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離散半導体製品（16626）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	テスト条件	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	容量 @ vr、f	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	抵抗 -ベース（r1）	抵抗 -エミッターベース（r2）	静電容量比	静電容量比条件	Q @ vr、f
BB 844 E6327	-	RFQ	9747	Infineon Technologies	-	バルク	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3						PG-SOT23	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000																						13PF @ 8V、1MHz									1ペア共通カソード	18 v										3.8	C2/C8	-
auirll2705	-	RFQ	7856	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-261-4、TO-261AA			モスフェット（金属酸化物）			SOT-223	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	SP001522936	ear99	8541.29.0095	80			nチャネル		55 v	5.2a（ta）	4V 、10V	40mohm @ 3.8a 、10V	2V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±16V	870 PF @ 25 V	-	1W
IGC15T65QEX1SA1	-	RFQ	4086	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	-40°C〜175°C	表面マウント	死ぬ	IGC15T65	標準				死ぬ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない			0000.00.0000	1				-																			トレンチフィールドストップ	650 V	30 a	90 a	2.32V @ 15V 、30A	-		-
FF300R17ME4BOSA1	270.2000	RFQ	6395	Infineon Technologies	c	トレイ	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	モジュール	FF300R17			1800 w	標準	モジュール	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	10	ハーフブリッジ																						npt	1700 v	375 a		2.3V @ 15V 、300A						3 Ma	はい
IRG5U150HF12B	-	RFQ	9404	Infineon Technologies	-	箱	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	Powir®62モジュール				1100 w	標準	Powir®62	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	SP001542108	ear99	8541.29.0095	15	ハーフブリッジ																						-	1200 v	260 a		3.5V @ 15V 、150a						2 Ma	いいえ	18 nf @ 25 v
FS75R12KT3BOSA1	140.3000	RFQ	5	Infineon Technologies	Econopack™2	トレイ	sicで中止されました	-40°C〜125°C	シャーシマウント	モジュール	FS75R12			355 W	標準	モジュール	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	10	三相インバーター																						トレンチフィールドストップ	1200 v	105 a		2.15V @ 15V 、75a						5 Ma	はい	5.3 nf @ 25 v
IRF6706S2TR1PBF	1.1000	RFQ	838	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜175°C	表面マウント	directfet™s1			モスフェット（金属酸化物）			directfet™s1	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル		25 v	17a	4.5V 、10V	3.8mohm @ 17a 、10V	2.35V @ 25µA	20 NC @ 4.5 v	±20V	1810 pf @ 13 v	-	1.8W
PX8560EDSGR2ER1230AXUMA1	-	RFQ	5409	Infineon Technologies	-	トレイ	廃止				PX8560ED						-	ROHS3準拠		影響を受けていない		廃止		1
DF80R12W2H3FB11BPSA1	94.6200	RFQ	15	Infineon Technologies	Econopack™2	トレイ	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	モジュール	DF80R12			20 MW	標準	モジュール	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	15	ハーフブリッジ																						トレンチフィールドストップ	1200 v	20 a		1.7V @ 15V 、20a						1 Ma	はい	2.35 nf @ 25 v
BCR166E6327	1.0000	RFQ	3452	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		表面マウント	TO-236-3	BCR166			200 MW		PG-SOT23-3-11	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	1																								50 v	100 Ma								100na（icbo）			pnp-前バイアス	300MV @ 500µA 、10mA	70 @ 5MA 、5V	160 MHz	4.7 Kohms	47 Kohms
IPI80P03P4-05AKSA1	0.7900	RFQ	4	Infineon Technologies	Automotive 、AEC-Q101、Optimos™	バルク	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads			モスフェット（金属酸化物）			PG-to262-3-1	-	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.29.0095	1			pチャネル		30 V	80a（tc）	10V	5mohm @ 80a 、10V	4V @ 253µA	130 NC @ 10 V	±20V	10300 PF @ 25 V	-	137W
bsc0901nsiatma1	1.4500	RFQ	4	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-powertdfn	BSC0901		モスフェット（金属酸化物）			PG-TDSON-8-6	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	5,000			nチャネル		30 V	28a（タタ）、 100a（tc）	4.5V 、10V	2mohm @ 30a 、10V	2.2V @ 250µA	20 NC @ 15 V	±20V	2600 PF @ 15 V	-	2.5W
DD104N16KHPSA2	121.3300	RFQ	9269	Infineon Technologies	DD104N	トレイ	アクティブ		シャーシマウント	モジュール			標準			モジュール	-	ROHS3準拠			448-DD104N16KHPSA2	ear99	8541.30.0080	15		標準回復> 500ns													1ペアシリーズ接続	1600 v	104a	1.4 V @ 300 a		20 mA @ 1.6 kV	150°C
IRLML5203	-	RFQ	8814	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止		表面マウント	TO-236-3			モスフェット（金属酸化物）			Micro3™/SOT-23	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	95			pチャネル		30 V	3a（ta）	4.5V 、10V	98mohm @ 3a 、10V	2.5V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	510 pf @ 25 V	-	1.25W
BSF885N03LQ3G	0.3900	RFQ	10	Infineon Technologies	*	バルク	アクティブ										-	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.29.0095	5,000
auirf3504	-	RFQ	6594	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3			モスフェット（金属酸化物）			TO-220AB	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	SP001521622	ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル		40 v	87a（tc）	10V	9.2mohm @ 52a 、10V	4V @ 100µA	54 NC @ 10 V	±20V	2150 PF @ 25 V	-	143W
BAS70-07W	-	RFQ	6188	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		表面マウント	SC-82A 、SOT-343	BAS70		ショットキー			PG-SOT343-4-1	ダウンロード					ear99	8541.10.0070	1		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度													2独立	70 v	70ma	1 V @ 15 mA	100 ps	100 Na @ 50 V	150°C
IPD70R1K4P7SAUMA1	0.7500	RFQ	8	Infineon Technologies	coolmos™p7	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	表面マウント	to-252-3	IPD70		モスフェット（金属酸化物）			PG-to252-3	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,500			nチャネル		700 V	4a（tc）	10V	1.4OHM @ 700MA 、10V	3.5V @ 40µA	4.7 NC @ 10 V	±16V	158 pf @ 400 v	-	23W （TC）
BB 689-02V E7908	-	RFQ	6936	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-79、SOD-523	BB 689					PG-SC79-2	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000																						2.9pf @ 28V、1MHz									シングル	30 V										23.2	C1/C28	-
IRG8CH37K10F	-	RFQ	1659	Infineon Technologies	-	バルク	sicで中止されました				IRG8CH37	標準					ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP001532998	ear99	8541.29.0095	1				600V、35a																			-	1200 v			2V @ 15V、35a	-	210 NC	35ns/190ns
IKW75N65ET7XKSA1	9.1500	RFQ	1061	Infineon Technologies	Automotive	チューブ	アクティブ	-40°C〜175°C	穴を通して	TO-247-3	IKW75N65	標準		333 w		PG-to247-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	30				400V 、75A 、4.7OHM、15V															100 ns				トレンチフィールドストップ	650 V	80 a	225 a	1.65V @ 15V 、75a	2.17MJ （オン）、1.23MJ	435 NC	28ns/310ns
IPP50CN10NGXKSA1	-	RFQ	8387	Infineon Technologies	Optimos™	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3	IPP50C		モスフェット（金属酸化物）			PGから220-3	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500			nチャネル		100 V	20a（tc）	10V	50mohm @ 20a 、10V	4V @ 20µA	16 NC @ 10 V	±20V	1090 PF @ 50 V	-	44W
AIKW50N65DH5XKSA1	11.1100	RFQ	7873	Infineon Technologies	Automotive	チューブ	アクティブ	-40°C〜175°C	穴を通して	TO-247-3	AIKW50	標準		270 w		PG-to247-3-41	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	30				400V 、25A 、12OHM15V																			溝	650 V		150 a	2.1V @ 15V 、50a	490µj（on140µj （オフ）	1018 NC	21ns/156ns
IRG4PSC71UDPBF	-	RFQ	2444	Infineon Technologies	-	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-274AA		標準		350 W		Super-247™（To-274AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	25				480V、60a 、5OHM 、15V															82 ns				-	600 V	85 a	200 a	2V @ 15V 、60a	3.26MJ （オン）、2.27MJ	340 NC	90ns/245ns
IRLR7807ZCPBF	-	RFQ	9788	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3			モスフェット（金属酸化物）			d-pak	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	75			nチャネル		30 V	43a（tc）	4.5V 、10V	13.8mohm @ 15a 、10V	2.25V @ 250µA	11 NC @ 4.5 v	±20V	780 PF @ 15 V	-	40W （TC）
BB837E6327	0.1200	RFQ	59	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323						PG-SOD323-2	ダウンロード					ear99	8541.10.0070	1																						0.52pf @ 28V、1MHz									シングル	30 V										12.7	C1/C28	-
IPI65R420CFD	0.8200	RFQ	10	Infineon Technologies	coolmos™	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads			モスフェット（金属酸化物）			PG-to262-3-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1			nチャネル		650 V	8.7a（tc）	10V	420mohm @ 3.4a 、10V	4.5V @ 300µA	31.5 NC @ 10 V	±20V	870 PF @ 100 V	-	83.3W
bsc150n03ld	0.4000	RFQ	7	Infineon Technologies	Optimos™3	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-POWERVDFN	BSC150		モスフェット（金属酸化物）	26W		PG-TDSON-8-4	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.29.0095	5,000	2 nチャンネル（デュアル）				30V	8a		15mohm @ 20a 、10V	2.2V @ 250µA	6.4NC @ 10V		1100pf @ 15V	ロジックレベルゲート
BSO203P	0.5500	RFQ	5102	Infineon Technologies	Optimos™	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	BSO203		モスフェット（金属酸化物）	2W		PG-DSO-8	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.29.0095	421	2 P-Channel （デュアル）				20V	8.2a		21mohm @ 8.2a 、4.5V	1.2V @ 100µA	48.6NC @ 4.5V		2242pf @ 15V	ロジックレベルゲート
IRFR7746TRPBF	-	RFQ	4126	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3	IRFR7746		モスフェット（金属酸化物）			PG-to252-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,000			nチャネル		75 v	56a（tc）	6V 、10V	11.2mohm @ 35a 、10V	3.7V @ 100µA	89 NC @ 10 V	±20V	3107 PF @ 25 V	-	99W

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²