画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | フェットタイプ | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | P3D06004G2 | 2.1000 | ![]() | 6325 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3d | テープ&リール( tr) | アクティブ | TO-263-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-263-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3D06004G2TR | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 0 ns | 20 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 14a | |||||||||||||||||||||
![]() | P3D06006T2 | 2.5000 | ![]() | 2115 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3d | チューブ | アクティブ | TO-220-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3D06006T2 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 0 ns | 30 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 23a | |||||||||||||||||||||
![]() | P3M12017K4 | 39.7500 | ![]() | 7138 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3m | チューブ | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-247-4 | sicfet (炭化シリコン) | TO-247-4L | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3M12017K4 | 1 | nチャネル | 1200 v | 151a | 15V | 24mohm @ 75a、15V | 2.5V @ 75MA(タイプ) | +25V、-10V | - | 789W | ||||||||||||||||
![]() | P3D12020K2 | 12.4100 | ![]() | 5644 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3d | チューブ | アクティブ | TO-247-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3D12020K2 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 0 ns | 60 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 51a | |||||||||||||||||||||
![]() | P3D06002T2 | 2.1000 | ![]() | 5217 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3d | チューブ | アクティブ | TO-220-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3D06002T2 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 0 ns | 10 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 6a | |||||||||||||||||||||
![]() | P3M12040K3 | 20.9800 | ![]() | 8887 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3m | チューブ | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-247-3 | sicfet (炭化シリコン) | TO-247-3L | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3M12040K3 | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 1200 v | 63a | 15V | 48mohm @ 40a、15V | 2.2V @ 40ma(タイプ) | +21V、-8V | - | 349W | ||||||||||||||
![]() | P3D06020I2 | 8.8400 | ![]() | 9682 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3d | チューブ | アクティブ | TO-220-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3D06020I2 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 0 ns | 50 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 35a | |||||||||||||||||||||
![]() | P3M171K2K3 | 5.5900 | ![]() | 2230 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3m | チューブ | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-247-3 | sicfet (炭化シリコン) | TO-247-3L | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3M171K2K3 | 1 | nチャネル | 1700 v | 6a | 15V | 1.4OHM @ 2A、15V | 2.2V @ 2MA(タイプ) | +19V、-8V | - | 68W | ||||||||||||||||
![]() | PAA12400BM3 | 882.3600 | ![]() | 3564 | 0.00000000 | pn接合半導体 | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜175°C | シャーシマウント | モジュール | PAA12400 | 炭化シリコン(原文) | - | モジュール | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-PAA12400BM3 | 1 | 2 nチャンネル(ハーフブリッジ) | 1200V(1.2kv) | 350A | 7.3mohm @ 300a 、20V | 5V @ 100MA | - | 29.5pf @ 1000V | - | |||||||||||||||
![]() | P3M06120K3 | 9.0500 | ![]() | 6996 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3m | チューブ | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-247-3 | sicfet (炭化シリコン) | TO-247-3L | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3M06120K3 | 1 | nチャネル | 650 V | 27a | 15V | 158mohm @ 10a、15V | 2.2V @ 5MA | +20V、 -8V | - | 131W | ||||||||||||||||
![]() | P3M06120K4 | 9.0500 | ![]() | 2705 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3m | チューブ | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-247-4 | sicfet (炭化シリコン) | TO-247-4L | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3M06120K4 | 1 | nチャネル | 650 V | 27a | 15V | 158mohm @ 10a、15V | 2.2V @ 5MA | +20V、 -8V | - | 131W | ||||||||||||||||
![]() | P3M12080G7 | 11.9000 | ![]() | 1610 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3m | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-8 | sicfet (炭化シリコン) | D2PAK-7 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3M12080G7TR | 1 | nチャネル | 1200 v | 32a | 15V | 96mohm @ 20a、15V | 2.2V @ 30MA(タイプ) | +19V、-8V | - | 136W | ||||||||||||||||
![]() | P1H06300D8 | 4.9800 | ![]() | 7689 | 0.00000000 | pn接合半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | ガンフェット(窒化ガリウム) | DFN8*8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P1H06300D8TR | 1 | nチャネル | 650 V | 10a | 6V | - | +10V、-20V | - | 55.5W | ||||||||||||||||||
![]() | P3D12020G2 | 12.4100 | ![]() | 4772 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3d | テープ&リール( tr) | アクティブ | TO-263-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-263-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3D12020G2TR | 1 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 0 ns | 60 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 49a | |||||||||||||||||||||
![]() | P3M07013K4 | 33.9000 | ![]() | 4850 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3m | チューブ | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-247-4 | sicfet (炭化シリコン) | TO-247-4L | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3M07013K4 | 1 | nチャネル | 750 V | 140a | 15V | 16mohm @ 75a、15V | 2.2V @ 75ma | +19V、-8V | - | 428W | ||||||||||||||||
![]() | P3D12005K2 | 4.5000 | ![]() | 6239 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3d | チューブ | アクティブ | TO-247-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3D12005K2 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 0 ns | 44 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 23a | |||||||||||||||||||||
![]() | P3D12010K3 | 6.5400 | ![]() | 3747 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3d | チューブ | アクティブ | TO-247-3 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3D12010K3 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 0 ns | 44 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 46a | |||||||||||||||||||||
![]() | P3M12080K4 | 11.9000 | ![]() | 9034 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3m | チューブ | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-247-4 | sicfet (炭化シリコン) | TO-247-4L | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3M12080K4 | 1 | nチャネル | 1200 v | 47a | 15V | 96mohm @ 20a、15V | 2.4V @ 5MA(タイプ) | +21V、-8V | - | 221W | ||||||||||||||||
![]() | P3D12020K3 | 12.4100 | ![]() | 1272 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3d | チューブ | アクティブ | TO-247-3 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3D12020K3 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 0 ns | 50 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 70a | |||||||||||||||||||||
![]() | P3D06020T2 | 8.8400 | ![]() | 2609 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3d | チューブ | アクティブ | - | TO-220-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3D06020T2 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.6 V @ 20 a | 0 ns | 100 µA @ 650 V | -55°C〜175°C | 45a | 904pf @ 0V、1MHz | ||||||||||||||||||
![]() | P3M12040K4 | 20.9800 | ![]() | 2699 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3m | チューブ | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-247-4 | sicfet (炭化シリコン) | TO-247-4L | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3M12040K4 | 1 | nチャネル | 1200 v | 63a | 15V | 48mohm @ 40a、15V | 2.2V @ 40ma(タイプ) | +21V、-8V | - | 349W | ||||||||||||||||
![]() | P3D06008E2 | 3.3300 | ![]() | 2523 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3d | テープ&リール( tr) | アクティブ | TO-252-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-252-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3D06008E2TR | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 0 ns | 36 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 22a | |||||||||||||||||||
![]() | P3D06008F2 | 3.3300 | ![]() | 6959 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3d | チューブ | アクティブ | TO-220F-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220F-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3D06008F2 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 0 ns | 36 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 18a | |||||||||||||||||||||
![]() | P3D12030K2 | 14.9200 | ![]() | 2635 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3d | チューブ | アクティブ | TO-247-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3D12030K2 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 0 ns | 65 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 57a | |||||||||||||||||||||
![]() | P3M173K0K3 | 5.0800 | ![]() | 6554 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3m | チューブ | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-247-3 | sicfet (炭化シリコン) | TO-247-3L | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3M173K0K3 | 1 | nチャネル | 1700 v | 4a | 15V | 3.6OHM @ 600MA、15V | 2.2V @ 600µA | +19V、-8V | - | 63W | ||||||||||||||||
![]() | P3M06300T3 | 4.9800 | ![]() | 7695 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3m | チューブ | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-2 | sicfet (炭化シリコン) | TO-220-2L | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3M06300T3 | 1 | nチャネル | 650 V | 9a | 15V | 500mohm @ 4.5a、15V | 2.2V @ 5MA | +20V、 -8V | - | 35W | ||||||||||||||||
![]() | P3D06020F2 | 8.8400 | ![]() | 7762 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3d | チューブ | アクティブ | TO-220F-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220F-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3D06020F2 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 0 ns | 50 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 29a | |||||||||||||||||||||
![]() | P3D06016I2 | 7.7800 | ![]() | 2155 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3d | チューブ | アクティブ | TO-220-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3D06016I2 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 0 ns | 45 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 28a | |||||||||||||||||||||
![]() | P3D06004E2 | 2.1000 | ![]() | 8434 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3d | テープ&リール( tr) | アクティブ | TO-252-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-252-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3D06004E2TR | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 0 ns | 20 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 12a | |||||||||||||||||||||
![]() | P3D06010F2 | 4.1600 | ![]() | 5570 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3d | チューブ | アクティブ | TO-220F-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220F-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3D06010F2 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 0 ns | 44 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 21a |
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