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離散半導体製品（16626）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	構造	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	現在-hold（ihmax）	得	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	電圧 -状態外	現在 -state（it （rms	電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大）	現在 -非担当者サージ50、60Hz	現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大）	現在 -State	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	scr の数、ダイオード	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	vce（on max） @ vge	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	抵抗 -ベース（r1）	抵抗 -エミッターベース（r2）	ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
IRFH7440TRPBF	1.6300	RFQ	23	Infineon Technologies	hexfet®、 strongirfet™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-powertdfn	IRFH7440	モスフェット（金属酸化物）				8-PQFN	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	4,000			nチャネル			40 v	85a（tc）	6V 、10V	2.4mohm @ 50a 、10V	3.9V @ 100µA	138 NC @ 10 V	±20V	4574 PF @ 25 V	-	104W
TD570N16KOFHPSA2	310.6700	RFQ	2	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ	125°C	シャーシマウント	モジュール	TD570N16			-scr/ダイオード			ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	2				300 Ma												1.6 kV	900 a	2.2 v	17000A @ 50Hz	250 Ma	600 a							1 scr、1ダイオード
BF 770A E6327	-	RFQ	4642	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3			300MW			PG-SOT23	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	3,000					9.5db〜14.5db																									12V	90ma					npn		70 @ 30MA 、8V	6GHz			1.5db〜2.6db @ 900MHz〜1.8GHz
TZ240N34KOFHPSA1	-	RFQ	7736	Infineon Technologies	-	バルク	廃止	-40°C〜125°C	シャーシマウント	モジュール	TZ240N			シングル			ダウンロード		適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	3				300 Ma												3.4 kv	700 a	1.5 v	6100A @ 50Hz	250 Ma	240 a							1 SCR
FP35R12W2T4PBPSA1	71.9200	RFQ	2	Infineon Technologies	Easypim™	トレイ	アクティブ	-40°C〜150°C	シャーシマウント	モジュール	FP35R12		20 MW		三相ブリッジ整流器	モジュール	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	18	三相インバーター																												トレンチフィールドストップ	1200 v	70 a	2.25V @ 15V、35a	1 Ma	はい	2 NF @ 25 V
IRFZ46ZLPBF	-	RFQ	5226	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads		モスフェット（金属酸化物）				TO-262	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50			nチャネル			55 v	51a（tc）	10V	13.6mohm @ 31a 、10V	4V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±20V	1460 PF @ 25 V	-	82W
IRF7815PBF	-	RFQ	2017年	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	sicで中止されました	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）		モスフェット（金属酸化物）				8-SO	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP001575250	ear99	8541.29.0095	95			nチャネル			150 v	5.1a（ta）	10V	43mohm @ 3.1a、10V	5V @ 100µA	38 NC @ 10 V	±20V	1647 PF @ 75 v	-	2.5W
auirf2804wl	-	RFQ	1451	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-262-3ワイドリード	auirf2804	モスフェット（金属酸化物）				TO-262-3ワイド	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP001521514	ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル			40 v	240a	10V	1.8mohm @ 187a 、10v	4V @ 250µA	225 NC @ 10 V	±20V	7978 PF @ 25 V	-	300W （TC）
IRF7304	1.1000	RFQ	19	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	IRF73	モスフェット（金属酸化物）	2W			8-SO	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	95	2 P-Channel （デュアル）					20V	4.3a		90mohm @ 2.2a 、4.5V	700MV @ 250µA	22NC @ 4.5V		610pf @ 15V	ロジックレベルゲート
IRFBA1405P	-	RFQ	1520	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-40°C〜175°C	穴を通して	TO-273AA		モスフェット（金属酸化物）				Super-220™（to-273aa	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50			nチャネル			55 v	174a（tc）	10V	5mohm @ 101a 、10v	4V @ 250µA	260 NC @ 10 V	±20V	5480 PF @ 25 V	-	330W
IRF7494PBF	-	RFQ	7541	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）		モスフェット（金属酸化物）				8-SO	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	SP00155466	ear99	8541.29.0095	95			nチャネル			150 v	5.1a（ta）	10V	44mohm @ 3.1a 、10V	4V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±20V	1783 PF @ 25 V	-	2.5W
IRF3708L	-	RFQ	4099	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads		モスフェット（金属酸化物）				TO-262	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	*IRF3708L	ear99	8541.29.0095	50			nチャネル			30 V	62a（tc）	2.8V 、10V	12mohm @ 15a 、10V	2V @ 250µA	24 NC @ 4.5 v	±12V	2417 PF @ 15 V	-	87W
TZ740N22KOFTIMHPSA1	624.2800	RFQ	4281	Infineon Technologies	-	トレイ	廃止	-40°C〜125°C	シャーシマウント	モジュール	TZ740N22			シングル			ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	1				500 Ma												2.2 kv	1500 a	2 v	30000A @ 50Hz	250 Ma	819 a							1 SCR
IPD65R380E6ATMA1	2.4100	RFQ	4739	Infineon Technologies	coolmos™e6	テープ＆リール（ tr）	新しいデザインではありません	-55°C〜150°C	表面マウント	to-252-3	IPD65R380	モスフェット（金属酸化物）				PG-to252-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,500			nチャネル			650 V	10.6a（tc）	10V	380mohm @ 3.2a 、10V	3.5V @ 320µA	39 NC @ 10 V	±20V	710 PF @ 100 V	-	83W
BSL215CL6327HTSA1	-	RFQ	4596	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	SOT-23-6薄い、TSOT-23-6	BSL215	モスフェット（金属酸化物）	500MW			PG-TSOP6-6	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	3,000	nおよびpチャネル					20V	1.5a		140mohm @ 1.5a 、4.5V	1.2V @ 3.7µA	0.73NC @ 4.5V		143pf @ 10V	ロジックレベルゲート
SIDC23D120H8X1SA1	-	RFQ	3541	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		表面マウント	死ぬ	SIDC23D	標準				ホイル上の鋸	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP000526884	ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns																				1200 v	1.97 V @ 35 a	27 µA @ 1200 v	-40°C〜175°C	35a	-
IPP50R380CE	-	RFQ	6618	Infineon Technologies	coolmos™	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3		モスフェット（金属酸化物）				PG-to220-3-1	ダウンロード						0000.00.0000	1			nチャネル			500 V	14.1a	13V	380mohm @ 3.2a、13V	3.5V @ 260µA	24.8 NC @ 10 V	±20V	584 PF @ 100 V	-	98W （TC）
IFF2400P17LE4BPSA1	-	RFQ	6122	Infineon Technologies	-	トレイ	廃止	-40°C〜65°C（タタ	-	モジュール					-	モジュール	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		廃止		1	ハーフブリッジ																												-	1700 v		-		いいえ
SPD04N60C2	0.3300	RFQ	45	Infineon Technologies	coolmos™	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	to-252-3		モスフェット（金属酸化物）				PG-to252-3-1	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.29.0095	2,500			nチャネル			600 V	4.5a	10V	950mohm @ 2.8a 、10V	5.5V @ 200µA	22.9 NC @ 10 V	±20V	580 PF @ 25 V	-	50W （TC）
2SP0320T2A0FF1000RNPSA1	-	RFQ	3894	Infineon Technologies	-	トレイ	廃止										-			影響を受けていない		ear99	8542.39.0001	1
IPW60R060P7XKSA1	7.4800	RFQ	68	Infineon Technologies	coolmos™p7	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3	IPW60R060	モスフェット（金属酸化物）				PG-to247-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	30			nチャネル			600 V	48a	10V	60mohm @ 15.9a 、10V	4V @ 800µA	67 NC @ 10 V	±20V	2895 PF @ 400 v	-	164W
IPP50R350CPXK	-	RFQ	5810	Infineon Technologies	coolmos™	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3		モスフェット（金属酸化物）				PG-to220-3-1	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.29.0095	1			nチャネル			500 V	10a（tc）	10V	350mohm @ 5.6a 、10V	3.5V @ 370µA	25 NC @ 10 V	±20V	1020 PF @ 100 V	-	89W
IRF2907ZSPBF	-	RFQ	6927	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	sicで中止されました	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3		モスフェット（金属酸化物）				d2pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50			nチャネル			75 v	160a（tc）	10V	4.5mohm @ 75a 、10V	4V @ 250µA	270 NC @ 10 V	±20V	7500 PF @ 25 V	-	300W （TC）
BC846BB5000	-	RFQ	5569	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3			330 MW			PG-SOT23	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.21.0075	10,000																														65 v	100 Ma		15NA			npn	600MV @ 5MA 、100mA	200 @ 2MA 、5V	250MHz
IRF7907TRPBF	1.2000	RFQ	15	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	IRF7907	モスフェット（金属酸化物）	2W			8-SO	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	4,000	2 nチャンネル（デュアル）					30V	9.1a 、11a		16.4mohm @ 9.1a 、10V	2.35V @ 25µA	10NC @ 4.5V		850pf @ 15V	ロジックレベルゲート
IMT65R057M1HXTMA1	-	RFQ	4865	Infineon Technologies	*	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました				IMT65R						-	ROHS3準拠		影響を受けていない				2,000
IPB80N06S209ATMA2	3.0100	RFQ	532	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3	IPB80N	モスフェット（金属酸化物）				PG-to263-3-2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル			55 v	80a（tc）	10V	8.8mohm @ 50a 、10V	4V @ 125µA	80 NC @ 10 V	±20V	2360 PF @ 25 V	-	190W
BCR129FE6327	0.0300	RFQ	18	Infineon Technologies	aec-q101	バルク	アクティブ		表面マウント	TO-236-3	BCR129		200 MW			PG-SOT23-3-3	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	3,000																														50 v	100 Ma		100na（icbo）			npn-バイアス化	300MV @ 500µA 、10mA	120 @ 5MA 、5V	150 MHz	10 Kohms
BCR 148F E6327	-	RFQ	8174	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		表面マウント	SOT-723	BCR 148		250 MW			PG-TSFP-3	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	3,000																														50 v	100 Ma		100na（icbo）			npn-バイアス化	300MV @ 500µA 、10mA	70 @ 5MA 、5V	100 MHz	47 KOHMS	47 KOHMS
IRF8714TRPBF-1	-	RFQ	6411	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）		モスフェット（金属酸化物）				8-SOIC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	4,000			nチャネル			30 V	14a（ta）	4.5V 、10V	8.7mohm @ 14a 、10V	2.35V @ 25µA	12 NC @ 4.5 v	±20V	1020 PF @ 15 V	-	2.5W

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²