SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 電圧 -定格 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ 頻度 テクノロジー パワー -マックス 入力 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ 現在の評価( amp) テスト条件 現在 -テスト 電力 -出力 電源( VDSS )への排水 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C ドライブ電圧(最大rds onmin rds on rds on max) @ id vgs vgs ゲートチャージ( QG VGS (最大) ciss )( max @ vds フェット機能 電力散逸(最大) ノイズ図 ダイオード構成 電圧-DC リバース( VR )(最大) 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) 電圧 -フォワード( vf )( max @ if 逆回復時間( trr) 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正( io) 容量 @ vr、f IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) 現在 -コレクター(IC )(最大) 現在 -コレクターパルス( icm) vce(on max) @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD (オン/オフ) @ 25°C 電圧 -テスト ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース(最大) 現在 -コレクターカットオフ(最大) NTCサーミスタ 入力容量( cies @ vce トランジスタタイプ vce 飽和(max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース(r1) 抵抗 -エミッターベース(r2) 静電容量比 静電容量比条件 Q @ vr、f
FZ1200R12KF5NDSA1 Infineon Technologies FZ1200R12KF5NDSA1 -
RFQ
ECAD 5038 0.00000000 Infineon Technologies * トレイ 廃止 ダウンロード 1 (無制限) 影響を受けていない SP000551100 ear99 8541.29.0095 1
IRFR18N15DTRLP-INF Infineon Technologies IRFR18N15DTRLP-INF -
RFQ
ECAD 9284 0.00000000 Infineon Technologies hexfet® バルク アクティブ 表面マウント to-252-3 モスフェット(金属酸化物) d-pak ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けた ear99 0000.00.0000 3,000 nチャネル 150 v 18a(tc) 125mohm @ 11a 、10V 5.5V @ 250µA 43 NC @ 10 V 900 pf @ 25 V -
BSP295E6327T Infineon Technologies BSP295E6327T -
RFQ
ECAD 8423 0.00000000 Infineon Technologies SIPMOS® テープ&リール( tr) 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント TO-261-4、TO-261AA モスフェット(金属酸化物) PG-SOT223-4 ダウンロード 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 60 V 1.8a(ta) 4.5V 、10V 300mohm @ 1.8a 、10V 1.8V @ 400µA 17 NC @ 10 V ±20V 368 PF @ 25 V - 1.8W
IPD50N03S2L06ATMA1 Infineon Technologies IPD50N03S2L06ATMA1 2.6300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies Automotive 、AEC-Q101、Optimos™ テープ&リール( tr) アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 IPD50 モスフェット(金属酸化物) PG-to252-3-11 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 30 V 50a(tc) 4.5V 、10V 6.4mohm @ 50a 、10v 2V @ 85µA 68 NC @ 10 V ±20V 1900 pf @ 25 v - 136W
BAS70-04B5000 Infineon Technologies BAS70-04B5000 0.0300
RFQ
ECAD 99 0.00000000 Infineon Technologies aec-q101 バルク アクティブ 表面マウント TO-236-3 BAS70 ショットキー PG-SOT23-3-3 ダウンロード 適用できない 1 (無制限) 未定義のベンダー ear99 8541.10.0070 10,000 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 1ペアシリーズ接続 70 v 70ma 1 V @ 15 mA 100 Na @ 50 V 150°C
IPD90N06S4L05ATMA1 Infineon Technologies IPD90N06S4L05ATMA1 -
RFQ
ECAD 2069 0.00000000 Infineon Technologies Optimos™ テープ&リール( tr) sicで中止されました -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 IPD90 モスフェット(金属酸化物) PG-to252-3-11 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 60 V 90a 4.5V 、10V 4.6mohm @ 90a 、10V 2.2V @ 60µA 110 NC @ 10 V ±16V 8180 PF @ 25 V - 107W (TC)
BB659CH7912XTSA1 Infineon Technologies BB659CH7912XTSA1 -
RFQ
ECAD 2633 0.00000000 Infineon Technologies - テープ&リール( tr) 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント SC-80 BB659 SCD-80 ダウンロード 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 8,000 2.75pf @ 28V、1MHz シングル 30 V 15.3 C1/C28 -
DF600R12N2E4PB11BPSA1 Infineon Technologies DF600R12N2E4PB11BPSA1 203.2280
RFQ
ECAD 5851 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ アクティブ - - - DF600 - - - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない 0000.00.0000 10 - - -
FP25R12W1T7B11BPSA1 Infineon Technologies FP25R12W1T7B11BPSA1 59.9800
RFQ
ECAD 30 0.00000000 Infineon Technologies Easypim™ トレイ アクティブ -40°C〜175°C シャーシマウント モジュール FP25R12 20 MW 三相ブリッジ整流器 ag-easy1b-2 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 24 三相インバーター トレンチフィールドストップ 1200 v 25 a 1.6V @ 15V 5.6 µA はい 4.77 NF @ 25 V
FF8MR12W1M1HB11BPSA1 Infineon Technologies FF8MR12W1M1HB11BPSA1 217.5600
RFQ
ECAD 24 0.00000000 Infineon Technologies coolsic™ トレイ アクティブ - シャーシマウント モジュール FF8MR12 モスフェット(金属酸化物) - ag-easy1b - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 24 - 1200V(1.2kv) - - - - - -
IRL3714ZSTRLPBF Infineon Technologies IRL3714ZSTRLPBF -
RFQ
ECAD 8093 0.00000000 Infineon Technologies hexfet® テープ&リール( tr) 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット(金属酸化物) d2pak ダウンロード 1 (無制限) 影響を受けていない SP001557964 ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 20 v 36a(tc) 4.5V 、10V 16mohm @ 15a 、10V 2.55V @ 250µA 7.2 NC @ 4.5 v ±20V 550 PF @ 10 V - 35W (TC)
IPDQ65R029CFD7XTMA1 Infineon Technologies IPDQ65R029CFD7XTMA1 13.4600
RFQ
ECAD 4420 0.00000000 Infineon Technologies coolmos™ テープ&リール( tr) アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 22-Powerbsopモジュール IPDQ65 モスフェット(金属酸化物) PG-HDSOP-22-1 - ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 750 nチャネル 650 V 85a(tc) 10V 29mohm @ 35.8a 、10V 4.5V @ 1.79ma 139 NC @ 10 V ±20V 7149 PF @ 400 v - 463W (TC)
BBY58-02W E6327 Infineon Technologies BBY58-02W E6327 -
RFQ
ECAD 8025 0.00000000 Infineon Technologies - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント SC-80 PG-SCD80-2 ダウンロード 適用できない 1 (無制限) 未定義のベンダー ear99 8541.10.0070 43 5.5pf @ 6V、1MHz シングル 10 v 1.3 C4/C6 -
IDT06S60C Infineon Technologies IDT06S6​​ 0C -
RFQ
ECAD 2374 0.00000000 Infineon Technologies thinq!™ バルク アクティブ 穴を通して TO-220-2 sic (炭化シリコン)ショットキー PG-to220-2-2 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1 回復時間なし> 500ma 600 V 1.7 V @ 6 a 0 ns 80 µA @ 600 V -55°C〜175°C 6a (DC) 280pf @ 1V、1MHz
BCR 162T E6327 Infineon Technologies BCR 162T E6327 -
RFQ
ECAD 8568 0.00000000 Infineon Technologies - テープ&リール( tr) sicで中止されました 表面マウント SC-75、SOT-416 BCR 162 250 MW PG-SC-75 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 100na(icbo) pnp-前バイアス 300MV @ 500µA 、10mA 20 @ 5MA 、5V 200 MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
IMZA65R039M1HXKSA1 Infineon Technologies IMZA65R039M1HXKSA1 18.0600
RFQ
ECAD 202 0.00000000 Infineon Technologies coolsic™ チューブ アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-247-4 sicfet (炭化シリコン) PG-to247-4-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 650 V 50a(tc) 18V 50mohm @ 25a、18V 5.7V @ 7.5ma 41 NC @ 18 V +20V、 -2V 1393 PF @ 400 v - 176W
FP50R07N2E4B11BOSA1 Infineon Technologies FP50R07N2E4B11BOSA1 -
RFQ
ECAD 7095 0.00000000 Infineon Technologies econopim™2 バルク sicで中止されました -40°C〜150°C シャーシマウント モジュール FP50R07 標準 モジュール ダウンロード 適用できない 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 10 三相インバーター トレンチフィールドストップ 650 V 70 a 1.95V @ 15V 、50a 1 Ma はい 3.1 nf @ 25 v
IPU05N03LA G Infineon Technologies IPU05N03LA g -
RFQ
ECAD 7725 0.00000000 Infineon Technologies Optimos™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して to-251-3 IPU05N モスフェット(金属酸化物) P-to251-3-1 ダウンロード 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1,500 nチャネル 25 v 50a(tc) 4.5V 、10V 5.3mohm @ 30a 、10V 2V @ 50µA 25 NC @ 5 V ±20V 3110 PF @ 15 V - 94W
IRG7PH44K10D-EPBF Infineon Technologies IRG7PH44K10D-EPBF -
RFQ
ECAD 2523 0.00000000 Infineon Technologies - チューブ 廃止 -40°C〜150°C (TJ 穴を通して TO-247-3 IRG7PH 標準 320 W TO-247AD ダウンロード 1 (無制限) 影響を受けていない SP001536192 ear99 8541.29.0095 25 600V 、25a 、10ohm15V 130 ns - 1200 v 70 a 100 a 2.4V @ 15V 、25a 2.1MJ (オン)、1.3MJ (オフ) 200 NC 75ns/315ns
BAT64-04B5000 Infineon Technologies BAT64-04B5000 0.0300
RFQ
ECAD 97 0.00000000 Infineon Technologies aec-q101 バルク アクティブ 表面マウント TO-236-3 BAT64 ショットキー PG-SOT23-3-3 ダウンロード 適用できない 1 (無制限) 未定義のベンダー ear99 8541.10.0070 10,000 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 1ペアシリーズ接続 40 v 120ma 750 mv @ 100 Ma 5 ns 2 µA @ 30 V 150°C
FP150R12N3T7B80BPSA1 Infineon Technologies FP150R12N3T7B80BPSA1 444.3600
RFQ
ECAD 7487 0.00000000 Infineon Technologies TrenchStop™ トレイ アクティブ -40°C〜175°C シャーシマウント モジュール 20 MW 三相ブリッジ整流器 ag-econo3b - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 10 三相インバーター トレンチフィールドストップ 1200 v 150 a 1.55V @ 15V 、150a 12 µA はい 30.1 nf @ 25 v
IPLK60R1K5PFD7ATMA1 Infineon Technologies IPLK60R1K5PFD7ATMA1 1.2200
RFQ
ECAD 92 0.00000000 Infineon Technologies coolmos™pfd7 テープ&リール( tr) アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-powertdfn IPLK60 モスフェット(金属酸化物) PG-TDSON-8-52 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 600 V 3.8a(tc) 10V 1.5OHM @ 700MA 、10V 4.5V @ 40µA 4.6 NC @ 10 V ±20V 169 pf @ 400 v - 25W (TC)
PTAB182002TCV2R250XTMA1 Infineon Technologies PTAB182002TCV2R250XTAM1 -
RFQ
ECAD 7801 0.00000000 Infineon Technologies - テープ&リール( tr) 廃止 65 v 表面マウント H-49248H-4 1.805GHz1.88GHz ldmos H-49248H-4 ダウンロード 1 (無制限) 影響を受けていない SP001483354 ear99 8541.29.0075 250 10µA 520 Ma 29W 14.8db - 28 v
IRFI4024H-117P Infineon Technologies IRFI4024H-117P -
RFQ
ECAD 7629 0.00000000 Infineon Technologies - チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-5フルパック IRFI4024 モスフェット(金属酸化物) 14W TO-220-5フルパック ダウンロード 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 50 2 nチャンネル(デュアル) 55V 11a 60mohm @ 7.7a​​ 、10V 4V @ 25µA 13NC @ 10V 320pf @ 50V -
IPA086N10N3GXKSA1 Infineon Technologies IPA086N10N3GXKSA1 1.9100
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Infineon Technologies Optimos™ チューブ アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3フルパック IPA086 モスフェット(金属酸化物) PG〜220-FP ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 100 V 45a(tc) 6V 、10V 8.6mohm @ 45a 、10V 3.5V @ 75µA 55 NC @ 10 V ±20V 3980 PF @ 50 V - 37.5W
SPP80P06PHXKSA1 Infineon Technologies spp80p06phxksa1 5.9100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Infineon Technologies SIPMOS® チューブ アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 spp80p06 モスフェット(金属酸化物) PG-to220-3-1 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 50 pチャネル 60 V 80a(tc) 10V 23mohm @ 64a 、10V 4V @ 5.5MA 173 NC @ 10 V ±20V 5033 PF @ 25 V - 340W
IRG4PC40F Infineon Technologies IRG4PC40F -
RFQ
ECAD 5124 0.00000000 Infineon Technologies - バッグ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-247-3 IRG4PC40 標準 160 W TO-247AC ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない *IRG4PC40F ear99 8541.29.0095 25 480v - 600 V 49 a 200 a 1.7V @ 15V 、27a 370µj(1.81mj (オフ) 100 NC 26ns/240ns
IRFP4110PBF Infineon Technologies IRFP4110PBF 4.9200
RFQ
ECAD 3200 0.00000000 Infineon Technologies hexfet® チューブ アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-247-3 IRFP4110 モスフェット(金属酸化物) TO-247AC ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 25 nチャネル 100 V 120a(tc) 10V 4.5mohm @ 75a 、10V 4V @ 250µA 210 NC @ 10 V ±20V 9620 PF @ 50 V - 370W (TC)
IRGBF20F Infineon Technologies IRGBF20F -
RFQ
ECAD 3387 0.00000000 Infineon Technologies - チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 標準 60 W TO-220AB ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 50 - 900 V 9 a 4.3V @ 15V 、5.3a
PTFA212001FV4XWSA1 Infineon Technologies PTFA212001FV4XWSA1 -
RFQ
ECAD 4527 0.00000000 Infineon Technologies - テープ&リール( tr) 廃止 65 v 表面マウント 2 フラットパック、フィンのリード、フランジ PTFA212001 2.14GHz ldmos H-37260-2 ダウンロード 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 40 10µA 1.6 a 50W 15.8dB - 30 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫