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離散半導体製品（16626）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	電圧 -定格	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	頻度	テクノロジー	パワー -マックス	構造	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	現在の評価（ amp）	現在-hold（ihmax）	テスト条件	現在 -テスト	電力 -出力	得	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	電圧 -状態外	現在 -state（it （rms	電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大）	現在 -非担当者サージ50、60Hz	現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大）	現在 -State	ノイズ図	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	scr の数、ダイオード	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	電圧 -テスト	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
IPP65R190C6XKSA1	2.5242	RFQ	4303	Infineon Technologies	coolmos™	チューブ	新しいデザインではありません		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3	IPP65R190			モスフェット（金属酸化物）				PGから220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500			nチャネル							650 V	20.2a	10V	190mohm @ 7.3a 、10V	3.5V @ 730µA	73 NC @ 10 V	±20V	1620 pf @ 100 V	-	151W
DD250S65K3C1NPSA1	210.0000	RFQ	5021	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ			シャーシマウント	モジュール	DD250S65			標準				A-IHV130-6	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2		標準回復> 500ns																									2独立	6500 v	250a	3.5 V @ 250 a		370 mA @ 3600 v	-50°C〜125°C
BC860CWH6327	0.0400	RFQ	23	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	表面マウント	SC-70、SOT-323					250 MW			PG-SOT323-3-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	7,632																																				45 v	100 Ma							15NA			PNP	650mv @ 5ma 、100ma	420 @ 2MA 、5V	250MHz
IPI50R199CPXKSA1	-	RFQ	4624	Infineon Technologies	coolmos™	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads	IPI50R			モスフェット（金属酸化物）				PG-to262-3	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500			nチャネル							500 V	17a（tc）	10V	199mohm @ 9.9a 、10V	3.5V @ 660µA	45 NC @ 10 V	±20V	1800 pf @ 100 V	-	139W
FP75R12KT4PBPSA1	225.5400	RFQ	2267	Infineon Technologies	econopim™3	トレイ	アクティブ		-40°C〜150°C	シャーシマウント	モジュール	FP75R12				20 MW		三相ブリッジ整流器	モジュール	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	6	三相インバーター																																		トレンチフィールドストップ	1200 v	150 a		2.15V @ 15V 、75a					1 Ma	はい	4.3 nf @ 25 v
BF5020WH6327	0.1500	RFQ	54	Infineon Technologies	aec-q101	バルク	アクティブ	8 v		表面マウント	SC-82A 、SOT-343			-	モスフェット				PG-SOT343-4-1	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.21.0095	3,000	nチャネル			100NA			10 Ma	-	32dB																	1.2db																	5 v
IRF9952TRPBF	0.9500	RFQ	4	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	IRF995			モスフェット（金属酸化物）	2W			8-SO	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	4,000	nおよびpチャネル									30V	3.5a 、2.3a		100mohm @ 2.2a 、10V	1V @ 250µA	14NC @ 10V		190pf @ 15V	ロジックレベルゲート
IRF7433	-	RFQ	7005	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）				モスフェット（金属酸化物）				8-SO	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	95			pチャネル							12 v	8.9a（ta）	1.8V 、4.5V	24mohm @ 8.7a 、4.5V	900MV @ 250µA	20 NC @ 4.5 v	±8V	1877 pf @ 10 v	-	2.5W
SMBTA56E6433HTMA1	0.0586	RFQ	5735	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	前回購入します		150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3	SMBTA56				330 MW			PG-SOT23	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	10,000																																				80 v	500 Ma							100NA			PNP	250MV @ 10MA 、100mA	100 @ 100MA、1V	100MHz
BCX56H6359XTAM1	-	RFQ	4696	Infineon Technologies	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	前回購入します		150°C （TJ）	表面マウント	TO-243AA					2 W			PG-SOT89	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP001125478	ear99	8541.29.0075	1,000																																				80 v	1 a							100na（icbo）			npn	500MV @ 50MA 、500MA	40 @ 150ma 、2V	100MHz
IRGR3B60KD2TRRP	-	RFQ	5760	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	to-252-3	IRGR3B60	標準			52 w			d-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP001535846	ear99	8541.29.0095	3,000						400V、3A 、100OHM15V																									77 ns				npt	600 V	7.8 a	15.6 a	2.4V @ 15V、3a	62µj（on39µj （オフ）	13 NC	18ns/110ns
Accessory36522Nosa1	-	RFQ	7103	Infineon Technologies	-	トレイ	廃止					Accessory3								-			影響を受けていない		ear99	8542.39.0001	1
IRF5802TR	-	RFQ	1406	Infineon Technologies	-	カットテープ（CT）	廃止			表面マウント	SOT-23-6薄い、TSOT-23-6				モスフェット（金属酸化物）				micro6™（tsop-6）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	3,000			nチャネル							150 v	900ma（ta）		1.2OHM @ 540MA 、10V	5.5V @ 250µA	6.8 NC @ 10 V		88 PF @ 25 V	-
BCV49E6327HTSA1	-	RFQ	1053	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		150°C （TJ）	表面マウント	TO-243AA	BCV49				1 W			PG-SOT89	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0075	1,000																																				60 V	500 Ma							100na（icbo）			npn-ダーリントン	1V @ 100µA 、100mA	10000 @ 100MA 、5V	150MHz
BCX6810H6327XTSA1	0.2970	RFQ	3257	Infineon Technologies	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	前回購入します		150°C （TJ）	表面マウント	TO-243AA	BCX6810				3 W			PG-SOT89	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0075	1,000																																				20 v	1 a							100na（icbo）			npn	500MV @ 100MA、1a	85 @ 500MA、1V	100MHz
IQE030N06NM5SCATMA1	2.9200	RFQ	8689	Infineon Technologies	Optimos™5	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜175°C	表面マウント	8-POWERWDFN				モスフェット（金属酸化物）				PG-WHSON-8-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	6,000			nチャネル							60 V	21a（ta ）、 132a（tc）	6V 、10V	3mohm @ 20a 、10V	3.3V @ 50µA	49 NC @ 10 V	±20V	3800 PF @ 30 V	-	2.5W （TA ）、100W（TC）
IGB30N60TATMA1	3.4500	RFQ	6249	Infineon Technologies	TrenchStop®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-40°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3	IGB30	標準			187 w			PG-to263-3-2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000						400V 、30A、10.6OHM 、15V																													溝	600 V	60 a	90 a	2.05V @ 15V 、30A	1.46mj	167 NC	23ns/254ns
IRF9410PBF	-	RFQ	5537	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	sicで中止されました		-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	IRF9410			モスフェット（金属酸化物）				8-SO	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP001575396	ear99	8541.29.0095	95			nチャネル							30 V	7a（ta）	4.5V 、10V	30mohm @ 7a 、10V	1V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	550 PF @ 25 V	-	2.5W
T560N14TOCMODXPSA1	-	RFQ	3236	Infineon Technologies	*	トレイ	廃止					T560N								-		1 （無制限）	影響を受けていない		廃止	0000.00.0000	1
IRLU7843-701PBF	-	RFQ	4137	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止		-55°C〜175°C	表面マウント	TO-252-4				モスフェット（金属酸化物）				i-pak（lf701）	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	75			nチャネル							30 V	161a（tc）	4.5V 、10V	3.3mohm @ 15a 、10V	2.3V @ 250µA	50 NC @ 4.5 v	±20V	4380 PF @ 15 V	-	140W
IRFB812PBF	-	RFQ	3069	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3	IRFB812			モスフェット（金属酸化物）				TO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP001563948	ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル							500 V	3.6a（tc）	10V	2.2OHM @ 2.2A 、10V	5V @ 250µA	20 NC @ 10 V	±20V	810 pf @ 25 V	-	78W （TC）
IRLC8259EB	-	RFQ	2207	Infineon Technologies	-	バルク	廃止													ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	SP001568982	廃止	0000.00.0000	1											-
IPTG025N08NM5ATMA1	2.0639	RFQ	9197	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜175°C	表面マウント	8-POWERSMD 、ガルウィング	IPTG025N			モスフェット（金属酸化物）				PG-HSOG-8-1	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,800			nチャネル							80 v	28a（タタ）、 184a（tc）	6V 、10V	2.5mohm @ 150a 10V	3.8V @ 108µA	87 NC @ 10 V	±20V	6500 PF @ 40 V	-	3.8W
BFG135AE6327XT	-	RFQ	7600	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました		-	表面マウント	TO-261-4、TO-261AA	BFG135				1W			PG-SOT223-4	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0075	2,000									9db〜14db																											15V	150ma										npn		80 @ 100MA 、8V	6GHz	1.5db〜2.6db @ 900MHz〜1.8GHz
TD251N14KOFHPSA1	-	RFQ	9827	Infineon Technologies	-	トレイ	廃止		-40°C〜125°C	シャーシマウント	モジュール	TD251N					-scr/ダイオード			ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	3					300 Ma															1.8 kv	410 a	2 v	9100A @ 50Hz	200 ma	250 a									1 scr、1ダイオード
IRFS23N15D	-	RFQ	2379	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止		-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3				モスフェット（金属酸化物）				d2pak	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	*IRFS23N15D	ear99	8541.29.0095	50			nチャネル							150 v	23a（tc）	10V	90mohm @ 14a 、10V	5.5V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±30V	1200 PF @ 25 V	-	3.8W
IRFU9120NPBF	-	RFQ	2962	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止		-55°C〜175°C	穴を通して	to-251-3				モスフェット（金属酸化物）				IPAK（TO-251AA）	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	75			pチャネル							100 V	6.6a（tc）	10V	480mohm @ 3.9a 、10V	4V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	350 PF @ 25 V	-	40W （TC）
ISC010N04NM6ATMA1	2.4200	RFQ	4770	Infineon Technologies	Optimos™6	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜175°C	表面マウント	8-powertdfn	ISC010N			モスフェット（金属酸化物）				PG-TDSON-8 FL	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	5,000			nチャネル							40 v	40a（ta ）、285a（tc）	6V 、10V	1mohm @ 50a 、10V	2.8V @ 747µA	83 NC @ 10 V	±20V	6000 PF @ 20 V	-	3W （TA）、150W（TC）
IPSA70R2K0CEAKMA1	-	RFQ	8318	Infineon Technologies	-	チューブ	sicで中止されました		-40°C〜150°C	穴を通して	to-251-3	IPSA70			モスフェット（金属酸化物）				PG-to251-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	75			nチャネル							700 V	4a（tc）	10V	2OHM @ 1A 、10V	3.5V @ 70µA	7.8 NC @ 10 V	±20V	163 PF @ 100 V	-	42W
IRG4BC30KPBF	-	RFQ	2062	Infineon Technologies	-	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3		標準			100 W			TO-220AB	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000						480v																													-	600 V	28 a	58 a	2.7V @ 15V 、16a	360µj（オン）、510µj（オフ）	67 NC	26ns/130ns

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²