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離散半導体製品（16626）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	構造	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	現在-hold（ihmax）	得	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	電圧 -状態外	現在 -state（it （rms	電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大）	現在 -非担当者サージ50、60Hz	現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大）	現在 -State	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	scr の数、ダイオード	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	vce（on max） @ vge	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
IRFS7430PBF	-	RFQ	9018	Infineon Technologies	hexfet®、 strongirfet™	チューブ	sicで中止されました	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3		モスフェット（金属酸化物）				d2pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP001578352	ear99	8541.29.0095	50			nチャネル			40 v	195a（tc）	6V 、10V	1.2mohm @ 100a 、10V	3.9V @ 250µA	460 NC @ 10 V	±20V	14240 PF @ 25 V	-	375W
SPD03N50C3ATMA1	0.7234	RFQ	8077	Infineon Technologies	coolmos™	テープ＆リール（ tr）	新しいデザインではありません	-55°C〜150°C	表面マウント	to-252-3	SPD03N50	モスフェット（金属酸化物）				PG-to252-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,500			nチャネル			500 V	3.2a	10V	1.4OHM @ 2A 、10V	3.9V @ 135µA	15 NC @ 10 V	±20V	350 PF @ 25 V	-	38W
IPI120N10S405AKSA1	-	RFQ	5364	Infineon Technologies	Automotive 、AEC-Q101、Optimos™	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads	IPI120N	モスフェット（金属酸化物）				PG-to262-3-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500			nチャネル			100 V	120a（tc）	10V	5.3mohm @ 100a 、10V	3.5V @ 120µA	91 NC @ 10 V	±20V	6540 PF @ 25 V	-	190W
FP20R06W1E3B11BOMA1	41.5100	RFQ	24	Infineon Technologies	Easypim™	トレイ	アクティブ	-40°C〜150°C	シャーシマウント	モジュール	FP20R06		94 W		標準	モジュール	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	24	三相インバーター																													トレンチフィールドストップ	600 V	27 a	2V @ 15V、 20a	1 Ma	はい	1.1 nf @ 25 v
IRFZ44ZPBF	1.0300	RFQ	9	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	新しいデザインではありません	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3	IRFZ44	モスフェット（金属酸化物）				TO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50			nチャネル			55 v	51a（tc）	10V	13.9mohm @ 31a 、10v	4V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±20V	1420 PF @ 25 V	-	80W
auirfs8405	-	RFQ	4002	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3	auirfs8405	モスフェット（金属酸化物）				PG-to263-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル			40 v	120a（tc）	10V	2.3mohm @ 100a 、10V	3.9V @ 100µA	161 NC @ 10 V	±20V	5193 PF @ 25 V	-	163W
IRLR2705TRRPBF	-	RFQ	6224	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3		モスフェット（金属酸化物）				d-pak	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	SP001558392	ear99	8541.29.0095	3,000			nチャネル			55 v	28a（tc）	4V 、10V	40mohm @ 17a 、10V	2V @ 250µA	25 NC @ 5 V	±16V	880 PF @ 25 V	-	68W （TC）
F3L400R10W3S7B11BPSA1	237.6200	RFQ	1364	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	モジュール	F3L400				-	モジュール	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	8	-																													溝	950 v		1.4V @ 15V 、150a	70 µA	はい	25.2 nf @ 25 v
IP111N15N3G	-	RFQ	5769	Infineon Technologies	*	バルク	アクティブ										-	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.30.0080	1
IRFB7540PBF	1.6900	RFQ	459	Infineon Technologies	hexfet®、 strongirfet™	チューブ	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3	IRFB7540	モスフェット（金属酸化物）				TO-220	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50			nチャネル			60 V	110a（tc）	6V 、10V	5.1mohm @ 65a 、10V	3.7V @ 100µA	130 NC @ 10 V	±20V	4555 PF @ 25 V	-	160W
DF150R12W1H3FB11BOMA1	58.5000	RFQ	24	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ	-			DF150				-		-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない				24	-																													-			-
BSS119NH7978XTSA1	0.1200	RFQ	15	Infineon Technologies	Optimos™	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3		モスフェット（金属酸化物）				PG-SOT23-3-5	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.21.0095	3,000			nチャネル			100 V	190ma（ta）	4.5V 、10V	6OHM @ 190MA 、10V	2.3V @ 13µA	0.6 NC @ 10 V	±20V	20.9 pf @ 25 v	-	500MW
PTFB260605ELV1XWSA1	-	RFQ	1245	Infineon Technologies	*	トレイ	廃止										ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	SP000800738	廃止	0000.00.0000	1
SIDC03D60F6X1SA2	-	RFQ	8437	Infineon Technologies	-	バルク	廃止		表面マウント	死ぬ	SIDC03	標準				ホイル上の鋸	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns																				600 V	1.6 V @ 6 a		27 µA @ 600 v	-40°C〜150°C	6a	-
IAUS165N08S5N029ATMA1	4.5700	RFQ	1	Infineon Technologies	Automotive 、AEC-Q101、Optimos™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	8-POWERSMD 、ガルウィング	IAUS165	モスフェット（金属酸化物）				PG-HSOG-8-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,800			nチャネル			80 v	165a（tc）	6V 、10V	2.9mohm @ 80a 、10V	3.8V @ 108µA	90 NC @ 10 V	±20V	6370 PF @ 40 V	-	167W （TC）
IRF3711Z	-	RFQ	2401	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3		モスフェット（金属酸化物）				TO-220AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	*IRF3711Z	ear99	8541.29.0095	50			nチャネル			20 v	92a（tc）	4.5V 、10V	6mohm @ 15a 、10V	2.45V @ 250µA	24 NC @ 4.5 v	±20V	2150 PF @ 10 V	-	79W
FD401R17KF6CB2NOSA1	742.3500	RFQ	28	Infineon Technologies	*	バルク	アクティブ										ダウンロード		未定義のベンダー	影響を受けた	2156-FD401R17KF6CB2NOSA1-448			1
BAS16WH6327XTSA1	0.0517	RFQ	5725	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	前回購入します		表面マウント	SC-70、SOT-323	BAS16	標準				PG-SOT323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000		高速回復= <500ns																				80 v	1.25 V @ 150 MA	4 ns	1 µA @ 75 V	150°C （最大）	250ma	2PF @ 0V、1MHz
IRFR5505CPBF	-	RFQ	5154	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	to-252-3		モスフェット（金属酸化物）				d-pak	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	75			pチャネル			55 v	18a（tc）	10V	110mohm @ 9.6a 、10V	4V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±20V	650 PF @ 25 V	-	57W
BC857CWH6433XMA1	-	RFQ	8299	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	150°C （TJ）	表面マウント	SC-70、SOT-323	BC857		250 MW			PG-SOT323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	10,000																															45 v	100 Ma		15NA			PNP	650mv @ 5ma 、100ma	420 @ 2MA 、5V	250MHz
BSS169H6906XTSA1	0.8100	RFQ	5973	Infineon Technologies	SIPMOS™	テープ＆リール（ tr）	新しいデザインではありません	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BSS169	モスフェット（金属酸化物）				PG-SOT23	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	3,000			nチャネル			100 V	170ma（ta）	0V 、10V	6ohm @ 170ma 、10V	1.8V @ 50µA	2.8 NC @ 7 V	±20V	68 PF @ 10 V	枯渇モード	360MW
IPW60R080P7XKSA1	6.7100	RFQ	6925	Infineon Technologies	coolmos™p7	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3	IPW60R080	モスフェット（金属酸化物）				PG-to247-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50			nチャネル			600 V	37a（tc）	10V	80mohm @ 11.8a 、10V	4V @ 590µA	51 NC @ 10 V	±20V	2180 PF @ 400 V	-	129W
IPB45N04S4L-08	0.4300	RFQ	3	Infineon Technologies	Optimos™T2	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3		モスフェット（金属酸化物）				PG-to263-3-2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル			40 v	45a（tc）	4.5V 、10V	7.9mohm @ 45a 、10V	2.2V @ 17µA	30 NC @ 10 V	+20V、 -16V	2340 PF @ 25 V	-	45W
BFS481H6327	1.0000	RFQ	8924	Infineon Technologies	aec-q101	バルク	アクティブ	150°C （TJ）	表面マウント	6-VSSOP 、SC-88 、SOT-363			175MW			PG-SOT363-6-1	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	1					20db																										12V	20ma					2 NPN （デュアル）		70 @ 5MA 、8V	8GHz	0.9db〜1.2DB @ 900MHz〜1.8GHz
T730N42TS03XPSA1	-	RFQ	4484	Infineon Technologies	-	トレイ	廃止	120°C （TJ）	シャーシマウント	TO-200AC	T730N			シングル			-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	1				300 Ma												4.2 kv	1150 a	2.5 v	17600a @ 50Hz	300 Ma	730 a								1 SCR
IPB80N04S2-H4ATMA2	-	RFQ	4726	Infineon Technologies	coolmos™	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3		モスフェット（金属酸化物）				PG-to263-3-2	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8541.29.0095	1			nチャネル			40 v	80a（tc）	10V	3.7mohm @ 80a 、10V	4V @ 250µA	148 NC @ 10 V	±20V	4400 PF @ 25 V	-	300W （TC）
auirfz24ns	-	RFQ	7214	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3	auirfz24	モスフェット（金属酸化物）				d-pak（to-252aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50			nチャネル			55 v	17a（tc）	10V	70mohm @ 10a 、10V	4V @ 250µA	20 NC @ 10 V	±20V	370 PF @ 25 V	-	3.8W （TA ）、45W（TC）
IPW60R018CFD7XKSA1	25.0400	RFQ	210	Infineon Technologies	coolmos™cfd7	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3	IPW60R018	モスフェット（金属酸化物）				PG-to247-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	30			nチャネル			600 V	101a（tc）	10V	18mohm @ 58.2a 、10V	4.5V @ 2.91MA	251 NC @ 10 V	±20V	9901 PF @ 400 v	-	416W
IRLR8113TRPBF	-	RFQ	8614	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3		モスフェット（金属酸化物）				d-pak	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,000			nチャネル			30 V	94a（tc）	4.5V 、10V	6mohm @ 15a 、10V	2.25V @ 250µA	32 NC @ 4.5 v	±20V	2920 PF @ 15 V	-	89W
BSS138NH6433XMA1	0.3900	RFQ	5592	Infineon Technologies	SIPMOS™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BSS138	モスフェット（金属酸化物）				PG-SOT23	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	10,000			nチャネル			60 V	230ma（ta）	4.5V 、10V	3.5OHM @ 230MA 、10V	1.4V @ 26µA	1.4 NC @ 10 V	±20V	41 PF @ 25 V	-	360MW

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²