画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | タイプ | 基本製品番号 | 入力タイプ | テクノロジー | パワー -マックス | 入力 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | フェットタイプ | テスト条件 | 現在 | 電圧 | 電圧 -分離 | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | IGBTタイプ | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターパルス( icm) | vce(on max) @ vge | エネルギーの切り替え | ゲートチャージ | TD (オン/オフ) @ 25°C | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | NTCサーミスタ | 入力容量( cies @ vce | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | 静電容量比 | 静電容量比条件 | Q @ vr、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IKFW75N65EH5XKSA1 | 9.1200 | ![]() | 4918 | 0.00000000 | Infineon Technologies | TrenchStop™5 | チューブ | アクティブ | -40°C〜175°C | 穴を通して | TO-247-3 | IKFW75 | 標準 | 148 W | PG-HSIP247-3-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V 、60a 、12ohm15V | 75 ns | トレンチフィールドストップ | 650 V | 80 a | 240 a | 2.1V @ 15V 、60a | 1.8mj (オン)、600µj(オフ) | 144 NC | 30ns/206ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRL3303D1 | - | ![]() | 7861 | 0.00000000 | Infineon Technologies | hexfet® | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | *IRL3303D1 | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 30 V | 38a(tc) | 4.5V 、10V | 26mohm @ 20a 、10V | 1V @ 250µA | 26 NC @ 4.5 v | ±16V | 870 PF @ 25 V | - | 68W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFP3703 | - | ![]() | 3896 | 0.00000000 | Infineon Technologies | hexfet® | バッグ | 廃止 | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-247-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-247AC | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | *IRFP3703 | ear99 | 8541.29.0095 | 25 | nチャネル | 30 V | 210a(tc) | 7V 、10V | 2.8mohm @ 76a 、10V | 4V @ 250µA | 209 NC @ 10 V | ±20V | 8250 PF @ 25 V | - | 3.8W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 92-0235 | - | ![]() | 9094 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3 | IRGB14 | 論理 | 125 w | TO-220AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | - | - | 430 v | 20 a | 1.75V @ 5V、14a | - | 27 NC | 900ns/6µs | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS3005A02VH6327XTSA1 | 0.4500 | ![]() | 1085 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | BAS3005 | ショットキー | PG-SC79-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 30 V | 500 mV @ 500 Ma | 300 µA @ 30 V | -55°C〜125°C | 500mA | 15pf @ 5V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB80P03PL04ATMA2 | 3.1200 | ![]() | 3833 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive 、AEC-Q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | IPB80P | モスフェット(金属酸化物) | PG-to263-3-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | pチャネル | 30 V | 80a(tc) | 4.4mohm @ 80a 、10V | 2V @ 253µA | 160 NC @ 10 V | +5V、 -16V | 11300 PF @ 25 V | - | 137W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFR4105PBF | - | ![]() | 1353 | 0.00000000 | Infineon Technologies | hexfet® | チューブ | sicで中止されました | -55°C〜175°C | 表面マウント | to-252-3 | モスフェット(金属酸化物) | d-pak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | SP001552188 | ear99 | 8541.29.0095 | 75 | nチャネル | 55 v | 27a(tc) | 10V | 45mohm @ 16a 、10V | 4V @ 250µA | 34 NC @ 10 V | ±20V | 700 PF @ 25 V | - | 68W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IM393X6E2XKLA1 | - | ![]() | 2645 | 0.00000000 | Infineon Technologies | cipos™ | チューブ | 廃止 | 穴を通して | 35-POWERDIP モジュール(0.866 "、22.00mm )、30リード | IGBT | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | SP001720370 | ear99 | 8542.39.0001 | 15 | 3相インバーター | 20 a | 600 V | 2000VRMS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FD-DF80R12W1H3_B52 | - | ![]() | 6458 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Primepack™2 | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C | シャーシマウント | モジュール | FD-DF80 | 215 W | 標準 | モジュール | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | SP001092012 | ear99 | 8541.29.0095 | 24 | シングル | トレンチフィールドストップ | 1200 v | 40 a | 2.4V @ 15V 、40a | 1 Ma | はい | 235 nf @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRL3803PBF | 2.4600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Infineon Technologies | hexfet® | チューブ | 新しいデザインではありません | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3 | IRL3803 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 30 V | 140a(tc) | 4.5V 、10V | 6mohm @ 71a 、10V | 1V @ 250µA | 140 NC @ 4.5 v | ±16V | 5000 PF @ 25 V | - | 200W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF6626TRPBF | - | ![]() | 8331 | 0.00000000 | Infineon Technologies | hexfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜150°C (TJ | 表面マウント | directfet™等尺性st | モスフェット(金属酸化物) | Directfet™st | ダウンロード | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 4,800 | nチャネル | 30 V | 16a(タタ)、 72a(tc) | 4.5V 、10V | 5.4mohm @ 16a 、10V | 2.35V @ 250µA | 29 NC @ 4.5 v | ±20V | 2380 PF @ 15 V | - | 2.2W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF6637TRPBF | - | ![]() | 9974 | 0.00000000 | Infineon Technologies | hexfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜150°C (TJ | 表面マウント | directfet™mp | IRF6637 | モスフェット(金属酸化物) | DirectFet™MP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 4,800 | nチャネル | 30 V | 14a(タタ)、 59a | 4.5V 、10V | 7.7mohm @ 14a 、10V | 2.35V @ 250µA | 17 NC @ 4.5 v | ±20V | 1330 PF @ 15 V | - | 2.3w | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF3708L | - | ![]() | 4099 | 0.00000000 | Infineon Technologies | hexfet® | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 穴を通して | To-262-3 Long Leads | モスフェット(金属酸化物) | TO-262 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | *IRF3708L | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 30 V | 62a(tc) | 2.8V 、10V | 12mohm @ 15a 、10V | 2V @ 250µA | 24 NC @ 4.5 v | ±12V | 2417 PF @ 15 V | - | 87W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS75R07N2E4B11BOSA1 | - | ![]() | 6234 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Econopack™2 | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜150°C | シャーシマウント | モジュール | FS75R07 | 250 W | 標準 | モジュール | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 三相インバーター | トレンチフィールドストップ | 650 V | 75 a | 1.95V @ 15V 、75a | 1 Ma | はい | 4.6 nf @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | D820N26TXPSA1 | - | ![]() | 5703 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | 廃止 | クランプオン | do-200aa、a-puk | D820N26 | 標準 | - | ダウンロード | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 2600 v | 1.25 V @ 750 a | 40 mA @ 2600 v | -40°C〜180°C | 820A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BBY5702VH6327XTSA1 | 0.5600 | ![]() | 136 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜125°C(TJ) | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | BBY57 | PG-SC79-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 5.5pf @ 4V、1MHz | シングル | 10 v | 4.5 | C1/C4 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFI4020H-117PXKMA1 | 3.3100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-5 フルパック、形成されたリード | IRFI4020 | モスフェット(金属酸化物) | 21W (TC) | TO-220-5フルパック | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 2 nチャンネル(デュアル) | 200V | 9.1a(tc) | 100mohm @ 5.5a 、10V | 4.9V @ 100µA | 29NC @ 10V | 1240pf @ 25V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD50P04PL11AUMA1 | - | ![]() | 3498 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos®-P2 | バルク | 廃止 | -55°C〜175°C | 表面マウント | to-252-3 | IPD50 | モスフェット(金属酸化物) | PG-to252-3-313 | - | 廃止 | 1 | pチャネル | 40 v | 50a(tc) | 4.5V 、10V | 10.6mohm @ 50a 、10V | 2.2V @ 85µA | 59 NC @ 10 V | +5V、 -16V | 3900 PF @ 25 V | - | 58W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IDB06S60CATMA2 | - | ![]() | 6834 | 0.00000000 | Infineon Technologies | coolsic™+ | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | TO-263-3 | IDB06 | sic (炭化シリコン)ショットキー | PG-to263-3-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 回復時間なし> 500ma | 600 V | 1.7 V @ 6 a | 0 ns | 80 µA @ 600 V | - | 6a | 280pf @ 1V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IAUZ30N06S5L140ATMA1 | 0.9000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos™ | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | 8-powertdfn | IAUZ30 | モスフェット(金属酸化物) | PG-TSDSON-8-32 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | nチャネル | 60 V | 30a(tj) | 14mohm @ 15a 、10V | 2.2V @ 10µA | 12.2 NC @ 10 V | ±16V | 888 PF @ 30 V | - | 33W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BB 664 H7902 | 0.0400 | ![]() | 26 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-80 | SCD-80 | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 2.75pf @ 28V、1MHz | シングル | 30 V | 17.8 | C1/C28 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPA60R950C6XKSA1 | 1.6900 | ![]() | 390 | 0.00000000 | Infineon Technologies | coolmos™ | チューブ | 新しいデザインではありません | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3フルパック | IPA60R950 | モスフェット(金属酸化物) | PG〜220-FP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 600 V | 4.4a(tc) | 10V | 950mohm @ 1.5a 、10V | 3.5V @ 130µA | 13 NC @ 10 V | ±20V | 280 PF @ 100 V | - | 26W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPB80N06S2-H5 | - | ![]() | 6596 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos™ | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | SPB80N | モスフェット(金属酸化物) | PG-to263-3-2 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 55 v | 80a(tc) | 10V | 5.5mohm @ 80a 、10V | 4V @ 230µA | 155 NC @ 10 V | ±20V | 5500 PF @ 25 V | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF1405ZL-7PPBF | - | ![]() | 3255 | 0.00000000 | Infineon Technologies | hexfet® | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-263-7 (ストレートリード) | モスフェット(金属酸化物) | TO-263CA-7 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | SP001563240 | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 55 v | 120a(tc) | 10V | 4.9mohm @ 88a 、10v | 4V @ 150µA | 230 NC @ 10 V | ±20V | 5360 PF @ 25 V | - | 230W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBT3906SH6327 | 0.0700 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Infineon Technologies | aec-q101 | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 6-VSSOP 、SC-88 、SOT-363 | 250 MW | PG-SOT363-6-1 | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 4,714 | 40 v | 200 ma | 50na(icbo) | 400mv @ 5ma 、50ma | 100 @ 10ma、1V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPL65R1K5C6SE8211ATMA1 | 0.4600 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 2156-IPR65R1K5C6SE8211ATMA1-448 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF7751TRPBF | - | ![]() | 3926 | 0.00000000 | Infineon Technologies | hexfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | IRF775 | モスフェット(金属酸化物) | 1W | 8-tssop | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | 2 P-Channel (デュアル) | 30V | 4.5a | 35mohm @ 4.5a 、10V | 2.5V @ 250µA | 44NC @ 10V | 1464pf @ 25V | ロジックレベルゲート | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPA60R190C6 | 1.0000 | ![]() | 6074 | 0.00000000 | Infineon Technologies | coolmos™ | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3フルパック | モスフェット(金属酸化物) | PG-to220-3-111 | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | nチャネル | 600 V | 20.2a | 10V | 190mohm @ 9.5a 、10V | 3.5V @ 630µA | 63 NC @ 10 V | ±20V | 1400 PF @ 100 V | - | 34W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT1805E6327 | - | ![]() | 2117 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | BAT1805 | 標準 | PG-SOT23 | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 1,571 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 1ペア共通カソード | 35 v | 100MA (DC) | 1.2 V @ 100 MA | 120 ns | 20 na @ 20 v | 150°C (最大) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRL40S212ARMA1 | 1.1938 | ![]() | 6751 | 0.00000000 | Infineon Technologies | hexfet®、 strongirfet™ | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | IRL40S212 | モスフェット(金属酸化物) | PG-to263-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 800 | nチャネル | 40 v | 195a(tc) | 4.5V 、10V | 1.9mohm @ 100a 、10V | 2.4V @ 150µA | 137 NC @ 4.5 v | ±20V | 8320 PF @ 25 V | - | 231W |
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