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離散半導体製品（16626）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	構造	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	現在-hold（ihmax）	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	電圧 -状態外	現在 -state（it （rms	電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大）	現在 -非担当者サージ50、60Hz	現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大）	現在 -State	scr の数、ダイオード	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	vce（on max） @ vge	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	抵抗 -ベース（r1）	抵抗 -エミッターベース（r2）
IRLMS2002	-	RFQ	5821	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止		表面マウント	SOT-23-6	IRLMS200	モスフェット（金属酸化物）				Micro6™（SOT23-6	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	95		nチャネル		20 v	6.5a（ta）	2.5V 、4.5V	30mohm @ 6.5a 、4.5V	1.2V @ 250µA	22 NC @ 5 V	±12V	1310 pf @ 15 v	-	2W （TA）
buz101l	0.2700	RFQ	5	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ										ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.29.0095	1
bar63-02l um	-	RFQ	9172	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ										-				2156-BAR63-02LUM			1
IRF6619TR1PBF	2.9200	RFQ	2	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜150°C （TJ	表面マウント	directfet™mx		モスフェット（金属酸化物）				DirectFet™MX	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000		nチャネル		20 v	30a（タタ）、 150a（tc）	4.5V 、10V	2.2mohm @ 30a 、10V	2.45V @ 250µA	57 NC @ 4.5 v	±20V	5040 PF @ 10 V	-	2.8W （TA ）、89W（TC）
IRF6618TR1PBF	-	RFQ	8076	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜150°C （TJ	表面マウント	directfet™mt		モスフェット（金属酸化物）				DirectFet™MT	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000		nチャネル		30 V	30a（ta ）、170a	4.5V 、10V	2.2mohm @ 30a 、10V	2.35V @ 250µA	65 NC @ 4.5 v	±20V	5640 PF @ 15 V	-	2.8W （TA ）、89W（TC）
FP35R12W2T7B11BOMA1	67.3800	RFQ	11	Infineon Technologies	Easypim™	トレイ	アクティブ	-40°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール	FP35R12		20 MW		三相ブリッジ整流器	ag-easy2b-2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	15	三相インバーター																				トレンチフィールドストップ	1200 v	35 a	1.6V @ 15V、35a	5.8 µA	はい	6.62 NF @ 25 V
IPBH6N03LA g	-	RFQ	2063	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3	IPBH6N	モスフェット（金属酸化物）				PG-to263-3-2	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000		nチャネル		25 v	50a（tc）	4.5V 、10V	6.2mohm @ 50a 、10V	2V @ 30µA	19 NC @ 5 V	±20V	2390 PF @ 15 V	-	71W
auirf3710zs	-	RFQ	9621	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3	auirf3710	モスフェット（金属酸化物）				PG-to263-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000		nチャネル		100 V	59a（tc）	10V	18mohm @ 35a 、10V	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	2900 PF @ 25 V	-	160W
IPB017N10N5LFATMA1	9.0400	RFQ	5546	Infineon Technologies	Optimos™-5	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-263-7	IPB017	モスフェット（金属酸化物）				PG-to263-7	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000		nチャネル		100 V	180a（tc）	10V	1.7mohm @ 100a 、10V	4.1V @ 270µA	195 NC @ 10 V	±20V	840 PF @ 50 V	-	313W
IPU80R1K4CEBKMA1	-	RFQ	9157	Infineon Technologies	coolmos™	チューブ	sicで中止されました	-55°C〜150°C	穴を通して	to-251-3	IPU80R	モスフェット（金属酸化物）				PG-to251-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,500		nチャネル		800 V	3.9a（tc）	10V	1.4OHM @ 2.3A 、10V	3.9V @ 240µA	23 NC @ 10 V	±20V	570 PF @ 100 V	-	63W
BCR 148S H6827	-	RFQ	8153	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		表面マウント	6-VSSOP 、SC-88 、SOT-363	BCR 148		250MW			pg-sot363-po	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	3,000																						50V	100mA		-			2 npn- バイアス（デュアル）	300MV @ 500µA 、10mA	70 @ 5MA 、5V	100MHz	47kohms	47kohms
IPB100N06S2L05ATMA2	3.9900	RFQ	7224	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3	IPB100	モスフェット（金属酸化物）				PG-to263-3-2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000		nチャネル		55 v	100a（tc）	4.5V 、10V	4.4mohm @ 80a 、10V	2V @ 250µA	230 NC @ 10 V	±20V	5660 PF @ 25 V	-	300W （TC）
SPP04N60C2	0.3800	RFQ	19	Infineon Technologies	coolmos™	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3		モスフェット（金属酸化物）				PG-to220-3-1	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		600 V	4.5a	10V	950mohm @ 2.8a 、10V	5.5V @ 200µA	22.9 NC @ 10 V	±20V	580 PF @ 25 V	-	50W （TC）
BSM300GB120DLCS5HOSA1	-	RFQ	3405	Infineon Technologies	-	バルク	廃止	-40°C〜125°C	シャーシマウント	モジュール	BSM300		2500 W		標準	AG-62mmhb	-					廃止		1	2独立																				-	1200 v	625 a	2.6V @ 15V 、300A	5 Ma	いいえ	21 nf @ 25 v
BSS192PE6327	-	RFQ	7606	Infineon Technologies	SIPMOS®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-243AA		モスフェット（金属酸化物）				PG-SOT89	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000		pチャネル		250 v	190ma（ta）	2.8V 、10V	12ohm @ 190ma 、10v	2V @ 130µA	6.1 NC @ 10 V	±20V	104 PF @ 25 V	-	1W
IRF3415STRLPBF	2.8400	RFQ	4	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3	IRF3415	モスフェット（金属酸化物）				d2pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	800		nチャネル		150 v	43a（tc）	10V	42mohm @ 22a 、10V	4V @ 250µA	200 NC @ 10 V	±20V	2400 PF @ 25 V	-	3.8W （TA ）、200W（TC）
AUIRF1324STRL7P	-	RFQ	7673	Infineon Technologies	Automotive	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3		モスフェット（金属酸化物）				PG-to263-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP001515572	ear99	8541.29.0095	800		nチャネル		24 v	340a	10V	1.65mohm @ 195a 、10V	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	7590 PF @ 24 V	-	300W （TC）
IRFP22N50APBFXKMA1	-	RFQ	9886	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3		モスフェット（金属酸化物）				TO-247AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP001560506	ear99	8541.29.0095	400		nチャネル		500 V	22a（tc）	10V	230mohm @ 13a 、10V	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±30V	3450 PF @ 25 V	-	277W （TC）
TDB6HK180N16RRBPSA1	184.9600	RFQ	5859	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ	175°C （TJ）	シャーシマウント	モジュール	TDB6HK			ブリッジ、3相 -scrs/ダイオード -ダイオード付きigbt			ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	15			220 Ma											1.6 kV		2 v	1600A @ 50Hz	100 Ma		3つのscr、3つのダイオード
IPAN60R800CEXKSA1	1.2000	RFQ	490	Infineon Technologies	coolmos™	チューブ	新しいデザインではありません	-40°C〜150°C （TJ	穴を通して	TO-220-3フルパック	IPAN60	モスフェット（金属酸化物）				PG〜220-FP	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない	SP001508822	ear99	8541.29.0095	50		nチャネル		600 V	8.4a（tc）	10V	800mohm @ 2a 、10V	3.5V @ 170µA	17.2 NC @ 10 V	±20V	373 PF @ 100 V	-	27W （TC）
BC860BWH6327	0.0400	RFQ	9665	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	150°C （TJ）	表面マウント	SC-70、SOT-323			250 MW			PG-SOT323-3-1	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.21.0075	6,000																						45 v	100 Ma		15NA			PNP	650mv @ 5ma 、100ma	220 @ 2MA 、5V	250MHz
IRF6607TR1	-	RFQ	2358	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜150°C （TJ	表面マウント	directfet™mt		モスフェット（金属酸化物）				DirectFet™MT	ダウンロード		3 （168 時間）	影響を受けていない	SP001530714	ear99	8541.29.0095	1,000		nチャネル		30 V	27a	4.5V 、7V	3.3mohm @ 25a 、10V	2V @ 250µA	75 NC @ 4.5 v	±12V	6930 PF @ 15 V	-	3.6W （TA ）、42W（TC）
BCP 54-16 H6778	-	RFQ	7890	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	150°C （TJ）	表面マウント	TO-261-4、TO-261AA	BCP 54		2 W			PG-SOT223-4	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0075	1,000																						45 v	1 a		100na（icbo）			npn	500MV @ 50MA 、500MA	100 @ 150ma 、2V	100MHz
auirfl014n	-	RFQ	1253	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-261-4、TO-261AA		モスフェット（金属酸化物）				SOT-223	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	SP001520734	ear99	8541.29.0095	80		nチャネル		55 v	1.5a（ta）	10V	160mohm @ 1.9a 、10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	190 pf @ 25 v	-	1W
IPB075N04LG	-	RFQ	1654	Infineon Technologies	Optimos™3	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3		モスフェット（金属酸化物）				PGから263-3-2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000		nチャネル		40 v	50a（tc）	4.5V 、10V	7.5mohm @ 50a 、10V	2V @ 20µA	36 NC @ 10 V	±20V	2800 PF @ 25 V	-	56W （TC）
IRF5801TRPBF	0.6200	RFQ	772	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	SOT-23-6薄い、TSOT-23-6	IRF5801	モスフェット（金属酸化物）				micro6™（tsop-6）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	3,000		nチャネル		200 v	600ma（ta）	10V	2.2OHM @ 360MA 、10V	5.5V @ 250µA	3.9 NC @ 10 V	±30V	88 PF @ 25 V	-	2W （TA）
AUIRF5210S	-	RFQ	1837	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-263-3		モスフェット（金属酸化物）				d2pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000		pチャネル		100 V	38a（tc）	10V	60mohm @ 38a 、10V	4V @ 250µA	230 NC @ 10 V	±20V	2780 PF @ 25 V	-	3.1W
IRF7321D2	-	RFQ	9317	Infineon Technologies	fetky™	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）		モスフェット（金属酸化物）				8-SO	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	*IRF7321D2	ear99	8541.29.0095	95		pチャネル		30 V	4.7a（ta）	4.5V 、10V	62mohm @ 4.9a 、10V	1V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±20V	710 pf @ 25 v	ショットキーダイオード（分離）	2W （TA）
IRF7811APBF	-	RFQ	4465	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	IRF7811	モスフェット（金属酸化物）				8-SO	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	SP00155634	ear99	8541.29.0095	95		nチャネル		28 v	11a（ta）	4.5V	10mohm @ 11a 、10v	3V @ 250µA	26 NC @ 4.5 v	±12V	1760 PF @ 15 V	-	2.5W
TD122N22KOFHPSA1	-	RFQ	2065	Infineon Technologies	-	トレイ	廃止	-40°C〜125°C	シャーシマウント	モジュール	TD122N22			-scr/ダイオード			ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	8			300 Ma											2.4 kv	220 a	2 v	3300A @ 50Hz	200 ma	140 a	1 scr、1ダイオード

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²