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離散半導体製品（43）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移
AS3D030120P2 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS3D030120P2 9.2100
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 anbon半導体（int'l limited - チューブ アクティブ 穴を通して TO-247-3 AS3D03012 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-247-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 4530-AS3D030120P2 ear99 8541.10.0080 30 回復時間なし> 500ma 1ペア共通カソード 1200 v 42a 1.8 V @ 15 a 0 ns 20 µA @ 1200 v -55°C〜175°C
AS3401 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS3401 0.2900
RFQ
 ECAD 61 0.00000000 anbon半導体（int'l limited - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 モスフェット（金属酸化物） SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 30 V 4.4a（ta） 2.5V 、10V 55mohm @ 4.4a 、10V 1.4V @ 250µA 7.2 NC @ 10 V ±12V 680 PF @ 15 V - 1.2W
AS3D020120C ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS3D020120C 6.4900
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 anbon半導体（int'l limited - チューブ アクティブ 穴を通して TO-247-2 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-247-2 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 4530-AS3D020120C ear99 8541.10.0080 30 回復時間なし> 500ma 1200 v 1.8 V @ 20 a 0 ns 20 µA @ 1200 v -55°C〜175°C 51a 1280pf @ 0V、1MHz
BC847B ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED BC847B 0.1000
RFQ
 ECAD 127 0.00000000 anbon半導体（int'l limited - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 200 MW SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 45 v 100 Ma 100NA npn 500MV @ 5MA 、100mA 200 @ 2MA 、5V 100MHz
MMBT5401 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED MMBT5401 0.1200
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 anbon半導体（int'l limited - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 350 MW SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 150 v 600 Ma 50na（icbo） PNP 500MV @ 5MA 、50mA 60 @ 10ma 、5v 300MHz
MMBT4403 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED MMBT4403 0.1200
RFQ
 ECAD 126 0.00000000 anbon半導体（int'l limited - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 350 MW SOT-23-3L ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 40 v 600 Ma 100NA PNP 750mv @ 50ma 、500ma 100 @ 150ma 、2V 200MHz
US1D-A ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED US1D-A 0.1200
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 anbon半導体（int'l limited - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント DO-214AC、SMA 標準 SMA/DO-214AC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 2,000 高速回復= <500ns 200 v 1 V @ 1 a 50 ns 5 µA @ 200 V -55°C〜150°C 1a 15pf @ 4V、1MHz
1N4148W ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED 1N4148W 0.1000
RFQ
 ECAD 69 0.00000000 anbon半導体（int'l limited - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-123 1N4148 標準 SOD-123 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 75 v 1.25 V @ 150 MA 4 ns 2.5 µA @ 75 V -55°C〜150°C 150ma 1.5pf @ 0V、1MHz
MMBT2222A ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED MMBT2222a 0.1600
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 anbon半導体（int'l limited - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 MMBT2222 350 MW SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 40 v 600 Ma 10na npn 1V @ 50ma 、500ma 100 @ 150ma 、10V 300MHz
1N4148WT ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED 1N4148WT 0.1000
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 anbon半導体（int'l limited - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-79、SOD-523 1N4148 標準 SOD-523 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 8,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 75 v 1.25 V @ 150 MA 4 ns 1 µA @ 75 V -55°C〜150°C 150ma 2PF @ 0V、1MHz
AS2302 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS2302 0.1900
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 anbon半導体（int'l limited - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 モスフェット（金属酸化物） SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 20 v 3a（ta） 2.5V 、4.5V 55mohm @ 3a 、4.5V 1.25V @ 250µA 3.81 NC @ 4.5 v ±10V 220 PF @ 10 V - 700MW
AS3D020120P2 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS3D020120P2 6.5200
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 anbon半導体（int'l limited - チューブ アクティブ 穴を通して TO-247-3 AS3D02012 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-247-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 4530-AS3D020120P2 ear99 8541.10.0080 30 回復時間なし> 500ma 1ペア共通カソード 1200 v 30A （DC） 1.8 V @ 15 a 0 ns 20 µA @ 1200 v -55°C〜175°C
AS1M025120P ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS1M025120P 39.5400
RFQ
 ECAD 128 0.00000000 anbon半導体（int'l limited - チューブ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-247-3 sicfet （炭化シリコン） TO-247-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 4530-AS1M025120P ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 1200 v 90a 20V 34mohm @ 50a 、20V 4V @ 15MA 195 NC @ 20 V +25V、-10V 3600 pf @ 1000 v - 463W （TC）
AS2324 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS2324 0.2900
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 anbon半導体（int'l limited - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 モスフェット（金属酸化物） SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 100 V 2a（ta） 4.5V 、10V 280mohm @ 2a 、10V 3V @ 250µA 5.3 NC @ 10 V ±20V 330 PF @ 50 V - 1.2W
AS1M040120T ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS1M040120T 21.5300
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 anbon半導体（int'l limited - チューブ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-247-4 sicfet （炭化シリコン） TO-247-4 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 4530-AS1M040120T ear99 8541.21.0095 30 nチャネル 1200 v 60a（tc） 20V 55mohm @ 40a、20V 4V @ 10MA 142 NC @ 20 V +25V、-10V 2946 PF @ 1000 V - 330W
AS3400 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS3400 0.2900
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 anbon半導体（int'l limited - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 モスフェット（金属酸化物） SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 4530-AS3400DKR ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 5.6a（ta） 2.5V 、10V 27mohm @ 5.6a 、10V 1.5V @ 250µA 4.8 NC @ 4.5 v ±12V 535 PF @ 15 V - 1.2W
BSS123 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED BSS123 0.1400
RFQ
 ECAD 73 0.00000000 anbon半導体（int'l limited - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 モスフェット（金属酸化物） SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 100 V 200ma（ta） 4.5V 、10V 5OHM @ 200MA 、10V 2.5V @ 250µA 1.8 NC @ 10 V ±20V 14 pf @ 50 v - 350MW
BAV21WS ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED bav21ws 0.1100
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 anbon半導体（int'l limited - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-76、SOD-323 bav21 標準 SOD-323 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 250 v 1.25 V @ 200 mA 50 ns 100 Na @ 250 V -55°C〜150°C 200mA 5PF @ 0V、1MHz
RS1D-A ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED RS1D-A 0.1000
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 anbon半導体（int'l limited - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント DO-214AC、SMA 標準 SMA/DO-214AC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 2,000 高速回復= <500ns 200 v 1.3 V @ 1 a 150 ns 5 µA @ 200 V -55°C〜150°C 1a 15pf @ 4V、1MHz
B5819WS ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED B5819WS 0.1900
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 anbon半導体（int'l limited - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-76、SOD-323 ショットキー SOD-323 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 40 v 600 mV @ 1 a 1 MA @ 40 V -55°C〜125°C 1a 120pf @ 4V、1MHz
MMBT2907A ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED MMBT2907A 0.1200
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 anbon半導体（int'l limited - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 350 MW SOT-23-3L ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 60 V 800 Ma 20na PNP 1.6V @ 50ma 、500ma 100 @ 150ma 、10V 200MHz
BCP56-16 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED BCP56-16 0.4300
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 anbon半導体（int'l limited - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-261-4、TO-261AA 1.6 W SOT-223 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 80 v 1 a 100na（icbo） npn 500MV @ 50MA 、500MA 100 @ 150ma 、2V -
AS3D030065C ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS3D030065C 7.2300
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 anbon半導体（int'l limited - チューブ アクティブ 穴を通して TO-247-2 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-247-2 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 4530-AS3D030065C ear99 8541.10.0080 30 回復時間なし> 500ma 650 V 1.8 V @ 30 a 0 ns 20 µA @ 650 v -55°C〜175°C 35a 1805pf @ 0V、1MHz
BAV99 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED bav99 0.1100
RFQ
 ECAD 125 0.00000000 anbon半導体（int'l limited - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 bav99 標準 SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 高速回復= <500ns 1ペアシリーズ接続 70 v 215ma 1.25 V @ 150 MA 6 ns 2.5 µA @ 70 V -55°C〜150°C
MMBT5551 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED MMBT5551 0.1200
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 anbon半導体（int'l limited - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 350 MW SOT-23-3L ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 4530-MMBT5551TR ear99 8541.21.0095 3,000 160 v 600 Ma 50na（icbo） npn 200mV @ 5MA 、50mA 80 @ 10ma 、5v 100MHz
AS2312 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS2312 0.2800
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 anbon半導体（int'l limited - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 モスフェット（金属酸化物） SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 20 v 6.8a（ta） 1.8V 、4.5V 18mohm @ 6.8a 、4.5V 1V @ 250µA 11.05 NC @ 4.5 v ±10V 888 PF @ 10 V - 1.2W
AS2M040120P ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS2M040120P 21.5100
RFQ
 ECAD 7607 0.00000000 anbon半導体（int'l limited - チューブ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-247-3 sicfet （炭化シリコン） TO-247-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 1200 v 60a（tc） 20V 55mohm @ 40a、20V 4V @ 10MA 142 NC @ 20 V +25V、-10V 2946 PF @ 1000 V - 330W
AS3D040120P2 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS3D040120P2 11.7100
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 anbon半導体（int'l limited - チューブ アクティブ 穴を通して TO-247-3 AS3D04012 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-247-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 4530-AS3D040120P2 ear99 8541.10.0080 30 回復時間なし> 500ma 1ペア共通カソード 1200 v 52a 1.8 V @ 20 a 0 ns 20 µA @ 1200 v -55°C〜175°C
AS1M025120T ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS1M025120T 39.5600
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 anbon半導体（int'l limited - チューブ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-247-4 sicfet （炭化シリコン） TO-247-4 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 4530-AS1M025120T ear99 8541.21.0095 30 nチャネル 1200 v 65a（tc） 20V 34mohm @ 50a 、20V 4V @ 15MA 195 NC @ 20 V +25V、-10V 4200 PF @ 1000 V - 370W （TC）
AS3D020065A ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS3D020065A 4.6100
RFQ
 ECAD 158 0.00000000 anbon半導体（int'l limited - バルク アクティブ 穴を通して TO-220-2 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-220-2 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 4530-AS3D020065A ear99 8541.10.0080 50 回復時間なし> 500ma 650 V 1.65 V @ 20 a 0 ns 20 µA @ 650 v -55°C〜175°C 56a 1190pf @ 0V、1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

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    世界的なメーカー

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196-LFBGA露出パッド

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