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離散半導体製品（16626）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	電圧 -定格	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	頻度	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	現在の評価（ amp）	テスト条件	現在 -テスト	電力 -出力	得	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	ノイズ図	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	電圧 -テスト	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
FS75R12KE3B9BPSA1	184.7500	RFQ	5465	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	モジュール	FS75R12				350 W	標準	ag-econo2b	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	15	フルブリッジインバーター																										-	1200 v	105 a		2.15V @ 15V 、75a					5 Ma	はい	5.3 nf @ 25 v
IRF7379QTRPBF	-	RFQ	1096	Infineon Technologies	-	カットテープ（CT）	廃止			表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	IRF737			モスフェット（金属酸化物）	2.5W		8-SO	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	4,000	nおよびpチャネル								30V	5.8a 、4.3a		45mohm @ 5.8a 、10V	1V @ 250µA	25NC @ 10V		520pf @ 25V	ロジックレベルゲート
SIGC10T60EX7SA1	-	RFQ	9638	Infineon Technologies	TrenchStop™	バルク	アクティブ		-40°C〜175°C	表面マウント	死ぬ	SIGC10	標準					死ぬ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない			0000.00.0000	1					-																						トレンチフィールドストップ	600 V	20 a	60 a	1.9V @ 15V 、20a	-		-
DD1200S12H4HOSA1	852.4250	RFQ	5727	Infineon Technologies	IHM-B	トレイ	アクティブ		-40°C〜150°C	シャーシマウント	モジュール	DD1200				1200000 w	標準	モジュール	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2	2独立																										-	1200 v	1200 a		2.35V @ 15V 、1200A						いいえ
IRG4BC10SD-SPBF	-	RFQ	2811	Infineon Technologies	-	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	TO-263-3		標準			38 W		d2pak	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50					480v																	28 ns					-	600 V	14 a	18 a	1.8V @ 15V 、8a	310µj（on 3.28mj （オフ）	15 NC	76ns/815ns
IPDQ60R010S7XTMA1	29.6300	RFQ	4315	Infineon Technologies	coolmos™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	22-Powerbsopモジュール	IPDQ60R			モスフェット（金属酸化物）			PG-HDSOP-22-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	750			nチャネル						600 V	50a（tc）	12V	10mohm @ 50a、12v	4.5V @ 3.08MA	318 NC @ 12 v	±20V	11987 PF @ 300 V	-	694W
PTFA041501GL V1	-	RFQ	8709	Infineon Technologies	-	トレイ	廃止	65 v		表面マウント	2 フラットパック、フィンリード	PTFA041501		470MHz	ldmos			PG-63248-2	ダウンロード		3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50				1µA		900 Ma	150W	21dB											-																28 v
IQE004NE1LM7SCATMA1	1.1739	RFQ	1174	Infineon Technologies	*	テープ＆リール（ tr）	アクティブ												-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない				6,000
FS150R17KE3GBOSA1	649.1275	RFQ	2666	Infineon Technologies	econopack™+	トレイ	新しいデザインではありません		-40°C〜125°C	シャーシマウント	モジュール	FS150R17				1050 w	標準	モジュール	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	4	フルブリッジ																										トレンチフィールドストップ	1700 v	240 a		2.45V @ 15V、150a					3 Ma	はい	13.5 nf @ 25 v
bsc883n03msgatma1	-	RFQ	5447	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	8-powertdfn				モスフェット（金属酸化物）			PG-TDSON-8-1	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	5,000			nチャネル						34 v	19a（タタ）、 98a（tc）	4.5V 、10V	3.8mohm @ 30a 、10V	2V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	3200 PF @ 15 V	-	2.5w
IPD60R600CP	0.6600	RFQ	14	Infineon Technologies	coolmos™cp	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	to-252-3	IPD60R			モスフェット（金属酸化物）			PG-to252-3-313	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,500			nチャネル						600 V	6.1a（tc）	10V	600mohm @ 3.3a 、10V	3.5V @ 220µA	27 NC @ 10 V	±20V	550 PF @ 100 V	-	60W （TC）
IRG4BC20SPBF	-	RFQ	8625	Infineon Technologies	-	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3		標準			60 W		TO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000					480V 、10A、50OHM 、15V																						-	600 V	19 a	38 a	1.6V @ 15V 、10a	120µj（on ）、 2.05mj （オフ）	27 NC	27ns/540ns
IRLR8721TRPBF	-	RFQ	5522	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止		-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3				モスフェット（金属酸化物）			d-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,000			nチャネル						30 V	65a（tc）	4.5V 、10V	8.4mohm @ 25a 、10V	2.35V @ 25µA	13 NC @ 4.5 v	±20V	1030 PF @ 15 V	-	65W
bsc0924ndiatma1	1.3500	RFQ	79	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	8-powertdfn	BSC0924			モスフェット（金属酸化物）	1W		PG-Tison-8	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	5,000	2 n チャネル（デュアル）非対称								30V	17a、32a		5mohm @ 20a 、10V	2V @ 250µA	10NC @ 4.5V		1160pf @ 15V	ロジックレベルゲート、4.5Vドライブ
IDW30G65C5XKSA1	12.0300	RFQ	1	Infineon Technologies	coolsic™+	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-247-3	IDW30G65			sic （炭化シリコン）ショットキー			PG-to247-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	30		回復時間なし> 500ma																		650 V	1.7 V @ 30 a	0 ns	220 µA @ 650 v	-55°C〜175°C	30a	860pf @ 1V 、1MHz
BSO130N03MSG	-	RFQ	9412	Infineon Technologies	Optimos™3	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）				モスフェット（金属酸化物）			PG-DSO-8	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	99			nチャネル						30 V	9a（ta）	4.5V 、10V	13mohm @ 11.1a 、10V	2V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	1300 PF @ 15 V	-	1.56W
BSP88L6327	-	RFQ	3665	Infineon Technologies	SIPMOS®	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	TO-261-4、TO-261AA				モスフェット（金属酸化物）			PG-SOT223-4-21	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1			nチャネル						240 v	350ma（ta）	2.8V 、10V	6OHM @ 350MA 、10V	1.4V @ 108µA	6.8 NC @ 10 V	±20V	95 PF @ 25 V	-	1.8W
BSL316CL6327	1.0000	RFQ	4405	Infineon Technologies	Optimos™	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	SOT-23-6薄い、TSOT-23-6	BSL316			モスフェット（金属酸化物）	500MW		PG-TSOP6-6	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1	nおよびpチャネル								30V	1.4a 、1.5a		160mohm @ 1.4a 、10V	2V @ 3.7µA	0.6NC @ 5V		94pf @ 15V	ロジックレベルゲート
bym300a120dn2hosa1	192.9200	RFQ	2842	Infineon Technologies	-	トレイ	新しいデザインではありません		150°C （TJ）	シャーシマウント	モジュール	bym300				1000 w	標準	モジュール	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	10	シングル																										-	1200 v	450 a		-						いいえ
FF6MR12KM1PHOSA1	-	RFQ	4343	Infineon Technologies	coolsic™	トレイ	廃止		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	モジュール	FF6MR12			炭化シリコン（原文）	-		AG-62mm	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	8	2 nチャンネル（ハーフブリッジ）								1200V（1.2kv）	250a（tc）		5.81mohm @ 250a、15V	5.15V @ 80MA	496NC @ 15V		14700pf @ 800V	-
IDW12G65C5FKSA1	-	RFQ	8978	Infineon Technologies	coolsic™+	チューブ	sicで中止されました			穴を通して	TO-247-3	IDW12G65			sic （炭化シリコン）ショットキー			PG-to247-3-41	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	240		回復時間なし> 500ma																		650 V	1.7 V @ 12 a	0 ns	500 µA @ 650 v	-55°C〜175°C	12a	360pf @ 1V、1MHz
IPDQ60R065S7XTMA1	9.0100	RFQ	8507	Infineon Technologies	coolmos™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	22-Powerbsopモジュール	IPDQ60R			モスフェット（金属酸化物）			PG-HDSOP-22-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	750			nチャネル						600 V	9a（tc）	12V	65mohm @ 8a、12v	4.5V @ 490µA	51 NC @ 12 v	±20V	1932 PF @ 300 v	-	195W
BCX69-25E6327HTSA1	0.1400	RFQ	5	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	表面マウント	TO-243AA					3 W		PG-SOT89	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0075	2,077																												20 v	1 a							100na（icbo）			PNP	500MV @ 100MA、1a	160 @ 500MA、1V	100MHz
BAS52-02VH6327	-	RFQ	6815	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ			表面マウント	SC-79、SOD-523				ショットキー			PG-SC79-2-1	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000		高速回復= <500ns																		45 v	600 mV @ 200 mA		10 µA @ 45 v	150°C	750ma	5PF @ 10V、1MHz
BC847BE6433	0.0300	RFQ	14	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3					330 MW		PG-SOT23	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	9,427																												45 v	100 Ma							15NA			npn	600MV @ 5MA 、100mA	200 @ 2MA 、5V	250MHz
SP000629364	0.4600	RFQ	1	Infineon Technologies	coolmos™	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3				モスフェット（金属酸化物）			PG-to220-3-1	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー				1			nチャネル						600 V	4.4a（tc）	10V	950mohm @ 1.5a 、10V	3.5V @ 130µA	13 NC @ 10 V	±20V	280 PF @ 100 V	-	37W （TC）
SPB80N06S2L-09	-	RFQ	4572	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	廃止		-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3	SPB80N			モスフェット（金属酸化物）			PG-to263-3-2	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル						55 v	80a（tc）	4.5V 、10V	8.5mohm @ 52a 、10V	2V @ 125µA	105 NC @ 10 V	±20V	3480 PF @ 25 V	-	190W
IRF1324LPBF	-	RFQ	5251	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止		-55°C〜175°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads				モスフェット（金属酸化物）			TO-262	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	SP001564274	ear99	8541.29.0095	50			nチャネル						24 v	195a（tc）	10V	1.65mohm @ 195a 、10V	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	7590 PF @ 24 V	-	300W （TC）
SPP03N60C3	0.3800	RFQ	81	Infineon Technologies	coolmos™	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3				モスフェット（金属酸化物）			PG-to220-3-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1			nチャネル						600 V	3.2a	10V	1.4OHM @ 2A 、10V	3.9V @ 135µA	17 NC @ 10 V	±20V	400 pf @ 25 V	-	38W
IDT10S60C	3.8400	RFQ	1	Infineon Technologies	thinq！™	バルク	アクティブ			穴を通して	TO-220-2				sic （炭化シリコン）ショットキー			PG-to220-2-2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.10.0080	1		回復時間なし> 500ma																		600 V	1.7 V @ 10 a	0 ns	140 µA @ 600 V	-55°C〜175°C	10a （dc）	480pf @ 1V、1MHz

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²