画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | 入力タイプ | テクノロジー | パワー -マックス | 構造 | 入力 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | フェットタイプ | 現在-hold(ihmax) | テスト条件 | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | 電圧 -状態外 | 現在 -state(it (rms | 電圧 -ゲートトリガー( vgt )(最大) | 現在 -非担当者サージ50、60Hz | 現在 -ゲートトリガー( Igt )(最大) | 現在 -State | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | scr の数、ダイオード | IGBTタイプ | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターパルス( icm) | vce(on max) @ vge | エネルギーの切り替え | ゲートチャージ | TD (オン/オフ) @ 25°C | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | NTCサーミスタ | 入力容量( cies @ vce | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | 抵抗 -ベース(r1) | 抵抗 -エミッターベース(r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BC817K25WE63 27HTSA1 | - | ![]() | 2978 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | BC817 | 250 MW | PG-SOT323 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45 v | 500 Ma | 100na(icbo) | npn | 700mv @ 50ma 、500ma | 160 @ 100MA、1V | 170MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRG7T 75HF12A | - | ![]() | 1282 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | 箱 | 廃止 | -40°C〜150°C | シャーシマウント | Powir®34モジュール | IRG7T | 450 W | 標準 | POWIR®34 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | SP001542018 | ear99 | 8541.29.0095 | 20 | ハーフブリッジ | - | 1200 v | 150 a | 2.2V @ 15V 、75a | 1 Ma | いいえ | 10.4 nf @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IDH04G65C5XKSA2 | 2.5600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Infineon Technologies | coolsic™+ | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | IDH04G65 | sic (炭化シリコン)ショットキー | PG-to220-2-1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 4 a | 0 ns | 70 µA @ 650 V | -55°C〜175°C | 4a | 130pf @ 1V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | F3L400R12PT4B26BOSA1 | 356.8500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Econopack™4 | トレイ | アクティブ | -40°C〜150°C | シャーシマウント | モジュール | F3L400 | 2150 w | 標準 | モジュール | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 6 | 三相インバーター | - | 1200 v | 600 a | 2.15V @ 15V 、400A | 1 Ma | はい | 25 nf @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | buz73al | - | ![]() | 2767 | 0.00000000 | Infineon Technologies | SIPMOS® | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | PGから220-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 500 | nチャネル | 200 v | 5.5a(tc) | 5V | 600mohm @ 3.5a 、5V | 2V @ 1MA | ±20V | 840 PF @ 25 V | - | 40W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | T360N20TOFXPSA1 | - | ![]() | 5174 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜125°C | クランプオン | do-200aa、a-puk | T360N | シングル | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.30.0080 | 1 | 300 Ma | 2.6 kV | 550 a | 2 v | 5000A @ 50Hz | 200 ma | 360 a | 1 SCR | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IGU04N60TAKMA1 | 1.3500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | TrenchStop™ | チューブ | アクティブ | -40°C〜175°C | 穴を通して | to-251-3 | IGU04N60 | 標準 | 42 w | PG-to251-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 75 | 400V 、4a 、47ohm、15V | 溝 | 600 V | 8 a | 12 a | 2.05V @ 15V 、4a | 61µj(84µj (オフ) | 27 NC | 14ns/164ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB06N03LA | - | ![]() | 8618 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos™ | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | IPB06N | モスフェット(金属酸化物) | PG-to263-3-2 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 25 v | 50a(tc) | 4.5V 、10V | 5.9mohm @ 30a 、10V | 2V @ 40µA | 22 NC @ 5 V | ±20V | 2653 PF @ 15 V | - | 83W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7834TR | - | ![]() | 4530 | 0.00000000 | Infineon Technologies | hexfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | モスフェット(金属酸化物) | 8-SO | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | nチャネル | 30 V | 19a(ta) | 4.5V 、10V | 4.5mohm @ 19a 、10V | 2.25V @ 250µA | 44 NC @ 4.5 v | ±20V | 3710 PF @ 15 V | - | 2.5W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IFF600B12ME4B11BOSA1 | - | ![]() | 5994 | 0.00000000 | Infineon Technologies | econodual™3 | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜150°C | シャーシマウント | モジュール | IFF600 | 20 MW | 標準 | Ag-conod-5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 6 | ハーフブリッジ | トレンチフィールドストップ | 1200 v | 600 a | 2.1V @ 15V 、600A | 3 Ma | はい | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR 162L3 E6327 | - | ![]() | 4870 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | SC-101 、SOT-883 | BCR 162 | 250 MW | PG-TSLP-3-4 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 15,000 | 50 v | 100 Ma | 100na(icbo) | pnp-前バイアス | 300MV @ 500µA 、10mA | 20 @ 5MA 、5V | 200 MHz | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCP54-16E6433 | 0.1100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-261-4、TO-261AA | 2 W | SOT-223 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 4,000 | 45 v | 1 a | 100na(icbo) | npn | 500MV @ 50MA 、500MA | 100 @ 150ma 、2V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TZ240N36KOFS2HPSA1 | - | ![]() | 8416 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | - | - | - | TZ240N | - | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | SP000492390 | ear99 | 8541.30.0080 | 3 | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PTRA093302DC V1 | - | ![]() | 7324 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | テープ&リール( tr) | 廃止 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FD800R33KL2C-K_B5 | - | ![]() | 9368 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | バルク | アクティブ | - | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF6710S2TRPBF | - | ![]() | 2496 | 0.00000000 | Infineon Technologies | hexfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜175°C | 表面マウント | directfet™s1 | モスフェット(金属酸化物) | directfet™s1 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | SP001524736 | ear99 | 8541.29.0095 | 4,800 | nチャネル | 25 v | 12a(ta )、 37a(tc) | 4.5V 、10V | 5.9mohm @ 12a 、10V | 2.4V @ 25µA | 13 NC @ 4.5 v | ±20V | 1190 PF @ 13 V | - | 1.8W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IGC50T120T8RQX1SA1 | - | ![]() | 3825 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | 死ぬ | IGC50T120 | 標準 | 死ぬ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - | トレンチフィールドストップ | 1200 v | 150 a | 2.42V @ 15V 、50a | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR198SH6327XTSA1 | 0.0975 | ![]() | 8609 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 前回購入します | 表面マウント | 6-VSSOP 、SC-88 、SOT-363 | BCR198 | 250MW | pg-sot363-po | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100mA | - | 2 pnp- バイアス(デュアル) | 300MV @ 500µA 、10mA | 70 @ 5MA 、5V | 190MHz | 47kohms | 47kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP013N04NF2SAKMA1 | 2.7600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | チューブ | アクティブ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF5210PBF | 3.0100 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Infineon Technologies | hexfet® | チューブ | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3 | IRF5210 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | pチャネル | 100 V | 40a(tc) | 10V | 60mohm @ 24a 、10V | 4V @ 250µA | 180 NC @ 10 V | ±20V | 2700 PF @ 25 V | - | 200W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF7751TR | - | ![]() | 7387 | 0.00000000 | Infineon Technologies | hexfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | IRF775 | モスフェット(金属酸化物) | 1W | 8-tssop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | 2 P-Channel (デュアル) | 30V | 4.5a | 35mohm @ 4.5a 、10V | 2.5V @ 250µA | 44NC @ 10V | 1464pf @ 25V | ロジックレベルゲート | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TT92N16KOF | 158.4600 | ![]() | 190 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | 箱 | アクティブ | -40°C〜130°C (TJ | シャーシマウント | モジュール | シリーズ接続 -すべてのscr | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3845-TT92N16KOF | ear99 | 1 | 200 ma | 1.6 kV | 1.4 v | 2 SCRS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP114N03L g | - | ![]() | 5311 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos™ | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3 | IPP114N | モスフェット(金属酸化物) | PGから220-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 500 | nチャネル | 30 V | 30a(tc) | 4.5V 、10V | 11.4mohm @ 30a 、10v | 2.2V @ 250µA | 14 NC @ 10 V | ±20V | 1500 PF @ 15 V | - | 38W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TT600N16KOFXPSA1 | 332.2600 | ![]() | 8940 | 0.00000000 | Infineon Technologies | TT | トレイ | アクティブ | 125°C (TJ) | シャーシマウント | モジュール | シリーズ接続 -すべてのscr | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.30.0080 | 2 | 300 Ma | 1.6 kV | 1.05 ka | 2 v | 21000a @ 50Hz | 250 Ma | 600 a | 2 SCRS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRLR3714Z | - | ![]() | 6930 | 0.00000000 | Infineon Technologies | hexfet® | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 表面マウント | to-252-3 | モスフェット(金属酸化物) | d-pak | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | *IRLR3714Z | ear99 | 8541.29.0095 | 75 | nチャネル | 20 v | 37a(tc) | 4.5V 、10V | 15mohm @ 15a 、10V | 2.55V @ 250µA | 7.1 NC @ 4.5 v | ±20V | 560 PF @ 10 V | - | 35W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7807Z | - | ![]() | 8488 | 0.00000000 | Infineon Technologies | hexfet® | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | モスフェット(金属酸化物) | 8-SO | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | *IRF7807Z | ear99 | 8541.29.0095 | 95 | nチャネル | 30 V | 11a(ta) | 4.5V 、10V | 13.8mohm @ 11a 、10v | 2.25V @ 250µA | 11 NC @ 4.5 v | ±20V | 770 PF @ 15 V | - | 2.5W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TDB6HK360N16PBOSA1 | 216.1600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜130°C (TJ | シャーシマウント | モジュール | TDB6HK360 | ブリッジ、 3相 -scrs/ダイオード | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.30.0080 | 6 | 220 Ma | 1.6 kV | 360 a | 2 v | 3000A @ 50Hz | 100 Ma | 210 a | 3つのscr、3つのダイオード | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRG7T 300HF12B | - | ![]() | 7454 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | 箱 | 廃止 | -40°C〜150°C | シャーシマウント | Powir®62モジュール | IRG7T | 1600 w | 標準 | Powir®62 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | SP00153690 | ear99 | 8541.29.0095 | 15 | ハーフブリッジ | - | 1200 v | 570 a | 2.2V @ 15V 、300A | 4 Ma | いいえ | 42.4 nf @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF630NSPBF | - | ![]() | 3340 | 0.00000000 | Infineon Technologies | hexfet® | チューブ | sicで中止されました | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | モスフェット(金属酸化物) | d2pak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 200 v | 9.3a(tc) | 10V | 300mohm @ 5.4a 、10V | 4V @ 250µA | 35 NC @ 10 V | ±20V | 575 PF @ 25 V | - | 82W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFS3206PBF | - | ![]() | 9514 | 0.00000000 | Infineon Technologies | hexfet® | チューブ | sicで中止されました | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | モスフェット(金属酸化物) | d2pak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 60 V | 120a(tc) | 10V | 3mohm @ 75a 、10V | 4V @ 150µA | 170 NC @ 10 V | ±20V | 6540 PF @ 50 V | - | 300W (TC) |
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