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離散半導体製品（16626）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	構造	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	現在-hold（ihmax）	テスト条件	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	電圧 -状態外	現在 -state（it （rms	電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大）	現在 -非担当者サージ50、60Hz	現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大）	現在 -State	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	scr の数、ダイオード	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	抵抗 -ベース（r1）	抵抗 -エミッターベース（r2）
IRF6607	-	RFQ	8172	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜150°C （TJ	表面マウント	directfet™mt			モスフェット（金属酸化物）				DirectFet™MT	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	4,800			nチャネル			30 V	27a	4.5V 、7V	3.3mohm @ 25a 、10V	2V @ 250µA	75 NC @ 4.5 v	±12V	6930 PF @ 15 V	-	3.6W （TA ）、42W（TC）
IRGIB4640DPBF	-	RFQ	5094	Infineon Technologies	-	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3		標準		250 W			PGから220-3	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	SP001536328	ear99	8541.29.0095	50					400V 、24a 、10ohm15V																			89 ns						npt	600 V	65 a	72 a	1.9V @ 15V 、24a	115µj（on600µj （オフ）	75 NC	41ns/104ns
IRF6722MTRPBF	-	RFQ	2577	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	-40°C〜150°C （TJ	表面マウント	directfet™mp	IRF6722		モスフェット（金属酸化物）				DirectFet™MP	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	SP001523908	ear99	8541.29.0095	4,800			nチャネル			30 V	13a	4.5V 、10V	7.7mohm @ 13a 、10V	2.4V @ 50µA	17 NC @ 4.5 v	±20V	1300 PF @ 15 V	-	2.3w
BCR142WH6327XTSA1	0.0651	RFQ	3343	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	前回購入します		表面マウント	SC-70、SOT-323	BCR142			250 MW			PG-SOT323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	3,000																															50 v	100 Ma						100na（icbo）			npn-バイアス化	300MV @ 500µA 、10mA	70 @ 5MA 、5V	150 MHz	22 Kohms	47 KOHMS
BCW 66H E6327	-	RFQ	3433	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3	BCW 66			330 MW			PG-SOT23	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	3,000																															45 v	800 Ma						20na（icbo）			npn	450mv @ 50ma 、500ma	250 @ 100MA、1V	170MHz
IRFU3710Z	-	RFQ	4004	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	to-251-3			モスフェット（金属酸化物）				IPAK（TO-251AA）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	75			nチャネル			100 V	42a	10V	18mohm @ 33a 、10V	4V @ 250µA	100 NC @ 10 V	±20V	2930 PF @ 25 V	-	140W
IPA052N08NM5SXKSA1	2.2600	RFQ	490	Infineon Technologies	Optimos™5	チューブ	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3フルパック	IPA052		モスフェット（金属酸化物）				PG-to220フルパック	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500			nチャネル			80 v	64a（tc）	6V 、10V	5.2mohm @ 32a 、10V	3.8V @ 65µA	56 NC @ 10 V	±20V	3800 PF @ 40 V	-	38W
TT120N16SOFHPSA1	38.0400	RFQ	50	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	-40°C〜130°C	表面マウント	モジュール	TT120N16				シリーズ接続 -すべてのscr			ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	12				250 Ma												1.6 kV	190 a	2.5 v	-	100 Ma	119 a								2 SCRS
TT104N14KOFHPSA2	121.4887	RFQ	2798	Infineon Technologies	TT	トレイ	アクティブ	140°C （TJ）	シャーシマウント	モジュール					一般的なアノード -すべてのscr			ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.30.0080	15				200 ma												1.4 kV	160 a	1.4 v	2050A @ 50Hz	120 Ma	102 a								2 SCRS
T201N65TM01XPSA1	-	RFQ	8302	Infineon Technologies	-	バルク	廃止	125°C （TJ）	クランプオン	TO-200AB					シングル			-			影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	1				350 Ma												6.5 kv	385 a	2.5 v	4700A @ 50Hz	350 Ma	340 a								1 SCR
FF600R12ME4AB11BOSA1	391.1600	RFQ	5	Infineon Technologies	econodual™3	バルク	sicで中止されました	-40°C〜150°C	シャーシマウント	モジュール	FF600R12			3350 w		標準	モジュール	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	6	2独立																													トレンチフィールドストップ	1200 v			2.1V @ 15V 、600A				3 Ma	はい	37 nf @ 25 v
BCR192WH6327XTSA1	0.0553	RFQ	8864	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	前回購入します		表面マウント	SC-70、SOT-323	BCR192			250 MW			PG-SOT323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	3,000																															50 v	100 Ma						100na（icbo）			pnp-前バイアス	300MV @ 500µA 、10mA	70 @ 5MA 、5V	200 MHz	22 Kohms	47 KOHMS
TT170N12KOFHPSA1	-	RFQ	9175	Infineon Technologies	-	バルク	廃止	-40°C〜125°C	シャーシマウント	モジュール	TT170N				シリーズ接続 -すべてのscr			ダウンロード		適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	3				300 Ma												1.2 kv	350 a	2 v	5200A @ 50Hz	200 ma	223 a								2 SCRS
IRFIZ34NPBF	1.8300	RFQ	1	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	新しいデザインではありません	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3フルパック	IRFIZ34		モスフェット（金属酸化物）				TO-220AB FULL-PAK	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50			nチャネル			55 v	21a（tc）	10V	40mohm @ 11a 、10V	4V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±20V	700 PF @ 25 V	-	37W （TC）
IDL08G65C 5XUMA2	4.3300	RFQ	21	Infineon Technologies	coolsic™+	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		表面マウント	4-PowertSfn	IDL08G65		sic （炭化シリコン）ショットキー				PG-VSON-4	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		回復時間なし> 500ma																				650 V	1.7 V @ 8 a	0 ns	140 µA @ 650 v	-55°C〜150°C	8a	250pf @ 1V、1MHz
IRLR3802PBF	-	RFQ	4258	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	sicで中止されました	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3			モスフェット（金属酸化物）				d-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	75			nチャネル			12 v	84a（tc）	2.8V 、4.5V	8.5mohm @ 15a 、4.5V	1.9V @ 250µA	41 NC @ 5 V	±12V	2490 PF @ 6 V	-	88W
IPZ60R099C7XKSA1	7.7400	RFQ	9457	Infineon Technologies	coolmos™c7	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-4	IPZ60R099		モスフェット（金属酸化物）				PG-to247-4	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	240			nチャネル			600 V	22a（tc）	10V	99mohm @ 9.7a 、10V	4V @ 490µA	42 NC @ 10 V	±20V	1819 pf @ 400 v	-	110W
IPI50R140CPXKSA1	-	RFQ	2160	Infineon Technologies	Optimos®	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads	IPI50R		モスフェット（金属酸化物）				PG-to262-3-1	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500			nチャネル			500 V	23a（tc）	10V	140mohm @ 14a 、10V	3.5V @ 930µA	64 NC @ 10 V	±20V	2540 PF @ 100 V	-	192W
BCP51H6327XTSA1	-	RFQ	3305	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	150°C （TJ）	表面マウント	TO-261-4、TO-261AA	BCP51			2 W			PG-SOT223-4-10	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0075	1,000																															45 v	1 a						100na（icbo）			PNP	500MV @ 50MA 、500MA	40 @ 150ma 、2V	125MHz
IPLK80R2K0P7ATMA1	1.3000	RFQ	8657	Infineon Technologies	coolmos™p7	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	表面マウント	8-powertdfn	IPLK80		モスフェット（金属酸化物）				PG-TDSON-8	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	5,000			-			800 V	-	-	-	-		±20V		-	-
BCR148WH6327	-	RFQ	5417	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		表面マウント	SC-70、SOT-323	BCR148			250 MW			PG-SOT323-3-1	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.21.0075	3,000																															50 v	100 Ma						100na（icbo）			npn-バイアス化	300MV @ 500µA 、10mA	70 @ 5MA 、5V	100 MHz	47 KOHMS	47 KOHMS
SGB15N120ATMA1	4.1344	RFQ	9747	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-263-3	SGB15N	標準		198 w			PG-to263-3-2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000					800V、15a、33ohm																									npt	1200 v	30 a	52 a	3.6V @ 15V、15a	1.9mj	130 NC	18ns/580ns
SI4435DYPBF	-	RFQ	2960	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	sicで中止されました	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）			モスフェット（金属酸化物）				8-SO	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP001569846	ear99	8541.29.0095	95			pチャネル			30 V	8a（tc）	4.5V 、10V	20mohm @ 8a 、10V	1V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	2320 pf @ 15 v	-	2.5W
FZ2400R12HP4B9HOSA2	1.0000	RFQ	1572	Infineon Technologies	IHM-B	トレイ	アクティブ	-40°C〜150°C	シャーシマウント	モジュール	FZ2400			13500 w		標準	モジュール	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	シングルスイッチ																													溝	1200 v	3550 a		2.05V @ 15V、2400A				5 Ma	いいえ	150 nf @ 25 V
D721S35TXPSA1	-	RFQ	4080	Infineon Technologies	-	バルク	廃止		シャーシマウント	DO-200AC 、K-PUK	D721S35		標準				DO-200AC 、K-PUK	ダウンロード		適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns																				3500 v	3.5 V @ 2500 a		140 mA @ 3500 v	125°C	1080a	-
IRF8301MTRPBF	2.6900	RFQ	1	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜150°C （TJ	表面マウント	directfet™mt	IRF8301		モスフェット（金属酸化物）				DirectFet™MT	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	4,800			nチャネル			30 V	34a（タタ）、192a（tc）	4.5V 、10V	1.5mohm @ 32a 、10V	2.35V @ 150µA	77 NC @ 4.5 v	±20V	6140 PF @ 15 V	-	2.8W （TA ）、89W（TC）
auirfsl8405	-	RFQ	4904	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads			モスフェット（金属酸化物）				TO-262	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル			40 v	120a（tc）	10V	2.3mohm @ 100a 、10V	3.9V @ 100µA	161 NC @ 10 V	±20V	5193 PF @ 25 V	-	163W
IRFR3410TRLPBF	1.4600	RFQ	1	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3	IRFR3410		モスフェット（金属酸化物）				d-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	3,000			nチャネル			100 V	31a（tc）	10V	39mohm @ 18a 、10v	4V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±20V	1690 PF @ 25 V	-	3W （TA ）、110W（TC）
IPW60R170CFD7XKSA1	4.9200	RFQ	9794	Infineon Technologies	coolmos™cfd7	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3	IPW60R170		モスフェット（金属酸化物）				PG-to247-3-21	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	30			nチャネル			650 V	14a（tc）	10V	170mohm @ 6a 、10V	4.5V @ 300µA	28 NC @ 10 V	±20V	1199 PF @ 400 v	-	75W
IPP80N06S2LH5AKSA1	-	RFQ	1868年年	Infineon Technologies	Optimos™	チューブ	sicで中止されました	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3	IPP80N		モスフェット（金属酸化物）				PG-to220-3-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500			nチャネル			55 v	80a（tc）	4.5V 、10V	5mohm @ 80a 、10V	2V @ 250µA	190 NC @ 10 V	±20V	5000 PF @ 25 V	-	300W （TC）

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²