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離散半導体製品（16626）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	構造	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	現在-hold（ihmax）	テスト条件	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	電圧 -状態外	現在 -state（it （rms	電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大）	現在 -非担当者サージ50、60Hz	現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大）	現在 -State	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	scr の数、ダイオード	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	抵抗 -ベース（r1）	抵抗 -エミッターベース（r2）
IRFZ44E	-	RFQ	9337	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3			モスフェット（金属酸化物）				TO-220AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	*IRFZ44E	ear99	8541.29.0095	50			nチャネル			60 V	48a	10V	23mohm @ 29a 、10V	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	1360 PF @ 25 V	-	110W
BSZ042N04NSG	-	RFQ	7398	Infineon Technologies	Optimos™3	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3			モスフェット（金属酸化物）				TO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	5,000			nチャネル			40 v	40a（tc）		4.2mohm @ 20a 、10V	4V @ 36µA	46 NC @ 10 V	±20V	3700 PF @ 20 V	-	2.1W
BAW156	0.0400	RFQ	172	Infineon Technologies	-	バルク	廃止		表面マウント	TO-236-3	BAW156		標準				SOT23-3	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.10.0070	7,839		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度																				1ペア共通アノード	85 v	140ma dc）	1.1 V @ 50 mA	3 µs	5 Na @ 75 V	-65°C〜150°C
IRL3102S	-	RFQ	2047	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）				d2pak	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	*IRL3102S	ear99	8541.29.0095	50			nチャネル			20 v	61a（tc）	4.5V 、7V	13mohm @ 37a 、7v	700MV @ 250µA （最小）	58 NC @ 4.5 v	±10V	2500 PF @ 15 V	-	89W
IDD15E60BUMA2	-	RFQ	3459	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		表面マウント	to-252-3	IDD15E60		標準				PG-to252-3	ダウンロード		3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,500		高速回復= <500ns																					600 V		2 V @ 15 a	87 ns	50 µA @ 600 V	-55°C〜175°C	29.2a	-
TT330N12KOFHPSA2	-	RFQ	6599	Infineon Technologies	-	トレイ	廃止	-40°C〜130°C	シャーシマウント	モジュール	TT330N12				シリーズ接続 -すべてのscr			ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP001271500	ear99	8541.30.0080	3				300 Ma												1.6 kV	520 a	2 v	12500A @ 50Hz	200 ma	330 a										2 SCRS
IRFP3206PBF	3.6300	RFQ	5	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-247-3	IRFP3206		モスフェット（金属酸化物）				TO-247AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	25			nチャネル			60 V	120a（tc）	10V	3mohm @ 75a 、10V	4V @ 150µA	170 NC @ 10 V	±20V	6540 PF @ 50 V	-	280W （TC）
IRG4PC40SPBF	-	RFQ	6307	Infineon Technologies	-	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3		標準		160 W			TO-247AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	25					480v																											-	600 V	60 a	120 a	1.5V @ 15V 、31a	450µj（6.5mj （オフ）	100 NC	22NS/650NS
IKW50N65F5FKSA1	5.7500	RFQ	7846	Infineon Technologies	TrenchStop®	チューブ	アクティブ	-40°C〜175°C	穴を通して	TO-247-3	IKW50N65	標準		305 W			PG-to247-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	30					400V 、25A 、12OHM15V																					52 ns						-	650 V	80 a	150 a	2.1V @ 15V 、50a	490µj（on 160µj （オフ）	120 NC	21ns/175ns
IPL60R185CFD7AUMA1	3.6600	RFQ	2084	Infineon Technologies	coolmos™cfd7	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜150°C	表面マウント	4-PowertSfn	IPL60R		モスフェット（金属酸化物）				PG-VSON-4	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	3,000			nチャネル			600 V	14a（tc）	10V	185mohm @ 6a 、10V	4.5V @ 300µA	28 NC @ 10 V	±20V	1199 PF @ 400 v	-	85W
FS50R06W1E3BOMA1	48.6000	RFQ	24	Infineon Technologies	Easypack™	トレイ	アクティブ	-40°C〜150°C	シャーシマウント	モジュール	FS50R06			205 W		標準	モジュール	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	24	三相インバーター																															トレンチフィールドストップ	600 V	70 a		1.9V @ 15V 、50a				1 Ma	はい	95 PF @ 25 V
IRF7705GTRPBF	-	RFQ	1181	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm）			モスフェット（金属酸化物）				8-tssop	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	4,000			pチャネル			30 V	8a（ta）	4.5V 、10V	18mohm @ 8a 、10v	2.5V @ 250µA	88 NC @ 10 V	±20V	2774 PF @ 25 V	-	1.5W
TD104N14K0FHPSA1	108.3500	RFQ	5	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	140°C （TJ）	シャーシマウント	モジュール					-scr/ダイオード			ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.30.0080	1				200 ma												1.4 kV	160 a	1.4 v	2050A @ 50Hz	120 Ma	102 a										1 scr、1ダイオード
DF80R12W2H3_B11	-	RFQ	2670	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ				DF80R12							-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP000948772	ear99	8541.29.0095	15
T930N36TOFVTXPSA1	489.6500	RFQ	3045	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜120°C	シャーシマウント	TO-200AC	T930N36				シングル			ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	4				500 Ma												3.6 kv	2200 a	2.2 v	19500a @ 50Hz	250 Ma	930 a										1 SCR
IRLR7843PBF	-	RFQ	6266	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	sicで中止されました	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3			モスフェット（金属酸化物）				d-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP001567348	ear99	8541.29.0095	75			nチャネル			30 V	161a（tc）	4.5V 、10V	3.3mohm @ 15a 、10V	2.3V @ 250µA	50 NC @ 4.5 v	±20V	4380 PF @ 15 V	-	140W
IRFC4127EB	-	RFQ	5240	Infineon Technologies	hexfet®	バルク	廃止	-	表面マウント	死ぬ			-				死ぬ	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		廃止		1			-			200 v	76a（ta）	-	-	-		-		-	-
IRG4PC40WPBF	-	RFQ	4696	Infineon Technologies	-	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3	IRG4PC40	標準		160 W			TO-247AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	400					480V 、20A、10OHM、15V																											-	600 V	40 a	160 a	2.5V @ 15V 、20a	110µj（on ）、 230µj（オフ）	98 NC	27ns/100ns
BCR198WH6327XTSA1	0.0553	RFQ	7485	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	前回購入します		表面マウント	SC-70、SOT-323	BCR198			250 MW			PG-SOT323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	3,000																																	50 v	100 Ma						100na（icbo）			pnp-前バイアス	300MV @ 500µA 、10mA	70 @ 5MA 、5V	190 MHz	47 Kohms	47 Kohms
iriliz34n	-	RFQ	8561	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3フルパック			モスフェット（金属酸化物）				PG〜220-FP	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	*iriliz34n	ear99	8541.29.0095	50			nチャネル			55 v	22a（tc）	4V 、10V	35mohm @ 12a 、10V	2V @ 250µA	25 NC @ 5 V	±16V	880 PF @ 25 V	-	37W （TC）
SPP80N06S2-H5	-	RFQ	9631	Infineon Technologies	Optimos™	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3	spp80n		モスフェット（金属酸化物）				PG-to220-3-1	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500			nチャネル			55 v	80a（tc）	10V	5.5mohm @ 80a 、10V	4V @ 230µA	155 NC @ 10 V	±20V	5500 PF @ 25 V	-	300W （TC）
SPP80N06S08AKSA1	-	RFQ	2120	Infineon Technologies	SIPMOS®	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3	spp80n		モスフェット（金属酸化物）				PG-to220-3-1	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500			nチャネル			55 v	80a（tc）	10V	8mohm @ 80a 、10V	4V @ 250µA	187 NC @ 10 V	±20V	3660 PF @ 25 V	-	300W （TC）
SPB80P06P	-	RFQ	5478	Infineon Technologies	SIPMOS®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3	SPB80P		モスフェット（金属酸化物）				PG-to263-3-2	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000			pチャネル			60 V	80a（tc）	10V	23mohm @ 64a 、10V	4V @ 5.5MA	173 NC @ 10 V	±20V	5033 PF @ 25 V	-	340W
SGP02N120XKSA1	1.7076	RFQ	8825	Infineon Technologies	-	チューブ	前回購入します	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3	SGP02N	標準		62 w			PG-to220-3-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500					800V 、2A 、91OHM、15V																											npt	1200 v	6.2 a	9.6 a	3.6V @ 15V 、2a	220µj	11 NC	23ns/260ns
TD142N12KOFHPSA1	-	RFQ	9772	Infineon Technologies	-	トレイ	廃止	-40°C〜125°C	シャーシマウント	モジュール	TD142N				-scr/ダイオード			ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	8				200 ma												1.6 kV	230 a	2 v	4800A @ 50Hz	150 Ma	142 a										1 scr、1ダイオード
BAS16SH6327XTSA1	0.4600	RFQ	11	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	前回購入します		表面マウント	6-VSSOP 、SC-88 、SOT-363	BAS16		標準				pg-sot363-po	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度																				3独立	80 v	200MA （DC）	1.25 V @ 150 MA	4 ns	1 µA @ 75 V	150°C （最大）
FD1600/1200R17KF6C_B2	-	RFQ	6199	Infineon Technologies	Econopack™2	バルク	アクティブ				FD1600							-	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない	SP000100589	ear99	8541.29.0095	1
spp21n10	-	RFQ	2758	Infineon Technologies	SIPMOS®	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3	spp21n		モスフェット（金属酸化物）				PG-to220-3-1	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500			nチャネル			100 V	21a（tc）	10V	80mohm @ 15a 、10V	4V @ 44µA	38.4 NC @ 10 V	±20V	865 PF @ 25 V	-	90W
ETD580N16P60HPSA1	286.1800	RFQ	4567	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜135°C	シャーシマウント	モジュール	ETD580				-scr/ダイオード			ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8542.39.0001	2				300 Ma												1.6 kV	700 a	2 v	16500A @ 50Hz	250 Ma	586 a										1 scr、1ダイオード
IPW60R230P6FKSA1	-	RFQ	7017	Infineon Technologies	CoolMos™P6	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3	IPW60R		モスフェット（金属酸化物）				PG-to247-3	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	240			nチャネル			600 V	16.8a	10V	230mohm @ 6.4a 、10V	4.5V @ 530µA	31 NC @ 10 V	±20V	1450 PF @ 100 V	-	126W

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²