ 10V | 1374pf @ 30V | 標準 | ||||||
![]() | G23N06K | 0.1370 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | to-252-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 60 V | 23a | 35mohm @ 20a 、10V | 2.5V @ 250µA | 25 NC @ 10 V | ±20V | 590 PF @ 15 V | 38W | |||||||
![]() | GT110N06D5 | 0.9100 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | GT | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-powertdfn | モスフェット(金属酸化物) | 8-dfn (4.9x5.75) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 5,000 | nチャネル | 60 V | 45a(tc) | 4.5V 、10V | 11mohm @ 14a 、10v | 2.4V @ 250µA | 31 NC @ 10 V | ±20V | 1202 PF @ 30 V | - | 69W (TC) |
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