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離散半導体製品（16626）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	タイプ	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	構造	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	現在 -マックス	現在-hold（ihmax）	テスト条件	現在	電圧	電圧 -分離	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	電圧 -状態外	現在 -state（it （rms	電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大）	現在 -非担当者サージ50、60Hz	現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大）	現在 -State	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	scr の数、ダイオード	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	@ @ if、f	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
BSM300GB120DLCS5HOSA1	-	RFQ	3405	Infineon Technologies	-	バルク	廃止	-40°C〜125°C	シャーシマウント	モジュール		BSM300			2500 W		標準	AG-62mmhb	-					廃止		1	2独立																														-	1200 v	625 a		2.6V @ 15V 、300A						5 Ma	いいえ	21 nf @ 25 v
BSS192PE6327	-	RFQ	7606	Infineon Technologies	SIPMOS®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-243AA				モスフェット（金属酸化物）				PG-SOT89	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000		pチャネル							250 v	190ma（ta）	2.8V 、10V	12ohm @ 190ma 、10v	2V @ 130µA	6.1 NC @ 10 V	±20V	104 PF @ 25 V	-	1W
IRF3415STRLPBF	2.8400	RFQ	4	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3		IRF3415		モスフェット（金属酸化物）				d2pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	800		nチャネル							150 v	43a（tc）	10V	42mohm @ 22a 、10V	4V @ 250µA	200 NC @ 10 V	±20V	2400 PF @ 25 V	-	3.8W （TA ）、200W（TC）
AUIRF1324STRL7P	-	RFQ	7673	Infineon Technologies	Automotive	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3				モスフェット（金属酸化物）				PG-to263-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP001515572	ear99	8541.29.0095	800		nチャネル							24 v	340a	10V	1.65mohm @ 195a 、10V	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	7590 PF @ 24 V	-	300W （TC）
IRFP22N50APBFXKMA1	-	RFQ	9886	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3				モスフェット（金属酸化物）				TO-247AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP001560506	ear99	8541.29.0095	400		nチャネル							500 V	22a（tc）	10V	230mohm @ 13a 、10V	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±30V	3450 PF @ 25 V	-	277W （TC）
TDB6HK180N16RRBPSA1	184.9600	RFQ	5859	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ	175°C （TJ）	シャーシマウント	モジュール		TDB6HK				ブリッジ、3相 -scrs/ダイオード -ダイオード付きigbt			ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	15				220 Ma															1.6 kV		2 v	1600A @ 50Hz	100 Ma							3つのscr、3つのダイオード
IPAN60R800CEXKSA1	1.2000	RFQ	490	Infineon Technologies	coolmos™	チューブ	新しいデザインではありません	-40°C〜150°C （TJ	穴を通して	TO-220-3フルパック		IPAN60		モスフェット（金属酸化物）				PG〜220-FP	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない	SP001508822	ear99	8541.29.0095	50		nチャネル							600 V	8.4a（tc）	10V	800mohm @ 2a 、10V	3.5V @ 170µA	17.2 NC @ 10 V	±20V	373 PF @ 100 V	-	27W （TC）
BC860BWH6327	0.0400	RFQ	9665	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	150°C （TJ）	表面マウント	SC-70、SOT-323					250 MW			PG-SOT323-3-1	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.21.0075	6,000																																45 v	100 Ma								15NA				PNP	650mv @ 5ma 、100ma	220 @ 2MA 、5V	250MHz
IRF6607TR1	-	RFQ	2358	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜150°C （TJ	表面マウント	directfet™mt				モスフェット（金属酸化物）				DirectFet™MT	ダウンロード		3 （168 時間）	影響を受けていない	SP001530714	ear99	8541.29.0095	1,000		nチャネル							30 V	27a	4.5V 、7V	3.3mohm @ 25a 、10V	2V @ 250µA	75 NC @ 4.5 v	±12V	6930 PF @ 15 V	-	3.6W （TA ）、42W（TC）
BCP 54-16 H6778	-	RFQ	7890	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	150°C （TJ）	表面マウント	TO-261-4、TO-261AA		BCP 54			2 W			PG-SOT223-4	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0075	1,000																																45 v	1 a								100na（icbo）				npn	500MV @ 50MA 、500MA	100 @ 150ma 、2V	100MHz
auirfl014n	-	RFQ	1253	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-261-4、TO-261AA				モスフェット（金属酸化物）				SOT-223	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	SP001520734	ear99	8541.29.0095	80		nチャネル							55 v	1.5a（ta）	10V	160mohm @ 1.9a 、10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	190 pf @ 25 v	-	1W
IPB075N04LG	-	RFQ	1654	Infineon Technologies	Optimos™3	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3				モスフェット（金属酸化物）				PGから263-3-2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000		nチャネル							40 v	50a（tc）	4.5V 、10V	7.5mohm @ 50a 、10V	2V @ 20µA	36 NC @ 10 V	±20V	2800 PF @ 25 V	-	56W （TC）
IRF5801TRPBF	0.6200	RFQ	772	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	SOT-23-6薄い、TSOT-23-6		IRF5801		モスフェット（金属酸化物）				micro6™（tsop-6）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	3,000		nチャネル							200 v	600ma（ta）	10V	2.2OHM @ 360MA 、10V	5.5V @ 250µA	3.9 NC @ 10 V	±30V	88 PF @ 25 V	-	2W （TA）
AUIRF5210S	-	RFQ	1837	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-263-3				モスフェット（金属酸化物）				d2pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000		pチャネル							100 V	38a（tc）	10V	60mohm @ 38a 、10V	4V @ 250µA	230 NC @ 10 V	±20V	2780 PF @ 25 V	-	3.1W
IRF7321D2	-	RFQ	9317	Infineon Technologies	fetky™	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）				モスフェット（金属酸化物）				8-SO	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	*IRF7321D2	ear99	8541.29.0095	95		pチャネル							30 V	4.7a（ta）	4.5V 、10V	62mohm @ 4.9a 、10V	1V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±20V	710 pf @ 25 v	ショットキーダイオード（分離）	2W （TA）
IRF7811APBF	-	RFQ	4465	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）		IRF7811		モスフェット（金属酸化物）				8-SO	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	SP00155634	ear99	8541.29.0095	95		nチャネル							28 v	11a（ta）	4.5V	10mohm @ 11a 、10v	3V @ 250µA	26 NC @ 4.5 v	±12V	1760 PF @ 15 V	-	2.5W
TD122N22KOFHPSA1	-	RFQ	2065	Infineon Technologies	-	トレイ	廃止	-40°C〜125°C	シャーシマウント	モジュール		TD122N22				-scr/ダイオード			ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	8				300 Ma															2.4 kv	220 a	2 v	3300A @ 50Hz	200 ma	140 a						1 scr、1ダイオード
Accessory28649Nosa1	-	RFQ	7042	Infineon Technologies	-	バルク	廃止					Accessory2							-			影響を受けていない	448-ACCESSORY28649NOSA1	ear99	8542.39.0001	1
T4003N52TS01PRXPSA1	-	RFQ	9035	Infineon Technologies	-	バルク	廃止	120°C （TJ）	シャーシマウント	TO-200AF						シングル			-			影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	1				100 Ma															5.2 kv	5340 a		105000A @ 50Hz		4990 a						1 SCR
IKA15N65ET6XKSA2	1.8400	RFQ	495	Infineon Technologies	TrenchStop™	チューブ	新しいデザインではありません	-40°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3フルパック		IKA15N65	標準		45 W			PG-to220-3-fp	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50					400V 、11.5a																					69 ns					トレンチフィールドストップ	650 V	17 a	57.5 a	1.9V @ 15V 、11.5a	230µJ（on110µj （オフ）	37 NC	30ns/117ns
BC847SH6327XTSA1	0.4000	RFQ	259	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	150°C （TJ）	表面マウント	6-VSSOP 、SC-88 、SOT-363		BC847			250MW			pg-sot363-po	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	3,000																																45V	100mA								15NA				2 NPN （デュアル）	600MV @ 5MA 、100mA	200 @ 2MA 、5V	250MHz
IRFB7545PBF	1.0000	RFQ	64	Infineon Technologies	hexfet®、 strongirfet™	チューブ	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3		IRFB7545		モスフェット（金属酸化物）				TO-220	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50		nチャネル							60 V	95a	6V 、10V	5.9mohm @ 57a 、10V	3.7V @ 100µA	110 NC @ 10 V	±20V	4010 PF @ 25 V	-	125W
IPD09N03LB g	-	RFQ	5971	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3		IPD09N		モスフェット（金属酸化物）				PG-to252-3-11	ダウンロード		3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,500		nチャネル							30 V	50a（tc）	4.5V 、10V	9.1mohm @ 50a 、10V	2V @ 20µA	13 NC @ 5 V	±20V	1600 PF @ 15 V	-	58W （TC）
BCW60BE6327	0.0400	RFQ	17	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3					330 MW			PG-SOT23	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	8,013																																32 v	100 Ma								20na（icbo）				npn	550MV @ 1.25MA 、50mA	180 @ 2MA 、5V	250MHz
IRFL014NPBF	-	RFQ	1150	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	sicで中止されました	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-261-4、TO-261AA				モスフェット（金属酸化物）				SOT-223	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP001570856	ear99	8541.29.0095	80		nチャネル							55 v	1.9a（ta）	10V	160mohm @ 1.9a 、10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	190 pf @ 25 v	-	1W
BAT1502LRHE6327XTSA1	1.0700	RFQ	12	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	150°C （TJ）		SOD-882		BAT1502						PG-TSLP-2-7	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	15,000			110 Ma															100 MW											0.35pf @ 0V、1MHz										Schottky-シングル	4V				-
DDB6U144N16RBPSA1	128.4300	RFQ	14	Infineon Technologies	econopack™	トレイ	アクティブ	150°C （TJ）	シャーシマウント	モジュール				標準				ag-econo2a	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	15																									1.65 V @ 150 a		5 ma @ 1600 v	100 a											3フェーズ	1.6 kV
IM393X6EXKLA1	-	RFQ	3975	Infineon Technologies	cipos™	チューブ	廃止		穴を通して	35-POWERDIP モジュール（0.866 "、22.00mm ）、30リード	IGBT	IM393x6							ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8542.39.0001	450	3相インバーター					20 a	600 V	2000VRMS
BSC080N03MSGATMA1	0.8700	RFQ	29	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	新しいデザインではありません	-55°C〜150°C	表面マウント	8-powertdfn		BSC080		モスフェット（金属酸化物）				PG-TDSON-8-5	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	5,000		nチャネル							30 V	13a	4.5V 、10V	8mohm @ 30a 、10V	2V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	2100 PF @ 15 V	-	2.5W
IRL3402PBF	-	RFQ	1803	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3				モスフェット（金属酸化物）				TO-220AB	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50		nチャネル							20 v	85a（tc）	4.5V 、7V	8mohm @ 51a 、7v	700MV @ 250µA （最小）	78 NC @ 4.5 v	±10V	3300 PF @ 15 V	-	110W

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²