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離散半導体製品（16626）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	構造	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	現在-hold（ihmax）	テスト条件	得	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	電圧 -状態外	現在 -state（it （rms	電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大）	現在 -非担当者サージ50、60Hz	現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大）	現在 -State	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	scr の数、ダイオード	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
gatelead1110008xpsa1	29.6100	RFQ	5470	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ		-	-	gatelead1110008		-				-	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない			0000.00.0000	1		-																									-	-	-
IRFHM8235TRPBF	-	RFQ	8216	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	8-powertdfn			モスフェット（金属酸化物）				8-PQFN（3.3x3.3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	4,000			nチャネル				25 v	16a（ta）	4.5V 、10V	7.7mohm @ 20a 、10V	2.35V @ 25µA	12 NC @ 4.5 v	±20V	1040 PF @ 10 V	-	3W （TA ）、30W（TC）
IRF3205ZS	-	RFQ	3106	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）				d2pak	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	*IRF3205ZS	ear99	8541.29.0095	50			nチャネル				55 v	75a（tc）	10V	6.5mohm @ 66a 、10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	3450 PF @ 25 V	-	170W
IPI50N10S3L16AKSA1	1.6594	RFQ	8995	Infineon Technologies	Optimos™	チューブ	新しいデザインではありません	-55°C〜175°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads	IPI50N10		モスフェット（金属酸化物）				PG-to262-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500			nチャネル				100 V	50a（tc）	4.5V 、10V	15.7mohm @ 50a 、10V	2.4V @ 60µA	64 NC @ 10 V	±20V	4180 PF @ 25 V	-	100W （TC）
auirlz44zstrl	-	RFQ	5415	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜175°C	表面マウント	-			-				-	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	SP001520372	ear99	8541.29.0095	800			-					51a（tc）	4.5V 、10V	-	-		±16V		-	-
IPD04N03LA g	-	RFQ	2370	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3	IPD04N		モスフェット（金属酸化物）				PG-to252-3-11	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,500			nチャネル				25 v	50a（tc）	4.5V 、10V	3.8mohm @ 50a 、10V	2V @ 80µA	41 NC @ 5 V	±20V	5199 PF @ 15 V	-	115W
FP25R12KE3BPSA1	106.2200	RFQ	1	Infineon Technologies	econopim™2	トレイ	アクティブ	-40°C〜125°C	シャーシマウント	モジュール	FP25R12			155 W		三相ブリッジ整流器	Ag-econo2-8	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	15	三相インバーター																														トレンチフィールドストップ	1200 v	40 a		2.15V @ 15V 、25a				1 Ma	はい	1.8 nf @ 25 v
TD590N18KOFXPSA1	275.4700	RFQ	2	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ				TD590							-		1 （無制限）			ear99	8541.30.0080	2
IPP80R450P7XKSA1	2.6000	RFQ	1	Infineon Technologies	coolmos™	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3	IPP80R450		モスフェット（金属酸化物）				PGから220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50			nチャネル				800 V	11a（tc）	10V	450mohm @ 4.5a 、10V	3.5V @ 220µA	24 NC @ 10 V	±20V	770 pf @ 500 v	-	73W
IRFR3711ZTRPBF	1.2800	RFQ	6	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	新しいデザインではありません	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3	IRFR3711		モスフェット（金属酸化物）				d-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,000			nチャネル				20 v	93a（tc）	4.5V 、10V	5.7mohm @ 15a 、10V	2.45V @ 250µA	27 NC @ 4.5 v	±20V	2160 PF @ 10 V	-	79W
BFN27E6327HTSA1	0.0812	RFQ	2327	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3	BFN27			360 MW			PG-SOT23	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	3,000																																300 V	200 ma						100na（icbo）			PNP	500MV @ 2MA 、20MA	30 @ 30ma 、10V	100MHz
IRF7207PBF	-	RFQ	6628	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）			モスフェット（金属酸化物）				8-SO	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	SP001574752	ear99	8541.29.0095	95			pチャネル				20 v	5.4a（tc）	2.7V 、4.5V	60mohm @ 5.4a 、4.5V	700MV @ 250µA （最小）	22 NC @ 4.5 v	±12V	780 PF @ 15 V	-	2.5W
IRF7316TRPBF	1.2500	RFQ	46	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	IRF731		モスフェット（金属酸化物）	2W			8-SO	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	4,000	2 P-Channel （デュアル）						30V	4.9a		58mohm @ 4.9a 、10V	1V @ 250µA	34NC @ 10V		710pf @ 25V	ロジックレベルゲート
BSS308PEH6327XTSA1	0.4800	RFQ	1089	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BSS308		モスフェット（金属酸化物）				PG-SOT23	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	3,000			pチャネル				30 V	2a（ta）	4.5V 、10V	80mohm @ 2a 、10V	2V @ 11µA	5 NC @ 10 V	±20V	500 PF @ 15 V	-	500MW
D2450N02TXPSA1	244.1244	RFQ	2903	Infineon Technologies	-	トレイ	前回購入します		クランプオン	do-200ab、b-puk	D2450N02		標準				-	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	9		標準回復> 500ns																					200 v	880 mV @ 2000 a		50 mA @ 200 v	-40°C〜180°C	2450A	-
ISC012N04NM6ATMA1	2.4600	RFQ	44	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	8-powertdfn	ISC012N		モスフェット（金属酸化物）				PG-TDSON-8 FL	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	5,000			nチャネル				40 v	36a（タタ232a（tc）	6V 、10V	1.2mohm @ 50a 、10V	2.8V @ 747µA	64 NC @ 10 V	±20V	4600 PF @ 20 V	-	3W （TA ）、125W（TC
D405N26EXPSA1	-	RFQ	9483	Infineon Technologies	-	バルク	廃止				D405N26							-		適用できない	影響を受けていない		廃止	0000.00.0000	1
IKZA100N65EH7XKSA1	10.8000	RFQ	240	Infineon Technologies	-	チューブ	アクティブ											ダウンロード		適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	240
BFR193WE6327	-	RFQ	7979	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	150°C （TJ）	表面マウント	SC-70、SOT-323				580MW			SOT-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	3,000						10.5db〜16db																										12V	80ma									npn		70 @ 30MA 、8V	8GHz	1DB〜1.6DB @ 900MHz〜1.8GHz
IRF4104PBF	2.0900	RFQ	998	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3	IRF4104		モスフェット（金属酸化物）				TO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	100			nチャネル				40 v	75a（tc）	10V	5.5mohm @ 75a 、10V	4V @ 250µA	100 NC @ 10 V	±20V	3000 pf @ 25 v	-	140W
SPB03N60S5	0.4500	RFQ	1	Infineon Technologies	coolmos™	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）				PG-to263-3-2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル				600 V	3.2a	10V	1.4OHM @ 2A 、10V	5.5V @ 135µA	16 NC @ 10 V	±20V	420 PF @ 25 V	-	38W
D450S20TXPSA1	-	RFQ	8987	Infineon Technologies	-	バルク	廃止		シャーシマウント	do-200aa、a-puk	D450S		標準				-	ダウンロード		適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns																					2000 v	2.25 V @ 1200 a	6.2 µs	10 mA @ 2000 v	-25°C〜180°C	443a	-
TT60N16SOFHPSA1	35.4000	RFQ	4	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜125°C	シャーシマウント	モジュール	TT60N16				シリーズ接続 -すべてのscr			ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	12				250 Ma													1.6 kV	90 a	2.5 v	1500A @ 50Hz	100 Ma	55 a								2 SCRS
BSL307SPH6327XTSA1	0.7700	RFQ	2231	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-74、SOT-457	BSL307		モスフェット（金属酸化物）				PG-TSOP-6-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	3,000			pチャネル				30 V	5.5a（ta）	4.5V 、10V	43mohm @ 5.5a 、10V	2V @ 40µA	29 NC @ 10 V	±20V	805 PF @ 25 V	-	2W （TA）
IRG4BC30K-STRLP	-	RFQ	2724	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-263-3	IRG4BC30	標準		100 W			d2pak	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	800					480v																										-	600 V	28 a	56 a	2.7V @ 15V 、16a	360µj（オン）、510µj（オフ）	67 NC	26ns/130ns
TD92N16KOFHPSA2	120.4060	RFQ	5754	Infineon Technologies	TD	トレイ	アクティブ	140°C （TJ）	シャーシマウント	モジュール					-scr/ダイオード			-	ROHS3準拠			448-TD92N16KOFHPSA2	ear99	8541.30.0080	15				200 ma													1.6 kV	160 a	1.4 v	2050A @ 50Hz	120 Ma	102 a								1 scr、1ダイオード
BB639E7908	-	RFQ	1104	Infineon Technologies	*	カットテープ（CT）	廃止				BB639							ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000
IRF7314PBF	-	RFQ	9426	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	sicで中止されました	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	IRF731		モスフェット（金属酸化物）	2W			8-SO	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	95	2 P-Channel （デュアル）						20V	5.3a		58mohm @ 2.9a 、4.5V	700MV @ 250µA	29NC @ 4.5V		780pf @ 15V	ロジックレベルゲート
IPL60R065P7AUMA1	8.6900	RFQ	1	Infineon Technologies	coolmos™p7	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	表面マウント	4-PowertSfn	IPL60R065		モスフェット（金属酸化物）				PG-VSON-4	ダウンロード	ROHS3準拠	2a （4 週間）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	3,000			nチャネル				600 V	41a（tc）	10V	65mohm @ 15.9a 、10V	4V @ 800µA	67 NC @ 10 V	±20V	2895 PF @ 400 v	-	201W （TC）
T1901N70TS07XPSA1	-	RFQ	6410	Infineon Technologies	-	トレイ	廃止	125°C （TJ）	シャーシマウント	TO-200AF	T1901N				シングル			ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	SP000091244	ear99	8541.30.0080	1				350 Ma													7 kV	3300 a	2.5 v	67000A @ 50Hz	350 Ma	2930 a								1 SCR

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²