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離散半導体製品（16626）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	構造	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	現在-hold（ihmax）	テスト条件	得	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	電圧 -状態外	現在 -state（it （rms	電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大）	現在 -非担当者サージ50、60Hz	現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大）	現在 -State	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	scr の数、ダイオード	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	抵抗 -ベース（r1）	抵抗 -エミッターベース（r2）	ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
T2563N80TOHXPSA1	11.0000	RFQ	8790	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜120°C	シャーシマウント	DO-200AE	T2563N80				シングル			ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	1				100 Ma														3600 a		93000A @ 50Hz		3330 a								1 SCR
MA13034801NDSA1	-	RFQ	3299	Infineon Technologies	-	バルク	廃止											-			影響を受けていない	448-MA13034801NDSA1	ear99	8541.29.0095	1
IDH08S120AKSA1	-	RFQ	5436	Infineon Technologies	coolsic™+	チューブ	廃止		穴を通して	TO-220-2	IDH08S		sic （炭化シリコン）ショットキー				PG-to220-2-2	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	500		回復時間なし> 500ma																					1200 v	1.8 V @ 7.5 a	0 ns	180 µA @ 1200 v	-55°C〜175°C	7.5a	380pf @ 1V、1MHz
IPB03N03LAG	1.0100	RFQ	1	Infineon Technologies	Optimos™	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）				PG-to263-3-2	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1			nチャネル				25 v	80a（tc）	4.5V 、10V	2.7mohm @ 55a 、10V	2V @ 100µA	57 NC @ 5 V	±20V	7027 PF @ 15 V	-	150W
IRGI4059DPBF	-	RFQ	2659	Infineon Technologies	-	チューブ	廃止	-	穴を通して	TO-220-3		標準					TO-220AB	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50					-																										-				-	-		-
IRFU3704PBF	-	RFQ	9456	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	to-251-3			モスフェット（金属酸化物）				IPAK（TO-251AA）	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	75			nチャネル				20 v	75a（tc）	10V	9.5mohm @ 15a 、10V	3V @ 250µA	19 NC @ 4.5 v	±20V	1996 PF @ 10 V	-	90W
BSS119 E7796	-	RFQ	9267	Infineon Technologies	SIPMOS®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3			モスフェット（金属酸化物）				PG-SOT23	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	10,000			nチャネル				100 V	170ma（ta）	4.5V 、10V	6ohm @ 170ma 、10V	2.3V @ 50µA	2.5 NC @ 10 V	±20V	78 PF @ 25 V	-	360MW
spp15p10p	-	RFQ	2265	Infineon Technologies	SIPMOS®	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3	spp15p		モスフェット（金属酸化物）				PGから220-3	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500			pチャネル				100 V	15a（tc）	10V	240mohm @ 10.6a 、10V	2.1V @ 1.54MA	50 NC @ 10 V	±20V	1180 PF @ 25 V	-	128W （TC）
auirf7304q	-	RFQ	3145	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	auirf7304		モスフェット（金属酸化物）	2W			8-SOIC	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	SP001519450	ear99	8541.29.0095	95	2 P-Channel （デュアル）						20V	4.3a		90mohm @ 2.2a 、4.5V	1.5V @ 250µA	22NC @ 4.5V		610pf @ 15V	ロジックレベルゲート
IPA100N08N3GXKSA1	-	RFQ	8307	Infineon Technologies	Optimos™	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3フルパック			モスフェット（金属酸化物）				PG〜220-FP	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500			nチャネル				80 v	40a（tc）	6V 、10V	10mohm @ 40a、10V	3.5V @ 46µA	35 NC @ 10 V	±20V	2410 pf @ 40 v	-	35W （TC）
IKA08N65H5	1.0000	RFQ	8192	Infineon Technologies	TrenchStop™	バルク	アクティブ	-40°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3フルパック		標準		31.2 w			PG-to220-3-111	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1					400V 、4a 、48ohm、15V																				40 ns						トレンチフィールドストップ	650 V	10.8 a	24 a	2.1V @ 15V 、8a	70µj（オン）、30µj （オフ）	22 NC	11ns/115ns
BFR380L3E6327XTMA1	0.5400	RFQ	3975	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	150°C （TJ）	表面マウント	SC-101 、SOT-883	BFR380			380MW			PG-TSLP-3-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	15,000						7.5db〜16.5db																										9V	80ma									npn		90 @ 40ma、3V	14GHz			0.5db〜2.1DB @ 1.8GHz
IRFB3077PBF	4.7500	RFQ	4	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3	IRFB3077		モスフェット（金属酸化物）				TO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50			nチャネル				75 v	120a（tc）	10V	3.3mohm @ 75a 、10V	4V @ 250µA	220 NC @ 10 V	±20V	9400 PF @ 50 V	-	370W （TC）
IRLHS6276TRPBF	0.7100	RFQ	6	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	6-VQFN	IRLHS6276		モスフェット（金属酸化物）	1.5W			6-PQFN （2x2）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	4,000	2 nチャンネル（デュアル）						20V	4.5a		45mohm @ 3.4a 、4.5V	1.1V @ 10µA	3.1NC @ 4.5V		310pf @ 10V	ロジックレベルゲート
T1590N22TOFVTXPSA1	-	RFQ	8438	Infineon Technologies	-	トレイ	廃止	-40°C〜125°C	シャーシマウント	do-200ad	T1590N				シングル			ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	1				300 Ma													2.8 kv	3200 a	3 v	32000A @ 50Hz	300 Ma	1590 a								1 SCR
IRF640NPBF	1.4900	RFQ	77	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	新しいデザインではありません	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3	IRF640		モスフェット（金属酸化物）				TO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50			nチャネル				200 v	18a（tc）	10V	150mohm @ 11a 、10V	4V @ 250µA	67 NC @ 10 V	±20V	1160 PF @ 25 V	-	150W
IPW65R029CFD7XKSA1	16.2400	RFQ	205	Infineon Technologies	coolmos™	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3	IPW65R029		モスフェット（金属酸化物）				PG-to247-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	30			nチャネル				650 V	69a		29mohm @ 35.8a 、10V	4.5V @ 1.79ma	145 NC @ 10 V	±20V	7149 PF @ 400 v	-	305W
IRLR3714TRLPBF	-	RFQ	8058	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3			モスフェット（金属酸化物）				d-pak	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	3,000			nチャネル				20 v	36a（tc）	4.5V 、10V	20mohm @ 18a 、10V	3V @ 250µA	9.7 NC @ 4.5 v	±20V	670 PF @ 10 V	-	47W （TC）
BC 807-25 E6327	-	RFQ	6839	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3	BC 807			330 MW			PG-SOT23	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	3,000																																45 v	500 Ma						100na（icbo）			PNP	700mv @ 50ma 、500ma	160 @ 100MA、1V	200MHz
IRD3CH31DB6	-	RFQ	4903	Infineon Technologies	-	バルク	廃止		表面マウント	死ぬ	IRD3CH31		標準				ウェーハ	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	SP001539694	ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns																					1200 v	2.7 V @ 50 a	240 ns	20 µA @ 1200 v	-40°C〜150°C	50a	-
BCR185SE6327BTSA1	-	RFQ	7078	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		表面マウント	6-VSSOP 、SC-88 、SOT-363	BCR185			250MW			pg-sot363-po	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	3,000																																50V	100mA						-			2 pnp- バイアス（デュアル）	300MV @ 500µA 、10mA	70 @ 5MA 、5V	200MHz	10kohms	47kohms
IRF6215STRRPBF	-	RFQ	8317	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）				d2pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	800			pチャネル				150 v	13a（tc）	10V	290mohm @ 6.6a 、10V	4V @ 250µA	66 NC @ 10 V	±20V	860 PF @ 25 V	-	3.8W （TA ）、110W（TC）
IPW65R110CFDFKSA2	7.7200	RFQ	9488	Infineon Technologies	coolmos™cfd2	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3	IPW65R110		モスフェット（金属酸化物）				PG-to247-3-41	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	30			nチャネル				650 V	31.2a	10V	110mohm @ 12.7a 、10V	4.5V @ 1.3MA	118 NC @ 10 V	±20V	3240 PF @ 100 V	-	277.8W
FD150R12RT4HOSA1	80.9600	RFQ	9785	Infineon Technologies	c	トレイ	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	モジュール	FD150R12			790 w		標準	モジュール	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	10	シングルチョッパー																														トレンチフィールドストップ	1200 v	150 a		2.15V @ 15V 、150A				1 Ma	いいえ	9.3 nf @ 25 v
IRF7478PBF	-	RFQ	1532	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	sicで中止されました	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）			モスフェット（金属酸化物）				8-SO	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	95			nチャネル				60 V	7a（ta）	4.5V 、10V	26mohm @ 4.2a 、10V	3V @ 250µA	31 NC @ 4.5 v	±20V	1740 PF @ 25 V	-	2.5W
BFS 17P E6433	-	RFQ	9369	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3	BFS 17			280MW			PG-SOT23	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	10,000						-																										15V	25ma									npn		40 @ 2ma、1V	1.4GHz			3.5db〜5db @ 800MHz
IRF7807ZTRPBF	0.8300	RFQ	12	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	新しいデザインではありません	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	IRF7807		モスフェット（金属酸化物）				8-SO	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	4,000			nチャネル				30 V	11a（ta）	4.5V 、10V	13.8mohm @ 11a 、10v	2.25V @ 250µA	11 NC @ 4.5 v	±20V	770 PF @ 15 V	-	2.5W
IPD50R399CP	-	RFQ	9458	Infineon Technologies	coolmos™cp	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	to-252-3	IPD50R		モスフェット（金属酸化物）				PG-to252-3-11	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	SP000234984	ear99	8541.29.0095	2,500			nチャネル				500 V	9a（tc）	10V	399mohm @ 4.9a 、10V	3.5V @ 330µA	23 NC @ 10 V	±20V	890 PF @ 100 V	-	83W
BCX 55-16 E6327	-	RFQ	6375	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	150°C （TJ）	表面マウント	TO-243AA	BCX 55			2 W			PG-SOT89	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0075	1,000																																60 V	1 a						100na（icbo）			npn	500MV @ 50MA 、500MA	100 @ 150ma 、2V	100MHz
IRFHM9391TRPBF	-	RFQ	7019	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	8-powertdfn			モスフェット（金属酸化物）				8-PQFN（3.3x3.3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	4,000			pチャネル				30 V	11a（ta）	4.5V 、10V	14.6mohm @ 11a 、10V	2.4V @ 25µA	16 NC @ 10 V	±25V	1543 PF @ 25 V	-	2.6W

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²