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離散半導体製品（16626）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	タイプ	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	構造	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	現在-hold（ihmax）	テスト条件	現在	電圧	電圧 -分離	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	電圧 -状態外	現在 -state（it （rms	電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大）	現在 -非担当者サージ50、60Hz	現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大）	現在 -State	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	scr の数、ダイオード	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
BSS84PL6433HTMA1	-	RFQ	5377	Infineon Technologies	SIPMOS®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3				モスフェット（金属酸化物）				PG-SOT23	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	10,000			pチャネル						60 V	170ma（ta）	4.5V 、10V	8ohm @ 170ma 、10v	2V @ 20µA	1.5 NC @ 10 V	±20V	19 pf @ 25 v	-	360MW
IRF7342D2PBF	-	RFQ	6393	Infineon Technologies	fetky™	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）				モスフェット（金属酸化物）				8-SO	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	95			pチャネル						55 v	3.4a（ta）	4.5V 、10V	105mohm @ 3.4a 、10V	1V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	690 PF @ 25 V	ショットキーダイオード（分離）	2W （TA）
IKU06N60RBKMA1	-	RFQ	7418	Infineon Technologies	TrenchStop®	チューブ	廃止	-	穴を通して	to-251-3		Ku06n	標準		100 W			PG-to251-3	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,500					400V 、6a 、23ohm、15V																								68 ns				溝	600 V	12 a	18 a	2.1V @ 15V 、6a	330µj	48 NC	12ns/127ns
DD104N14KAHPSA1	-	RFQ	2896	Infineon Technologies	-	バルク	廃止		シャーシマウント	Pow-R-Blok™モジュール				標準				Pow-R-Blok™モジュール	ダウンロード		適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	15		標準回復> 500ns																							1ペアシリーズ接続	1400 v	104a	1.4 V @ 300 a		20 mA @ 1400 v	150°C
IRF630NSPBF	-	RFQ	3340	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	sicで中止されました	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3				モスフェット（金属酸化物）				d2pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50			nチャネル						200 v	9.3a（tc）	10V	300mohm @ 5.4a 、10V	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	575 PF @ 25 V	-	82W
T3800N16TOFVTXPSA1	1.0000	RFQ	2	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ	135°C （TJ）	シャーシマウント	200AEまで		T3800N				シングル			ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	2				300 Ma															1.8 kv	5970 a	2.5 v	63000A @ 50Hz	250 Ma	3800 a								1 SCR
IRGP35B60PDPBF	-	RFQ	3580	Infineon Technologies	-	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3		IRGP35	標準		308 W			TO-247AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	400					390V 、22A 、3.3OHM、15V																								42 ns				npt	600 V	60 a	120 a	2.55V @ 15V、35a	220µj（on ）、215µj （オフ）	160 NC	26ns/110ns
IRF2807ZSTRRPBF	-	RFQ	7302	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3				モスフェット（金属酸化物）				d2pak	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	SP001563194	ear99	8541.29.0095	800			nチャネル						75 v	75a（tc）	10V	9.4mohm @ 53a 、10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	3270 PF @ 25 V	-	170W
IRFU2405PBF	-	RFQ	2227	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	to-251-3		IRFU2405		モスフェット（金属酸化物）				IPAK（TO-251AA）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	75			nチャネル						55 v	56a（tc）	10V	16mohm @ 34a 、10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	2430 pf @ 25 v	-	110W
BSO207PNTMA1	-	RFQ	6280	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）		BSO207		モスフェット（金属酸化物）	2W			PG-DSO-8	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,500	2 P-Channel （デュアル）								20V	5.7a		45mohm @ 5.7a 、4.5V	1.2V @ 40µA	23.4NC @ 4.5V		1013pf @ 15V	ロジックレベルゲート
SPP07N60C3XKSA1	2.9600	RFQ	385	Infineon Technologies	coolmos™	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3		spp07n60		モスフェット（金属酸化物）				PG-to220-3-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50			nチャネル						650 V	7.3a（tc）	10V	600mohm @ 4.6a 、10V	3.9V @ 350µA	27 NC @ 10 V	±20V	790 PF @ 25 V	-	83W
IRF3711ZCLPBF	-	RFQ	8939	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads				モスフェット（金属酸化物）				TO-262	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	*IRF3711ZCLPBF	ear99	8541.29.0095	50			nチャネル						20 v	92a（tc）	4.5V 、10V	6mohm @ 15a 、10V	2.45V @ 250µA	24 NC @ 4.5 v	±20V	2150 PF @ 10 V	-	79W
FZ3600R17HP4B2BOSA2	1.0000	RFQ	3485	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	モジュール		FZ3600			4900000 w		標準	AG-IHMB190	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	シングルスイッチ																																トレンチフィールドストップ	1700 v	3600 a		2.25V @ 15V 、3.6ka				5 Ma	いいえ	295 nf @ 25 v
IPI80N04S3H4AKSA1	-	RFQ	2473	Infineon Technologies	Optimos™	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads		IPI80N		モスフェット（金属酸化物）				PG-to262-3	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500			nチャネル						40 v	80a（tc）	10V	4.8mohm @ 80a 、10V	4V @ 65µA	60 NC @ 10 V	±20V	3900 PF @ 25 V	-	115W
IRG4BC40W-LPBF	-	RFQ	5281	Infineon Technologies	-	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads		IRG4BC40	標準		160 W			TO-262	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP001537000	ear99	8541.29.0095	1,000					480V 、20A、10OHM、15V																												-	600 V	40 a	160 a	2.5V @ 15V 、20a	110µj（on ）、 230µj（オフ）	98 NC	27ns/100ns
FP100R12N2T7BPSA1	174.1200	RFQ	2363	Infineon Technologies	econopim™2	トレイ	アクティブ	-40°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール		FP100R12			20 MW		三相ブリッジ整流器	ag-econo2b	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	10	三相インバーター																																トレンチフィールドストップ	1200 v	100 a		1.5V @ 15V 、100A				10 µA	はい	21.7 nf @ 25 v
ICA22V13X1SA1	-	RFQ	8407	Infineon Technologies	*	バルク	廃止												ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	SP001174082	廃止	0000.00.0000	1
BSS87E6327	-	RFQ	8048	Infineon Technologies	SIPMOS®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-243AA				モスフェット（金属酸化物）				PG-SOT89-4-2	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル						240 v	260ma（ta）	4.5V 、10V	6OHM @ 260MA 、10V	1.8V @ 108µA	5.5 NC @ 10 V	±20V	97 PF @ 25 V	-	1W
DD89N16KAHPSA1	-	RFQ	5134	Infineon Technologies	-	トレイ	廃止		シャーシマウント	Pow-R-Blok™モジュール		DD89N16		標準				Pow-R-Blok™モジュール	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	15		標準回復> 500ns																							1ペアシリーズ接続	1600 v	89a	1.5 V @ 300 a		20 mA @ 1600 v	150°C
IRF1405SPBF	-	RFQ	4525	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	sicで中止されました	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3				モスフェット（金属酸化物）				d2pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50			nチャネル						55 v	131a（tc）	10V	5.3mohm @ 101a 、10v	4V @ 250µA	260 NC @ 10 V	±20V	5480 PF @ 25 V	-	200W （TC）
IRLZ34NSTRLPBF	1.7100	RFQ	31	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3		IRLZ34		モスフェット（金属酸化物）				d2pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	800			nチャネル						55 v	30a（tc）	4V 、10V	35mohm @ 16a 、10V	2V @ 250µA	25 NC @ 5 V	±16V	880 PF @ 25 V	-	3.8W （TA ）、68W（TC）
BAT 64-04T E6327	-	RFQ	8651	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました		表面マウント	SC-75、SOT-416		バット64		ショットキー				PG-SC75-3D	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度																							1ペアシリーズ接続	40 v	120ma	750 mv @ 100 Ma	5 ns	2 µA @ 30 V	150°C （最大）
IRFZ46Z	-	RFQ	3201	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3				モスフェット（金属酸化物）				TO-220AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	*IRFZ46Z	ear99	8541.29.0095	50			nチャネル						55 v	51a（tc）	10V	13.6mohm @ 31a 、10V	4V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±20V	1460 PF @ 25 V	-	82W
BCX 56-10 E6327	-	RFQ	3140	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	150°C （TJ）	表面マウント	TO-243AA		BCX 56			2 W			PG-SOT89	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0075	1,000																																		80 v	1 a						100na（icbo）			npn	500MV @ 50MA 、500MA	63 @ 150MA 、2V	100MHz
IRG4PC40FPBF	-	RFQ	3641	Infineon Technologies	-	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3			標準		160 W			TO-247AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	400					480v																												-	600 V	49 a	200 a	1.7V @ 15V 、27a	370µj（1.81mj （オフ）	100 NC	26ns/240ns
IPAW60R380CEXKSA1	1.6200	RFQ	213	Infineon Technologies	coolmos™	チューブ	廃止	-40°C〜150°C （TJ	穴を通して	TO-220-3フルパック		IPAW60		モスフェット（金属酸化物）				PG〜220-FP	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	45			nチャネル						600 V	15a（tc）	10V	380mohm @ 3.8a 、10V	3.5V @ 320µA	32 NC @ 10 V	±20V	700 pf @ 100 V	-	31W （TC）
BSD316SNL6327XT	0.2200	RFQ	732	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	6-VSSOP 、SC-88 、SOT-363				モスフェット（金属酸化物）				pg-sot363-po	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	3,000			nチャネル						30 V	1.4a（ta）	4.5V 、10V	160mohm @ 1.4a 、10V	2V @ 3.7µA	0.6 NC @ 5 V	±20V	94 PF @ 15 V	-	500MW
IM240M6Y1BAKSA1	-	RFQ	8188	Infineon Technologies	IM240-M6、CIPOS™	チューブ	廃止		穴を通して	23-dip モジュール（0.573 "、14.55mm）	IGBT	IM240M6							ダウンロード		3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.39.0001	15	3相インバーター					4 a	600 V	1900vrms
IKCM10B60HAXKMA1	-	RFQ	1033	Infineon Technologies	cipos™	チューブ	廃止		穴を通して	24-POWERDIP モジュール（1.028 "、26.10mm）	IGBT								ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	SP001423508	ear99	8541.29.0095	280	3フェーズ					10 a	600 V	2000VRMS
IPB06N03LB	-	RFQ	1936年年	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3		IPB06N		モスフェット（金属酸化物）				PG-to263-3	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル						30 V	50a（tc）	4.5V 、10V	6.3mohm @ 50a 、10V	2V @ 40µA	22 NC @ 5 V	±20V	2782 PF @ 15 V	-	83W

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²